關(guān)于做好20xx年度省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃（產(chǎn)業(yè)前瞻與關(guān)鍵核心技術(shù)）重大研發(fā)需求及指南修改建議征集工作的通知-文庫吧
2025-01-18 13:40 本頁面
【正文】 議。（3）充分對接國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃以及科技創(chuàng)新2030—重大項(xiàng)目，圍繞國家重大戰(zhàn)略需求和重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，加強(qiáng)重點(diǎn)項(xiàng)目組織和謀劃，為后續(xù)申報(bào)國家重點(diǎn)專項(xiàng)培育優(yōu)質(zhì)項(xiàng)目源；圍繞我省已承擔(dān)的國家重大項(xiàng)目，以支撐專項(xiàng)實(shí)施和推動(dòng)成果落地為目標(biāo)，組織優(yōu)勢單位對相關(guān)配套技術(shù)及裝備開展針對性研制，凝練項(xiàng)目主題，提出重點(diǎn)項(xiàng)目建議，為推動(dòng)國家重大科技成果在江蘇落地奠定基礎(chǔ)。重點(diǎn)項(xiàng)目建議每個(gè)設(shè)區(qū)市科技局、國家高新區(qū)管委會(huì)限報(bào)8項(xiàng)。三、其他事項(xiàng)請各單位根據(jù)通知要求，提出指南修改建議及重大研發(fā)需求，并按附件格式和要求填報(bào)相關(guān)材料，加蓋公章后于11月20日前由各設(shè)區(qū)市科技局匯總報(bào)至省科技廳高新處，同時(shí)將電子版發(fā)送至jskjtgxc@163.。聯(lián)系人：施笑南張競博聯(lián)系方式：02583363239 83379768附件：2020年度省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃（產(chǎn)業(yè)前瞻與關(guān)鍵核心技術(shù)）項(xiàng)目指南2021年度省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃（產(chǎn)業(yè)前瞻與關(guān)鍵核心技術(shù)）重大研發(fā)需求征集信息表增加技術(shù)方向說明材料格式2021年省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃（產(chǎn)業(yè)前瞻與關(guān)鍵核心技術(shù)）重點(diǎn)項(xiàng)目建議表（此頁無正文）江蘇省科學(xué)技術(shù)廳2020年10月30日附件12020年度省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃（產(chǎn)業(yè)前瞻與關(guān)鍵核心技術(shù)）項(xiàng)目指南省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃（產(chǎn)業(yè)前瞻與關(guān)鍵核心技術(shù)）以形成具有自主知識產(chǎn)權(quán)的重大創(chuàng)新性技術(shù)為目標(biāo)，開展產(chǎn)業(yè)前瞻性技術(shù)研發(fā)、重大關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，搶占產(chǎn)業(yè)技術(shù)競爭制高點(diǎn)，引領(lǐng)我省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)培育和高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)向中高端攀升，為加快構(gòu)建自主可控現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系提供有力科技支撐。一、產(chǎn)業(yè)前瞻技術(shù)研發(fā)本類項(xiàng)目重點(diǎn)支持對戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)培育具有較強(qiáng)帶動(dòng)性的產(chǎn)業(yè)前瞻技術(shù)，提升產(chǎn)業(yè)技術(shù)原始創(chuàng)新能力，引領(lǐng)新興產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。1．定向擇優(yōu)任務(wù)專題1011高質(zhì)量大尺寸（6英寸及以上）第三代半導(dǎo)體材料制備技術(shù)研究內(nèi)容：開展硅基和碳化硅基的大尺寸（6英寸及以上）氮化鎵材料外延生長技術(shù)研究；開展大尺寸氮化鎵單晶材料的生長技術(shù)研究；實(shí)現(xiàn)氮化鎵材料的電學(xué)性能調(diào)控，針對光電子和微電子應(yīng)用，分別實(shí)現(xiàn)高電子遷移率、半絕緣和低電阻率的氮化鎵材料制備，并完成相關(guān)器件的性能驗(yàn)證，支撐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展?？己酥笜?biāo)：（1）實(shí)現(xiàn)6英寸、8英寸硅襯底上高質(zhì)量氮化鎵基外延材料生產(chǎn)，位錯(cuò)密度達(dá)到107cm－2量級，翹曲度30um，algan/gan異質(zhì)結(jié)二維電子氣濃度9e12cm2，遷移率2200cm2/vs。（2）實(shí)現(xiàn)6英寸氮化鎵單晶襯底制備，襯底ttv20um，表面rms，厚度600um，位錯(cuò)密度達(dá)到105cm－2量級，～。1012 t1100及以上碳纖維材料制備技術(shù)研發(fā)研究內(nèi)容：開展t1100及以上級別的新一代碳纖維制備技術(shù)研究，突破t1100高品質(zhì)原絲紡制技術(shù)、均質(zhì)化預(yù)氧化碳化等關(guān)鍵技術(shù)，研發(fā)大通道外熱式預(yù)氧化爐、寬幅高溫
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