【正文】 （ 2）主要技術(shù)參數(shù) （ 噴涂顯影）顯影溫度、顯影時(shí)間、顯影液劑量、清洗、排風(fēng)、 Wafer吸盤穩(wěn)定性。 HMDS預(yù)處理系統(tǒng)（ 1）原理： 通過(guò)對(duì)烘箱 HMDS預(yù)處理過(guò)程的工作溫度、處理時(shí)間、處理時(shí)保持時(shí)間等參數(shù)可以在硅片、基片表面均勻涂布一層 HMDS，降低了HMDS處理后的硅片接觸角，降低了光刻膠的用量，提高光刻膠與硅片的黏附性。（ 2）主要技術(shù)參數(shù)真空度、加熱方式、溫度、時(shí)間、流量等（ 3）檢測(cè)儀器：溫硅烘烤箱（ 電熱恒溫鼓風(fēng)干燥箱）（ 1）原理：工作時(shí)空氣由箱底進(jìn)氣孔流進(jìn)，經(jīng)發(fā)熱絲加熱再經(jīng)鼓風(fēng)裝置流入工作室，再由箱頂排氣孔排出。（ 2）主要性能指標(biāo)溫度范圍 、 溫度波動(dòng)度 、 溫度均勻度（ 3）檢測(cè)儀器：溫硅甩干機(jī)（ 1）原理 :一般包含以下三個(gè)環(huán)節(jié)低速旋轉(zhuǎn)熱水噴淋沖洗 高速度離心甩干氮?dú)饧訜岷娓桑?2）主要技術(shù)參數(shù)旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)時(shí)間氮?dú)饬髁克髁考訜釡囟鹊?原子力顯微鏡 （臺(tái)階儀）（ 1）原理： 將一個(gè)對(duì)微弱力極敏感的微懸臂一端固定，另一端有一微小的針尖 ， 針尖與樣品表面輕輕接觸，由于針尖尖端原子與樣品表面原子間存在極微弱的排斥力，通過(guò)在掃描時(shí)控制這種力的恒定，帶有針尖的微懸臂將對(duì)應(yīng)于針尖與樣品表面原子間作用力的等位面而在垂直于樣品的表面方向起伏運(yùn)動(dòng)。利用光學(xué)檢測(cè)法或隧道電流檢測(cè)法，可測(cè)得微懸臂對(duì)應(yīng)于掃描各點(diǎn)的位置變化，從而可以獲得樣品表面形貌的信息。（ 2）功用： 原子力顯微鏡是一種可用來(lái)研究包括絕緣體在內(nèi)的固體材料表面結(jié)構(gòu)的分析結(jié)構(gòu)信息。儀器，研究物質(zhì)的表面結(jié)構(gòu)及性質(zhì)，以納米級(jí)分辨率獲得表面（測(cè)膠厚、臺(tái)階高度等）（ 3）主要技術(shù)參數(shù) Discoverer掃描范圍： 1μm， 7μm達(dá)原子分辨率 樣品尺寸： 151515mm Explore掃描范圍： 2um， 130μ， 亞微米分辨率 四、其他光刻膠 光刻膠（ PR）也叫光致抗蝕劑，受到光照后其特性會(huì)發(fā)生改變。可用來(lái)將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上，也可作為后序工藝時(shí)的保護(hù)膜。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分，正膠經(jīng)過(guò)曝光后，受到光照的部分會(huì)變得容易溶解，經(jīng)過(guò)顯影處理之后被溶解，只留下光未照射的部分形成圖形；而負(fù)膠和正膠恰恰相反。光刻膠組成（ 1）感光劑，感光劑是光刻膠的核心部分，曝光時(shí)間、光源所發(fā)射光線的強(qiáng)度都根據(jù)感光劑的特性選擇決定的；（ 2） 增感劑， 感光劑的感光速度都較慢，生產(chǎn)上效率太低，因此向光刻膠中添加了提高感光速度的增感劑；（ 3）聚合樹(shù)脂，聚合樹(shù)脂用來(lái)將其它材料聚合在一起的粘合劑，光刻膠的粘附性、膠膜厚度等都是樹(shù)脂給的；（ 4）溶劑，感光劑和增感劑都是固態(tài)物質(zhì)，為了方便均勻的涂覆，要將它們加入溶劑進(jìn)行溶解，形成液態(tài)物質(zhì)光刻膠的物理特性（ 