《石英晶體微天平q》ppt課件-文庫吧
2024-12-31 05:41 本頁面
【正文】 氧化還原過程離子和溶劑在聚合物膜中的傳輸 2 高分子膜及金屬電沉積 3 溶解動力學研究 4 L o g o Company Logo 金電極上單分子層氧的吸附機理研究 — 循環(huán)伏安法 L o g o Company Logo 從 CV 圖可以看出 , 向正電位方向掃描時 , 金電極在 0. 9～ 1. 1V 處出現(xiàn)一個氧化峰 , 標志著氧化態(tài)金的形成 , 一般認為是形成了二價的 A uO 返掃時 , 在 0. 5V 出現(xiàn)一個還原峰 , 標志著氧化態(tài)金被還原 從相應的頻率 電位圖來看 , 當電位從 0掃向0. 8V 時 , 頻率下降表示電極上質(zhì)量增加 相應的 CV圖上這一電位段卻非常平坦 , 基本上看不出電流響應 , 沒有氧化峰出現(xiàn) , 通過分析這段的質(zhì)量增加可歸因于溶液中陰離子的吸附 金電極上單分子層氧的吸附機理研究 圖 A u 晶振電極在 pH= 6. 1的磷酸緩沖液中掃描的 CV 圖和 EQCM 頻率響應圖 L o g o Company Logo 金電極上單分子層氧的吸附機理研究 當電位超過 0. 9V 時 , 頻率下降的幅度增加 , 一直持續(xù)到1. 3V , 對應著氧化態(tài)金的形成 根據(jù)文獻 , 金的氧化過程為 : A uA x H2O + A u — A uAA uOH (1 γ) ( x – 1) H2O + H+ + γe A uOH — A uO + H+ + e 式中 A 代表吸附于電極表面的酸根陰離子 , 這個過程幾乎不應有大的質(zhì)量變化 , 但由于 A uO 在電場作用下會發(fā)生金 氧原子的位置交換反應 , 即 A uO — OA u OA u + H2Oaq — OA u (H2O ) ads 氧原子向金屬內(nèi)部嵌入 , 而交換到表面的金原子又可再吸附到水分子 , 所以△ m 可能是由此引起的，在返掃過程中 , 當電位低于 0. 5V , 出現(xiàn)大幅度質(zhì)量下降 , 對應著氧化態(tài)金被還原。 圖 A u 晶振電極在 pH= 6. 1的磷酸緩沖液中掃描的 CV 圖和 EQCM 頻率響應圖 L o g o Company Logo 應用于電化學 金電極上單分子層氧的吸附機理研究 1 氧化還原過程離子和溶劑在聚合物膜中的傳輸 2 高分子膜及金屬電沉積和膜的生長 3 溶解動力學研究 4 L o g o Company Logo 溶劑中離子在聚合物膜中的傳輸 舉例： 用微量注射器吸取 PFDMS的 THF溶液 (2mg／2mL)4μL，滴加在石英振蕩片金膜表面上，紅外燈下加熱干燥后成膜，冷卻至室溫后測量，膜內(nèi)二茂鐵的物質(zhì)量為 1． 65 X 108mol 采用電化學石英晶體微天平 (EQCM)測量了金電極表面上聚二茂鐵二甲基硅烷 (PFDMS)膜在水、甲醇、乙醇和丙酮等溶液中循環(huán)伏安 (CV)過程中的質(zhì)量變化 .分析在 PFDMS膜的氧化還原過程中伴有電解質(zhì)陰離子向膜內(nèi)擴散
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