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正文內(nèi)容

微機原理與接口技術(shù)課程設(shè)計-文庫吧

2025-01-01 15:31 本頁面


【正文】 可讀出一個存儲字。不同的機器存儲字長也不同,為了滿足字符處理的需要,常用8位二進制數(shù)表示一個字節(jié),因此存儲字長都取8的倍數(shù)。通常計算機系統(tǒng)既可按字尋址,也可按字節(jié)尋址。例如IBM370機其字長為32位,它可按字節(jié)尋址,即它的每一個存儲字包含4個可獨立尋址的字節(jié),其地址分配如下圖 (a)所示。字地址是用該字高位字節(jié)的地址來表示,故其字地址是4的整數(shù)倍,正好用地址碼的末兩位來區(qū)分同一字的4個字節(jié)的位置。但對PDP-11機而言,其字地址是2的整數(shù)倍,它用低位字節(jié)的地址來表示字地址,如下圖(b)所示。  如上圖(a)所示,對24位地址線的主存而言,按字節(jié)尋址的范圍是16MB,按字尋址的范圍為4MB。如上圖(b)所示,對24位地址線而言,按字節(jié)尋址的范圍仍為16MB,但按字尋址的范圍為8MB。 主存的技術(shù)指標主存的主要技術(shù)指標是存儲容量和存儲速度。存儲容量:是指主存能存放二進制代碼的總數(shù),即:存儲容量=存儲單元個數(shù)存儲字長它的容量也可用字節(jié)總數(shù)來表示,即:存儲容量=存儲單元個數(shù)存儲字長/8存儲速度:存儲速度是由存取時間和存取周期來表示的。存取時間:又叫存儲器的訪問時間(Memory Access Time),它是指啟動一次存儲器操作(讀或?qū)?到完成該操作所需的全部時間。存取時間分讀出時間和寫入時間兩種。讀出時間是從存儲器接收到有效地址開始,到產(chǎn)生有效輸出所需的全部時間。寫入時間是從存儲器接收到有效地址開始,到數(shù)據(jù)寫入被選中單元為止所需的全部時間。存取周期:(Memory Cycle Time)是指存儲器進行連續(xù)兩次獨立的存儲器操作(如連續(xù)兩次讀操作)所需的最小間隔時間,通常存取周期大于存取時間。  現(xiàn)代MOS型存儲器的存取周期可達100ns;雙極型TTL存儲器的存取周期接近10ns?! ∨c存取周期密切相關(guān)的指標叫存儲器的帶寬,它表示每秒從存儲器進出信息的最大數(shù)量,單位可用字/秒或字節(jié)/秒或位/秒表示。如存取周期為500ns,每個存取周期可訪問16位,則它的帶寬為32M位/秒。  存儲器的帶寬決定了以存儲器為中心的機器可以獲得的信息傳輸速度,它是改善機器瓶頸的一個關(guān)鍵因素。為了提高存儲器的帶寬,可以采用以下措施:縮短存取周期;增加存儲字長,使每個周期訪問更多的二進制位;增加存儲體。2. 存儲器的分類隨著計算機系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的發(fā)展和微電子技術(shù)的進步,存儲器的種類也越來越多,可以按照多種方法對其進行分類,如按存儲介質(zhì)。按存取方式或按他們在計算機中的作用來劃分。 按存儲介質(zhì)分類 半導(dǎo)體存儲器存儲元件由半導(dǎo)體器件組成的叫半導(dǎo)體存儲器。其優(yōu)點是體積小、功耗低、存取時間短。其缺點是當電源消失時,所存信息也隨即丟失,是一種易失性存儲器?! “雽?dǎo)體存儲器又可按其材料的不同, 分為雙極型(TTL)半導(dǎo)體存儲器和MOS半導(dǎo)體存儲器兩種。 前者具有高速的特點,而后者具有高集成度的特點,并且制造簡單、成本低廉, 功耗小、故MOS半導(dǎo)體存儲器被廣泛應(yīng)用。 磁表面存儲器磁表面存儲器是在金屬或塑料基體的表面上涂一層磁性材料作為記錄介質(zhì),工作時磁層隨載磁體高速運轉(zhuǎn),用磁頭在磁層上進行讀寫操作,故稱為磁表面存儲器?!?由于用具有矩形磁滯回線特性的材料作磁表面物質(zhì),它們按其剩磁狀態(tài)的不同而區(qū)分“0”或“1”,而且剩磁狀態(tài)不會輕易丟失,故這類存儲器具有非易失性的特點。 光盤存儲器光盤存儲器是應(yīng)用激光在記錄介質(zhì)(磁光材料)上進行讀寫的存儲器,具有非易失性的特點。光盤記錄密度高、耐用性好、可靠性高和可互換性強等。 按存取方式分類  按存取方式可把存儲器分為隨機存儲器、只讀存儲器、順序存儲器和直接存取存儲器四類。 隨機存儲器RAM(Random Access Memory)RAM是一種可讀寫存儲器, 其特點是存儲器的任何一個存儲單元的內(nèi)容都可以隨機存取,而且存取時間與存儲單元的物理位置無關(guān)。計算機系統(tǒng)中的主存都采用這種隨機存儲器。由于存儲信息原理的不同, RAM又分為靜態(tài)RAM (以觸發(fā)器原理寄存信息)和動態(tài)RAM(以電容充放電原理寄存信息)。DDR RAM(DateRate RAM)也稱作DDR SDRAM,這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的,不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù),這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存,而且它有著成本優(yōu)勢,事實上擊敗了Intel的另外一種內(nèi)存標準-Rambus DRAM。在很多高端的顯卡上,也配備了高速DDR RAM來提高帶寬,這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 只讀存儲器ROM(Read only Memory)只讀存儲器是能對其存儲的內(nèi)容讀出,而不能對其重新寫入的存儲器。這種存儲器一旦存入了原始信息后,在程序執(zhí)行過程中,只能將內(nèi)部信息讀出,而不能隨意重新寫入新的信息去改變原始信息。只讀存儲器分為掩膜型只讀存
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