有機(jī)化合物光譜解析 第四章 質(zhì)譜-文庫吧
2025-01-01 00:06 本頁面
【正文】 質(zhì)荷比最大的離子與其它碎片離子之間的質(zhì)量差是否合理 （四） 提高分子離子峰相對(duì)豐度的方法 1，化學(xué)電離法（ CI）： 優(yōu)點(diǎn)：即使對(duì)于不穩(wěn)定的有機(jī)化合物，也可得到相對(duì)豐度較大的準(zhǔn)分子離子峰。 缺點(diǎn)：碎片離子峰較少。 2，場致電離法（ FI） : 優(yōu)點(diǎn)：分子離子峰的相對(duì)豐度較大，圖譜簡單。 缺點(diǎn)：碎片離子峰較少。 3，場解吸電離法（ FD） : 優(yōu)點(diǎn)：分子離子峰的相對(duì)豐度較場致電離法產(chǎn)生的還要大。特別適合于難氣化和熱不穩(wěn)定的化合物如有機(jī)酸、甾體、氨基酸、肽和核苷酸、糖苷類、生物堿、抗生素、農(nóng)藥及其代謝產(chǎn)物。 缺點(diǎn)：碎片離子峰較少。相對(duì)于 FAB, 只有正離子質(zhì)譜。 4，快速原子轟擊法（ FAB） 優(yōu)點(diǎn)： 分子離子峰 的相對(duì)豐度較大，碎片離子較多，且正、負(fù)離子譜均可測定。 5，電噴霧質(zhì)譜（ ESI)： 優(yōu)點(diǎn)：簡單明了，一般一級(jí)譜只給出準(zhǔn)分子離子峰。 缺點(diǎn)：往往給出倍數(shù)峰。 二、同位素離子 三、碎片離子 (二 ) ?開裂和 ?開裂 ?開裂 : ?鍵的 開裂 ?開裂 : ?鍵的 開裂 (四 ) 影響離子開裂的因素及碎片離子峰的相對(duì)豐度 影響離子開裂的主要因素有 : 1. 化學(xué)鍵的相對(duì)強(qiáng)度 鍵能小的共價(jià)鍵優(yōu)先開裂 : CH CBr CH CC ?開裂時(shí)大的基團(tuán)容易失去 2. 碎片離子的穩(wěn)定性 生成相對(duì)穩(wěn)定的碎片離子的開裂是優(yōu)勢開裂 （ 1）有 ?電子 的化合物，較易生成相對(duì)穩(wěn)定的碎片離子。 （ 2）有雜原子的化合物，也易生成相對(duì)穩(wěn)定的碎片離子。 （ 3）
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