zhaoxiuke電容設(shè)計-文庫吧
2025-01-03 03:04 本頁面
【正文】 容量標注在外殼上 ，測試條件為 25?C， 1μF 測試頻率為120Hz， 1μF C1nF 測試頻率為 1kHz 7 電容器介質(zhì)中的電場強度大于它的允許電場強度，這是絕緣介質(zhì)中的電子被拉出來，產(chǎn)生雪崩效應(yīng)，引起介質(zhì)擊穿。額定電壓一般比擊穿電壓低 。 高電壓定額的電容需要更厚的介質(zhì)，比低電壓體積大。 額定直流電壓 ：電容兩極能施加的最高直流電壓。 額定交流電壓 ：受損耗限制，一般比直流電壓低得多。并隨頻率增加允許交流電壓降低。 例如 ：某電容直流額額定電壓為 600V，而 50Hz交流額定電壓為 30V。某電容 50Hz交流額定電壓為400V，而在 400HZ應(yīng)用，額定電壓降低為 240V等。 通常選擇電容額定電壓不得小于電容所承受電路最高電壓的 125%。 8 3. ESR、 ESL和損耗系數(shù) 電容等效電路： C， ESR， ESL和 RS ESR： 引線、焊接和介質(zhì)極化損耗。介質(zhì)損耗與溫度和頻率有關(guān)。 ESL：引線、電容極板結(jié)構(gòu)有關(guān)。 RS：泄漏電阻，一般很大 損耗系數(shù)：容量 1?F，用 120Hz； 1?F ，用 1kHz。 C（ ?F） ， DF（％） 10000100010000t a n CRCRDF E SRE SR ??? ???E SRE SL RLjCjZ ??? ??19 各種電容引線結(jié)構(gòu)典型 ESL ? SMT元件典型值在 2~8nH。徑向引線型電容在 10nH～ 30nH，螺旋端子電容20~50nH，軸向引線型低于 200nH。出頭位置和固有電感， 10 4. 紋波電流和 dv/dt定額 電容溫升是 ESR損耗引起的。為了保證電容的壽命 ,電容規(guī)定了允許紋波電流值，而有些電容規(guī)定了電壓變化率，即 dV/dt,一般用 V/μs表示。決定此電容脈沖電流 (CdV/dt)能力。 電容損耗： E S RRIP 2?I－ 紋波電流有效值（ A） 。 PRTTT tham ????絕緣介質(zhì) 決定了最高溫度 Tm，環(huán)境溫度 Ta決定溫升ΔT。而電容器的 體積 決定了散熱面積，即決定了熱阻，因此給定電容的允許損耗也就確定了。不同電容的 ESR不同，各種電容允許的穩(wěn)態(tài)電流有效值也不同。 超過電容的溫升，將引起電容壽命大大縮短或爆裂。 11 三、 電容類型和應(yīng)用場合 極性電容－電解電容－ 鋁電解，鉭電解和鈮電解電容 1. 鋁電解電容 －一般電解電容指鋁電解電容 結(jié)構(gòu) ： 純鋁陽極電極板一面電極，一面陽極化生成氧化鋁介質(zhì)，為了增加面積，增加電容量極板氧化成多孔結(jié)構(gòu)。電解液與陰極電氣
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