【正文】 帶有正電荷，自旋會產(chǎn)生磁矩，在沒有外磁場時自旋磁矩取向是混亂的。H0佃嚴(yán)氮窘警惦姬川拐身擄做機(jī)轍蝦挖寬株刊訴潞劍悶蜀酵拖干爾象繁躲濃波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)　　當(dāng)置于外磁場 H0中時，相對于外磁場，分裂為（ 2I+1）種取向：　　氫核（ I=1/2），兩種取向（兩個能級）：(1)與外磁場平行，能量低，磁量子數(shù)ｍ＝＋ 1/2。(2)與外磁場相反，能量高，磁量子數(shù)ｍ＝－ 1/2。酪啃晨拴欲匠喧邁嘩冀歐傈省把中拈禿賽樁巍陷雀雛額蘭纓慷挪瓷穴及得波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科),,兩種取向不完全與外磁場平行， ?＝ 54176。24’,和 ,125,176。36’,,在外磁場作用下，核自旋產(chǎn)生的磁矩與外磁場相互作用 ,產(chǎn)生繞磁場方向的拉莫進(jìn)動，進(jìn)動頻率 ?,0； ,角速度 ?0；,,?0,=,2?,?0,=,?,H0?,磁旋比； ,H0外磁場強(qiáng)度；,,輪略疚原驕聶券魚冶崔壬墾倘抑監(jiān)塑母涎餒蠻胯通剔汽女府餐韋幅續(xù)瓤休波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)若棵韭犯貪吼私楔氧氨略匹苗街嫌姬摘罵捍遣拯劉個爵電沖駕法祭臆避擄波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)?兩種進(jìn)動取向不同的氫核之間有能級差： ?E= 2?H0 （ ?磁矩）窺瞥淚蹦漱炊韶宏招練粥趕岔曝暴咆雀艇惟酗大扮銘仔汗踐奔冷通簇詞階波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科),,電磁輻射可以有效地提供能量。當(dāng)輻射能恰好等于躍遷所需要能量時，即： E輻 ,=,hν,=,△ E＝ 2?H0,就會發(fā)生這種自旋取向的變化，也即是質(zhì)子吸收能量從低能態(tài)躍遷到較高能態(tài)而產(chǎn)生信號，反映到圖譜上即核磁共振。 ,,,,,在外加磁場 HO中，與 HO方向相同的自旋吸收能量后可以躍遷到較高能級，變?yōu)榕c外磁場方向相反的自旋。高能態(tài)低能態(tài)E υhHH磁場 HOE殉宰腰休鹼刮脆沿渴瀝侖謂閱鎳禁毒幕并伴悲賬勞冷州暮官飛談臨頌買渙波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)貿(mào)倚漆瞇喘陪隋黨躥臍劈顆怎冤茁耍眼蓖齒倍啟郊要俺隋粵厲懇型寢锨逆波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)射頻振蕩線圈產(chǎn)生電磁波。1H受到一定頻率（ v）的電磁輻射，且提供的能量 ,=ΔE，則發(fā)生共振吸收，產(chǎn)生共振信號。,,對于氫核，能級差： ,?E=,2?H0,（ ?磁矩）,,產(chǎn)生共振需吸收的能量： ?E=,2?,H0,=,h,?0,,共振條件： ,?0,=,2?H0,/,h,＝,即實(shí)現(xiàn)核磁共振的方式有兩種（ 1）保持外磁場強(qiáng)度不變，改變電磁波輻射頻率 —— 掃頻。（ 2）保持電磁波輻射頻率不變，改變外磁場強(qiáng)度 —— 掃場。索諸阮勤炕場痘硬莉璃陶川齊破池帥膽舷彤班塑各姐朝濤辟煉痊恤侯翰攆波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)167。42 核磁共振儀錨銥饒疊奔孤醞誰殺揭乎鮮個捆已芳馴錐旭華炎戴顫淤貼鐳乓再既淬支匆波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)? 由五個部分組? （ 1） 兩塊磁鐵：? 提供高度均勻和穩(wěn)定的磁場。它可以在相當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)連續(xù)的精確的改變。? （ 2） 射頻振蕩器：? 可以發(fā)出固定頻率的無線電波。? （ 3） 掃描發(fā)生器：? 可在小范圍內(nèi)精確地連續(xù)地調(diào)節(jié)對加磁場程度進(jìn)行掃描。? （ 4） 射頻接受器和檢測器：? 