【正文】 入到累加器 A 中，如果有按鍵按下，會使列線電平被拉至低電平，是列輸入不全為 1。 判斷鍵盤哪一個鍵被按 下。方法是：一次給行線送低電平，然后查所有列線狀態(tài)，稱為行掃描，如果全為 1，則所按下鍵不在此行，如果不全為 1，則所按下鍵必在此行，而且是在與零電平列線相交的交點上的那個鍵。 在此，按鍵的位置碼并不等于按鍵的實際定義鍵值，因此還必須進行轉(zhuǎn)換，即鍵值譯碼。 在本次課程設(shè)計中，由于只需采用兩個取號鍵盤和五個服務(wù)窗口鍵盤，所以我采用了獨立鍵盤來實現(xiàn)，在程序中直接對連接鍵盤的單片機引腳進行掃描，若引腳為 0 且延時去抖動之后仍為低電平則說明該鍵盤按下了。 ATC89C52 基本原理 單片機 ATC89C52 具 有低電壓供電和體積小等特點，四個端口只需要兩個口就能滿足電路系統(tǒng)的設(shè)計需要，很適合便攜手持式產(chǎn)品的設(shè)計使用系統(tǒng)可用二節(jié)電池供電。晶振采用 12MHZ。其芯片管腳圖如圖 所示。 圖 ATC89C52 單片機 武漢理工大學《通信工程應用技術(shù)課程設(shè)計》報告 6 VCC： 電源。 GND：接地。 P0 口： P0 口為一個 8 位漏級開路雙向 I/O 口，每腳可吸收 8TTL 門電流。當 P1 口的管腳第一次寫 1 時，被定義為高阻輸入。 P0 能夠用于外部程 序數(shù)據(jù)存儲器，它可以被定義為數(shù)據(jù) /地址的第八位。在 FIASH 編程時， P0 口作為原碼輸入口，當 FIASH 進行校驗時， P0 輸出原碼，此時 P0 外部必須被拉高。 P1 口： P1 口是一個內(nèi)部提供上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， P1 口緩沖器能接收輸出 4TTL 門電流。 P1 口管腳寫入 1 后，被內(nèi)部上拉為高，可用作 輸入， P1口被外部下拉為低電平時，將輸出電流，這是由于內(nèi)部上拉的緣故。在 FLASH編程和校驗時， P1 口作為第八位地址接收。 P2 口： P2 口為一個內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， P2 口緩沖器可接收，輸出 4 個 TTL 門電流，當 P2 口被寫 “1”時，其管腳被內(nèi)部上拉電阻 拉高，且作為輸入。并因此作為輸入時， P2 口的管腳被外 部拉低，將輸出電流。這是由于內(nèi)部上拉的緣故。 P2 口當用于外部程序存儲器或 16 位地址外部數(shù)據(jù)存 儲器進行存取時， P2 口輸出地址的高八位。在給出地址 “1”時，它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢，當對外部八位地址數(shù)據(jù)存儲器進行讀寫時， P2 口輸出其特殊功能寄存器 的內(nèi)容。 P2 口在 FLASH 編程和校驗時接收高八位地址信號和控制信號。 P3 口： P3 口管腳是 8 個帶內(nèi)部上拉電阻的雙向 I/O 口，可接收輸出 4 個TTL 門電流。當 P3 口寫入 “1”后，它們被內(nèi)部上拉為高電平，并用作輸入。作為輸入，由于外部下拉為低電平， P3 口將輸出電流（ ILL）這 是由于上拉的緣故。 P3 口也可作為 AT89C51 的一些特殊功能口，如下： RXD（串行輸入口） TXD（串行輸出口） /INT0（外部中斷 0） /INT1（外部中斷 1） T0（記時器 0 外部輸入） T1（記時器 1 外部輸入） /WR（外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通） /RD（外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通） P3 口同時為閃爍編程和編程校驗接收一些控制信號。 RST：復位輸入。當振蕩器復位器件時，要保持 RST 腳兩個機器周期的高電平時間。 ALE/PROG：當訪問外部存儲器時，地址鎖存允許的輸出電平用于鎖存地址的地位字節(jié)。在 FLASH 編程期間，此引腳用于輸入編程脈沖。在平時， ALE 端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號，此頻率為振蕩器頻率的 1/6。因此它可用作對外部輸出的脈沖或用于定時目的。然而要注意的是：每當用作外部數(shù)據(jù)存儲武漢理工大學《通信工程應用技術(shù)課程設(shè)計》報告 7 器 時，將跳過一個 ALE 脈沖。如想禁止 ALE 的輸出可在 SFR8EH 地址上置 0。此時， ALE 只有在執(zhí)行 MOVX， MOVC 指令是 ALE 才起作用。另外，該引腳被略微拉高。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài) ALE 禁止，置位無效。 PSEN：外部程序存儲 器的選通信號。在由外部程序存儲器取指期間，每個機器周期兩次 /PSEN 有效。