【總結(jié)】課程設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū)課程名稱(chēng)：數(shù)字電子技術(shù)、模擬電子技術(shù)設(shè)計(jì)題目：循環(huán)彩燈院系：電子信息與電氣工程學(xué)院學(xué)生姓名：李健學(xué)號(hào)：201002030013專(zhuān)業(yè)班級(jí)：通信工程2010級(jí)
2025-05-31 18:03
【總結(jié)】1《電力電子技術(shù)》期末標(biāo)準(zhǔn)試卷（A）（2022—2022學(xué)年第上學(xué)期）題號(hào)一二三四五總分得分一、填空題(每小空1分，共13分)1．正弦脈寬調(diào)制（SPWM）技術(shù)運(yùn)用于電壓型逆變電路中，當(dāng)改變__
2025-01-07 23:16
【總結(jié)】一、單項(xiàng)選擇題1.由開(kāi)關(guān)組成的邏輯電路如圖所示，設(shè)開(kāi)關(guān)接通為“1”，斷開(kāi)為“0”，電燈亮為“1”，電燈暗為“0”，則該電路為(B)。A．“與”門(mén) B．“或”門(mén) C．“非”門(mén)2.圖示邏輯電路的邏輯式為(C)。A．A+B B． C．AB+3.當(dāng)A=B=0時(shí)，能實(shí)現(xiàn)Y=1的邏輯運(yùn)算為：（ D?。〢
2024-10-04 18:29
【總結(jié)】班號(hào)學(xué)號(hào)姓名電力電子技術(shù)試題（A）題號(hào)一二三四五六平時(shí)成績(jī)總分分?jǐn)?shù)評(píng)卷人注：卷面85分，平時(shí)成績(jī)15分本題得分一、回答下列問(wèn)題1、下列器件的分類(lèi)表中，將符合每一類(lèi)別的全部選項(xiàng)添入表中。（8分）
2025-03-25 06:07
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題：（每空1分共40分）1、PN結(jié)正偏時(shí)（），反偏時(shí)（），所以PN結(jié)具有（）導(dǎo)電性。2、漂移電流是（）電流，它由（）載流子形成，其大小與（）有關(guān)，而與外加電壓（）。3、所謂理想二極管，就是當(dāng)其正偏時(shí)，結(jié)電阻為（），等效成一
2025-01-07 21:40
【總結(jié)】系別專(zhuān)業(yè)（班級(jí)）姓名學(xué)號(hào)………………………密……………………封…………………………裝…………………訂………………………線………………………數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)期末考試試卷課程名稱(chēng)數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)
2025-06-22 15:04
【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題（一）一、填空題:（每空1分，共10分）1．()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門(mén)輸出的三種狀態(tài)分別為：、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲(chǔ)容量為4K×8位的RAM存儲(chǔ)
2025-06-24 06:56
2025-07-25 21:40
【總結(jié)】第10章電力電子技術(shù)的應(yīng)用晶閘管直流電動(dòng)機(jī)系統(tǒng)變頻器和交流調(diào)速系統(tǒng)不間斷電源開(kāi)關(guān)電源功率因數(shù)校正技術(shù)電力電子技術(shù)在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用電力電子技術(shù)的其他應(yīng)用
2025-04-30 02:29
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題：（每空1分共40分）1、PN結(jié)正偏時(shí)（），反偏時(shí)（），所以PN結(jié)具有（）導(dǎo)電性。2、漂移電流是（）電流，它由（）載流子形成，其大小與（）有關(guān)，而與外加電壓（）。3、所謂理想二極管，就是當(dāng)其正偏時(shí)，結(jié)電阻為（），等效成一條直線；當(dāng)其反偏時(shí)，結(jié)電阻為（），等效成斷開(kāi)；
2025-03-25 04:55
【總結(jié)】電力電子技術(shù)試題1、請(qǐng)?jiān)诳崭駜?nèi)標(biāo)出下面元件的簡(jiǎn)稱(chēng)：電力晶體管GTR；可關(guān)斷晶閘管GTO；功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET；絕緣柵雙極型晶體管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對(duì)觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率
2024-11-07 18:17
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)試題1一、選擇填空（30分）1．本征半導(dǎo)體電子濃度（）空穴濃度；N型半導(dǎo)體的電子濃度（）空穴濃度；P型半導(dǎo)體的電子濃度（）空穴濃度。a：大于；b：小于；c：等于。2．場(chǎng)效應(yīng)管屬于（）控制型器件，晶體三極管則屬于（）控制器件。a：電壓；b：電流
2025-01-07 21:39
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)楊建國(guó)主編李鋒張鋒制作目錄一、模電實(shí)驗(yàn)安排二、常用電子元器件介紹七、音響放大電路工作原理和主要參數(shù)估算及測(cè)量方法六、三角波方波發(fā)生電路工作原理和主要參數(shù)估算及測(cè)量方法四、單級(jí)放大電路工作原理和主要參數(shù)估算及測(cè)量方法三、實(shí)驗(yàn)室儀器儀表使用
2025-01-02 09:04
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)與應(yīng)用》試題(1)一、填空(16分)1．半導(dǎo)體二極管的主要特性是___________。2．三極管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)為_(kāi)___偏置，集電結(jié)為_(kāi)____偏置；工作在飽和區(qū)時(shí)發(fā)射結(jié)為_(kāi)__偏置，集電結(jié)為_(kāi)___偏置。3．當(dāng)輸入信號(hào)頻率為fL和fH時(shí)，放大倍數(shù)的幅值約下降為中頻時(shí)的__倍，或者是下降了__dB，此時(shí)與中頻時(shí)相比，放大倍數(shù)的附加相移約為_(kāi)____。
【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題一、填空題:(每空1分，共10分)1．八進(jìn)制數(shù)()8的等值二進(jìn)制數(shù)為（）2；十進(jìn)制數(shù)98的8421BCD碼為（）8421BCD。2.TTL與非門(mén)的多余輸入端懸空時(shí)，相當(dāng)于輸入電平。3.下圖所示電路中的最簡(jiǎn)邏輯表達(dá)式為。4.一個(gè)JK觸發(fā)器有個(gè)穩(wěn)態(tài)，它可存儲(chǔ)位二進(jìn)制數(shù)。
2025-05-31 12:19
鄂ICP備17016276號(hào)-1