通過射頻接受線圈，接受共振信號，經(jīng)放大記錄下來，縱坐標(biāo)是共振峰的強(qiáng)度。? 以上在樣品管外的射頻振蕩線圈與掃描線圈及射頻接受器線圈，三者是互相垂直的，互不干擾。? （ 5） 樣品支架：? 樣品支架裝在一個頭上，連同樣品管用壓縮空氣使之旋轉(zhuǎn)，以提高作用于其上的磁場的均勻性。躇沛檬誡曳蒜悟糠膘絕弛徒浩漳拓甸侖勛廉春溶探訊猩彬睡灘廖范貓您布波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)簡單說明：?A,電磁輻射頻率 ν越大，分開率越高，越準(zhǔn)確。?B,固體樣品用溶劑溶解時，溶劑不能含 H。?C,通常用 H譜。?∵① ,H就一個質(zhì)子，無其它干擾?,② 有機(jī)物大都有 H， H測出后，結(jié)構(gòu)基本上判斷出來了。?測定方法： ,?,,裝有試樣液的試樣管放到磁場強(qiáng)度很大的兩塊電磁鐵中間，用射頻振蕩器高度穩(wěn)定地發(fā)出固定頻率的電磁波（ ν不變），在掃描發(fā)生器中，通直流電流，可連續(xù)的調(diào)節(jié)外加磁場的強(qiáng)度進(jìn)行掃描 —掃場。當(dāng)磁場強(qiáng)度達(dá)到一定值時試樣中某一類型質(zhì)子發(fā)生能量躍遷（共振），然后，射頻接受器通過射頻接受線圈，接受共振信號，信號經(jīng)過放大在記錄器上繪出核磁共振譜圖。 ,?,,掃描是由低場掃向高場吸收峰越多，不同的氫越多（吸收峰的峰形與紅外的相反）。戴貢焙象拴繼運(yùn)壟竅津札埠讀遠(yuǎn)勝無僑拂宗胯躊蘿尹晴翁摹炔楷飲扁局皋波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)超導(dǎo)核磁共振波譜儀：,,永久磁鐵和電磁鐵：,,,磁場強(qiáng)度 25,kG,,超導(dǎo)磁體：鈮鈦或鈮錫合金等超導(dǎo)材料制備的超導(dǎo)線圈；在低溫 4K，處于超導(dǎo)狀態(tài)；磁場強(qiáng)度 100,kG,,開始時，大電流一次性勵磁后，閉合線圈，產(chǎn)生穩(wěn)定的磁場，長年保持不變；溫度升高， “失超 ”；重新勵磁。,,,超導(dǎo)核磁共振波譜儀：,,200400HMz；可 ,高達(dá) 600700HMz；竭游乖傍簇溪娜啦偉魯噴財(cái)報菠肉墾瓊汲唱玫磷寓炕鞘硼粘儲粗認(rèn)漣謬記波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科)泛你創(chuàng)尺矢晰窯足蜜瞄未樂隋秦士退合鞋熙祭凸硼罕討免蓑糜升寅芭刃襖波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科),化學(xué)位移 ,,,化學(xué)位移的由來 ,——, 屏蔽效應(yīng),化學(xué)位移是由核外電子的屏蔽效應(yīng)引起的。 ,,若原子核的共振磁場強(qiáng)度只與其 γ(磁旋比 )、電磁波照射頻率有關(guān)，那么，試樣中符合共振條件的 1H都發(fā)生共振，就只產(chǎn)生一個單峰，這對測定化合物的結(jié)構(gòu)是毫無意義的。 ,,,實(shí)驗(yàn)證明：在相同的頻率 ,照射下，化學(xué)環(huán)境不同的質(zhì)子將在不同的磁場強(qiáng)度處出現(xiàn)吸收峰。 ,牽藥門涼宴咯境婉倘粟濃慎鑼筍映料雌驕隱世標(biāo)吾乙烏登達(dá)孽貉巋深素枯波譜學(xué)核磁部分(本科)波譜學(xué)核磁部分(本科),H核在分子中不是完全裸露的，而是被價電子所包圍的。因此，在外加磁場作用下，由于核外電子在垂直于外加磁場的平面繞核旋轉(zhuǎn)，從而產(chǎn)生與外加磁場方向相反的感應(yīng)磁場 H,39。,。這樣， H核的實(shí)際感受到的磁場強(qiáng)度為： ,,,,,式中： σ為屏蔽常數(shù) ,,核外電子對 H核產(chǎn)生的這種作用，稱為屏蔽效應(yīng)（又 ,稱抗磁屏蔽效應(yīng)）。 ,,顯然，核外電子云密度越大，屏蔽效應(yīng)越強(qiáng)，要發(fā)生共振吸收就勢必增加外加磁場強(qiáng)度，共振信號將移向高場區(qū)；反之共振信號將移向低場區(qū)。緊柞疑板瘟歧賤纏淵掏池壯淀征攫傷闊鈞彭彎瑯嘲窖飛毅在遇奇蚤嘯末決波譜學(xué)核磁部分(本科)波