但在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時，這兩次有效的 /PSEN 信號將不出現(xiàn)。 EA/VPP：當 /EA 保持低電平時，則在此期間外部程序存儲（ 0000HFFFFH），不管是否有內(nèi)部程序存儲器。注意加密方式 1 時， /EA 將內(nèi)部鎖定為 RESET；當 /EA 端保持高電平時，此間內(nèi)部程序存儲器。在 FLASH 編程期間，此引腳也用于施加 12V 編程電源 。 LCD 液晶顯示基本原理 LM061L液晶模塊 LM016L 液晶模塊采用 HD44780 控制器， hd44780 具有簡單而功能較強的指令集，可以實現(xiàn)字符移動，閃爍等功能， LM016L 與單片機 MCU 通訊可采用 8位或 4 位并行傳輸兩種方式， hd44780 控制器由兩個 8 位寄存器，指令寄存器（ IR）和數(shù)據(jù)寄存器（ DR）忙標志（ BF），顯示數(shù) RAM（ DDRAM），字符發(fā)生器 ROMA（ CGOROM）字符發(fā)生器 RAM（ CGRAM），地址計數(shù)器 RAM(AC)。 IR用于寄存指令碼，只能寫入不能讀出， DR 用于寄存數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)由內(nèi)部操作自動寫入DDRAM 和 CGRAM,或者暫存從 DDRAM 和 CGRAM 讀出的數(shù)據(jù)， BF 為 1 時，液晶模 塊處于內(nèi)部模式，不響應外部操作指令和接受數(shù)據(jù)， DDTAM 用來存儲顯示的字符，能存儲 80 個字符碼。 CGRAM 是為用戶編寫特殊字符留用的，它的容量僅 64 字節(jié)，可以自定義 8 個 5*7 點陣字符或者 4 個 5*10 點陣字符， AC 可以存儲 DDRAM 和 CGRAM 的地址，如果地址碼隨指令寫入 IR,則 IR 自動把地址碼裝入 AC，同時選擇 DDRAM 或 CGRAM， LM016L 液晶模塊如圖 示，其引腳功能如表 所示： 武漢理工大學《通信工程應用技術(shù)課程設(shè)計》報告 8 圖 LM016L 液晶 表 LM016L 液晶引腳功能 引 腳 符號 功能說明 1 VSS 一般接地 2 VDD 接電源（ +5V） 3 V0 液晶顯示器對比度調(diào)整端，接正電源時對比度最弱，接地電源時對比度最高（對比度過高時會產(chǎn)生 “鬼影 ”，使用時可以通過一個 10K 的電位器調(diào)整對比度）。 4 RS RS 為寄存器選擇，高電平 1 時選擇數(shù)據(jù)寄存器、低電平 0 時選擇指令寄存器。 5 R/W R/W 為讀寫信號線，高電平 (1)時進行讀操作，低電平 (0)時進行寫操作。 6 E E(或 EN)端為使能 (enable)端，下降沿使能。 7 DB0 底 4 位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 0 位（最低位） 8 DB1 底 4 位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 1 位 9 DB2 底 4 位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 2 位 10 DB3 底 4 位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 3 位 11 DB4 高 4 位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 4 位 12 DB5 高 4 位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 5 位 13 DB6 高 4 位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 6 位 14 DB7 高 4 位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 7 位（最高位）（也是 busy flang） 武漢理工大學《通信工程應用技術(shù)課程設(shè)計》報告 9 LM016L的指令說明及時序 LM016L 液晶模塊內(nèi)部的控制器共有 11 條控制指令，如表 所示： 表 控制命令表 序號 指令 RS R/W D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 功能 1 復位 顯示 器 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 清屏，光標歸位 2 光標返回 0 0 0 0 0 0 0 0 1 * 設(shè)置地址計數(shù)器清零， DDRAM 數(shù)據(jù)不變，光標移到左上角 3 字符進入模式 0 0 0 0 0 0 0 1 I/D S 設(shè)置字符進入時的屏幕移位方式 4 顯示開 /關(guān)控制 0 0 0 0 0 0 1 D C B 