【正文】 ， V2V1，電路屬于升壓式。 電路的狀態(tài)方程由圖3可知，等效電路與開關(guān)Q的狀態(tài)有關(guān)，所以Sepic斬波電路可分為Q通態(tài)和Q斷態(tài)兩個狀態(tài)來分析。1）當Q處于通態(tài)，系統(tǒng)的微分方程組如下所示 （10）2）當Q處于斷態(tài)，系統(tǒng)的微分方程組如下所示 （11）3）當Q處于斷態(tài)時，充在電感L1上的電荷對電容C1放電，充在電感L2上的電荷通過二極管D對負載放電，即此過程有可能會出現(xiàn)電感電流的斷續(xù)。由于電感L1直接與電源相連，故一般來說L1的電流不會出現(xiàn)斷續(xù)現(xiàn)象，下面主要討論電感L2出現(xiàn)斷續(xù)后，微分方程組的變化。電感L2斷續(xù)后，即，此時微分方程組如下所示： （12）設(shè)，，將其代入式11，合并后如下：（13）其中，u=1表示Q處于導(dǎo)通狀態(tài)，u=0表示Q處于關(guān)斷狀態(tài)。此外，u=0同時令，即表示Q關(guān)斷時電感L2的電流出現(xiàn)斷續(xù)時的狀態(tài)。2 Sepic電路各元件的參數(shù)選擇 Sepic電路參數(shù)初值 題目中給定，輸入電壓V1=20－40V，輸出電壓V2=26V，負載電流I0=0 ~ 1A，開關(guān)管Q的控制端的信號頻率F=50kHZ，即周期T=2*105s。為了簡化電路計算，更好地描述電路運行狀態(tài)，現(xiàn)作如下假設(shè)：（1）電源電壓為40V時為最差狀態(tài)。（2）電路能達到滿載電流1A。（3）忽略開關(guān)管的正向?qū)▔航岛投O管的正向壓降。（4）忽略線路電阻和電磁振蕩所造成的能量損耗。 電路各元件的參數(shù)確定 負載電阻RL的確定負載電阻RL按式14確定 （14） 求得負載電阻RL=26Ω. 電感LL2的確定SPEIC使用兩個電感L1和L2，這兩個電感可以繞在同一個磁芯上，因為在整個開關(guān)周期內(nèi)加在它們上面的電壓是一樣的。使用耦合電感比起使用兩個獨立的電感可以節(jié)省PCB的空間并且可以降低成本。確定電感的一個好規(guī)則就是，在最小輸入電壓下，使得紋波電流峰峰值大約等于最大輸入電流的40%。在數(shù)值相同的電感L1和L2中流動的紋波電流由下面公式算出:電感由15式求得 （15）f為開關(guān)頻率，αmax是最小Vin時的占空比。維持電感發(fā)揮作用的電感峰值電流還沒有飽和，可由下式計算∶如果L1和L2繞在同一個磁芯上，因為互感作用上式中的電感值就可用2L代替。電感值可這樣計算∶ 儲能電容C1的確定儲能電容C1的選擇主要看RMS電流（有效電流），可由下式得出∶SEPIC電容必須能夠承受跟輸出功率有關(guān)的有效電流。這種特性使SEPIC特別適用于流過電容的有效電流（跟電容技術(shù)有關(guān)）相對較小的小功率應(yīng)用。SEPIC電容的電壓額定值必須大于最大輸入電壓。C1的紋波電壓的峰峰值可以這樣計算∶ （16）取==。滿足需要的有效電流的電容在C1上一般不會產(chǎn)生太大的紋波電壓，因此峰值電壓通常接近輸入電壓。 濾波電容C2的確定在SEPIC中，當電源開關(guān)Q1打開時，電感充電，輸出電流由輸出電容提供。因此輸出電容會出現(xiàn)很大的紋波電流。選定的輸出電容必須能夠提供最大的有效電流。輸出電容上的有效電流是∶圖輸出紋波電壓ESR、ESL和大容量的輸出電容直接控制輸出紋波。如圖4所示，假設(shè)一半紋波跟ESR有關(guān)，另外一半跟容量有關(guān)，因此 (17)輸出電容必須滿足有效電流、ESR和容量的需求。取紋波電壓為2%的輸出電壓選擇能夠承受峰值電流和反向電壓的二極體。在SPEIC中，二極體的峰值電流跟開關(guān)的峰值電流IQ1peak相同。二極體必須承受的最小反向峰值電壓是∶VRD1=Vin+Vout=66V （18）跟升壓轉(zhuǎn)換器相似，二極體的平均電流跟輸出電流相同。二極體的功耗等于輸出電流乘以二極體的正向壓降。為了提高效率建議使用肖特基二極體。最小閾值電壓Vth（min）、導(dǎo)通電阻RDS(ON)、柵漏電荷QGD和最大漏源電壓VDS（max）是選擇MOSFET的關(guān)鍵參數(shù)。邏輯電平或子邏輯電平閾值MOSFET應(yīng)該根據(jù)柵極電壓使用。峰值開關(guān)電壓等于Vin＋Vout。峰值開關(guān)電流由下式計算∶ (19)流過開關(guān)的RMS電流由下式給出∶ (20)MOSFET的散耗功率PQ1大概是∶ (21) PQ1，MOSFET總的功耗包括導(dǎo)通損耗（上式第一項）和開關(guān)損耗（上式第二項）。IGATE為柵極驅(qū)動電流。RDS(ON)值應(yīng)該選最大工作結(jié)溫時的值，一般在MOSFET資料手冊中給出。要確保導(dǎo)通損耗加上開關(guān)損耗不會超過封裝的額定值或者超過散熱設(shè)備的極限。 編程計算所需參數(shù)在下面編程計算過程中，所需的電路參數(shù)如表1所示：表Sepic斬波電路各元