設(shè)置顯示開關(guān)，光標開關(guān)，閃爍開關(guān) 5 光標或 字符移位 0 0 0 0 0 1 S/C R/L * * 設(shè)置字符與光標移動 6 功能 設(shè)置 0 0 0 0 1 L N F * * 設(shè)置 DL，顯示行數(shù)，字體 7 設(shè) 置字符發(fā)生存貯器地址 0 0 0 1 字符發(fā)生存貯器地址 設(shè)置 6 位的CGRAM 地址以讀 /寫數(shù)據(jù) 8 設(shè) 置數(shù)據(jù)存貯器地址 0 0 1 顯示數(shù)據(jù)存貯器地址 設(shè)置 7 位的DDRAM 地址以讀 /寫數(shù)據(jù) 9 讀忙標志或地址 0 1 BF 計數(shù)器地址 讀忙標志及地址計數(shù)器 10 寫數(shù) 據(jù) 到CGRAM 或 1 0 寫入一字節(jié)數(shù)據(jù)，需要先設(shè)置 RAM 地址 向CGRAM/DDRAM武漢理工大學《通信工程應用技術(shù)課程設(shè)計》報告 10 LM016L 液晶模塊的讀寫操作、屏幕和光標的操作都是通過指令編程來實現(xiàn)的。（說明： 1 為高電平、 0 為低電平） 指令 1：清顯示，指令碼 01H,光標復位到地址 00H 位置。 指令 2：光標復位，光標返回到地址 00H。 指令 3：光標和顯示模式設(shè)置 I/D：光標移動方向，高電平右移，低電平左移 S:屏幕上所有文字是否左移或者右移。高電平表示有效，低電平則無效。 指令 4：顯示開關(guān)控制。 D：控制整體顯示的開與關(guān)，高電平表示開顯示，低電平表示關(guān)顯示 C：控制光標的開與關(guān)，高電平表示有光標，低電平表示無光標 B：控制光標是否閃爍，高電平閃爍，低電平不閃爍。 指令 5：光標或顯示移位 S/C：高電平時移動顯示的文字，低電平時移動光標。 指令 6：功能設(shè)置命令 DL：高電平時為 4 位總線，低電平時為 8 位總線 N：低電平時為單行顯示，高電平時雙行顯示 F: 低電平時顯示 5x7 的點陣字符，高電平時顯示 5x10 的點陣字符。 指令 7：字符發(fā)生器 RAM 地址設(shè)置。 指令 8： DDRAM 地址設(shè)置。 指令 9：讀忙信號和光標地址 BF：為忙標志位，高電平表示忙，此時模塊不能接收命令或者數(shù)據(jù)，如果為低電平表示不忙。 指令 10：寫數(shù)據(jù)。 指令 11：讀數(shù)據(jù)。 DDRAM） 寫入一字節(jié)的數(shù)據(jù) 11 從 CGRAM或 DDRAM讀數(shù) 據(jù) 1 1 讀取入一字節(jié)數(shù)據(jù)，需要先設(shè)置 RAM地址 從CGRAM/DDRAM讀取一字節(jié)的數(shù)據(jù) I/D =1 遞增， I/D=0 遞減。 S=0 時顯示屏不移動， S=1 時，如果 I/D =1 且有字符寫入時顯示屏左移，否則右移。 D=1 顯示屏開， D=0 顯示屏關(guān)。 C=1 時光標出現(xiàn)在地址計數(shù)器所指的位置， C=0 時光標不出現(xiàn)。 B=1 時光標出現(xiàn)閃爍， B=0 時光標不閃爍。 S/C=0 時， RL=0 則光標左移，否則右移。 S/C=1 時， RL=0 則字符和光標左移，否則右移。 DL=1 時數(shù)據(jù)長度為 8 位， DL=0 時為使用 D7D4 共 4 位，分兩次送一字節(jié)。 N=0 為單行顯示， N=1 時為雙行顯示。 F=1 時為 510 點陣字體， F=0 時為 57 點陣字體。 BF=1 時 LCD 忙， BF=0 時 LCD 就緒。 武漢理工大學《通信工程應用技術(shù)課程設(shè)計》報告 11 與 HD44780 相兼容的芯片時序表如 表 ： 表 基本操作時序表 讀狀態(tài) 輸入 RS=L， R/W=H， E=H 輸出 D0—D7=狀態(tài)字 寫指令 輸入 RS=L， R/W=L， D0—D7=指令碼， E=高脈沖 輸出 無 讀數(shù)據(jù) 輸入 RS=H， R/W=H， E=H 輸出 D0—D7=數(shù)據(jù) 寫數(shù)據(jù) 輸入 RS=H， R/W=L， D0—D7=數(shù)據(jù)， E=高脈沖 輸出 無 4 系統(tǒng)設(shè)計 業(yè)務(wù)調(diào)度控制規(guī)則設(shè)計 由于本次課設(shè)要求是叫號機支持兩類業(yè)務(wù)：現(xiàn)金業(yè)務(wù)和非現(xiàn)金業(yè)務(wù)。辦理現(xiàn)金業(yè)務(wù)的窗口有 3 個，辦理非現(xiàn)金業(yè)務(wù)的窗口有 2 個，稱為綜合窗口；現(xiàn)金業(yè)務(wù)窗口只能辦理現(xiàn)金業(yè)務(wù)，而綜合業(yè)務(wù)窗口可以辦理現(xiàn)金業(yè)務(wù)和非現(xiàn)金業(yè)務(wù)；非現(xiàn)金業(yè)務(wù)優(yōu)先級高，綜合業(yè)務(wù)窗口只有在沒有非