1）分辨率，是指光刻膠可再現(xiàn)圖形的最小尺寸；（ 2）對(duì)比度，是指光刻膠對(duì)光照區(qū)與非光照區(qū)間的過(guò)渡；（ 3）靈敏度，是光刻膠要形成良好的圖形所需入射光的最低能量；（ 4）粘滯性，與時(shí)間有關(guān)，光刻膠中的溶劑揮發(fā)會(huì)使粘滯性增加；（ 5）粘附性，粘附性是指光刻膠與基片之間的粘著強(qiáng)度；（ 6）抗蝕性，化學(xué)穩(wěn)定性一定要很高，能抵抗各種腐蝕。光刻掩模板 掩膜版質(zhì)量的優(yōu)劣直接影響光刻圖形的質(zhì)量。在 IC制造中需要經(jīng)過(guò)多次光刻，每次光刻都需要一塊掩膜版，每塊掩膜版都會(huì)影響光刻質(zhì)量，光刻次數(shù)越多，成品率就越低。所以，要有高的成品率，就必須制作出品質(zhì)優(yōu)良的掩膜版，而且一套掩膜版中的各快掩膜版之間要能夠相互精確的套準(zhǔn)。掩膜版的質(zhì)量要求（ 1）圖形尺寸要精確，間距符合要求，而且不能發(fā)生畸變；（ 2）各塊掩膜版間要能夠精確地套準(zhǔn)，對(duì)準(zhǔn)誤差盡可能??；（ 3）圖形邊緣清晰，過(guò)渡小，無(wú)毛刺，透光區(qū)與遮光區(qū)的反差要大；（ 4）掩膜版的表面光潔度要達(dá)到一定的要求，無(wú)劃痕、針孔、小島等缺陷，掩膜版還要堅(jiān)固耐磨、不易變形。 HMDS中文名： 六甲基二硅胺烷英文名： Hexamethyldisilazane分子式： （ CH3） 6Si2NH分子量： 性狀： 無(wú)色透明液體 ,易燃。用途： 用于增加光刻膠與基板的粘附性。正膠顯影液化學(xué)品中文名稱：四甲基氫氧化銨 化學(xué)品英文名稱：Tetramethylammonium hydroxide solution 成分 /組成信息 ： 純品有害物成分 濃度 CAS No.四甲基氫氧化銨 % 75592理 化 特 性 外觀與性狀：無(wú)色透明液體，有強(qiáng)烈刺激性臭味 熔點(diǎn) (℃) ：無(wú)資料 相對(duì)密度 (水 =1)： 沸點(diǎn) (℃) ： 102 相對(duì)蒸氣密度 (空氣 =1)：無(wú)資料 飽和蒸氣壓（ kPa）：無(wú)資料 燃燒熱 (Kj/mol)：無(wú)資料 臨界溫度 (℃) ：無(wú)資料 臨界壓力 (MPa)：無(wú)資料 辛醇 /水分配系數(shù)：無(wú)資料 PH： 1113 閃點(diǎn) (℃) ：無(wú)資料 爆炸上限 [%(V/V)]：無(wú)資料 引燃溫度 (℃) ：無(wú)資料 爆炸下限 [%(V/V)]：無(wú)資料 溶解性：溶于水、醇 主要用途：用于電子工業(yè)堿性清洗劑邊膠清洗劑化學(xué)品中文名稱：邊膠清洗劑 化學(xué)品英文名稱： Edge Bead Remover(EBR) 成分 /組成信息 ： 純品有害物成分 濃度 CAS No.丙二醇單甲醚 70% 107982丙二醇單甲醚醋酸酯 30% 180656理 化 特 性 外觀與性狀：無(wú)色透明液體，有果子香味辛醇 /水分配系數(shù)：無(wú)資料 PH：無(wú)資料 熔點(diǎn) (℃) ：無(wú)資料 相對(duì)密度 (水 =1)：無(wú)資料 沸點(diǎn) (℃) ：無(wú)資料 相對(duì)蒸氣密度 (空氣 =1)： 無(wú)資料 飽和蒸氣壓（ kPa）：無(wú)資料 燃燒熱 (Kj/mol)：無(wú)資料 臨界溫度 (℃) ：無(wú)資料 臨界壓力 (MPa)：無(wú)資料 閃點(diǎn) (℃) ：無(wú)資料 爆炸上限 [%(V/V)]： 無(wú)資料 引燃溫度 (℃) ： 無(wú)資料 爆炸下限 [%(V/V)]：無(wú)資料 溶解性：溶于水，溶于醇、醚等多數(shù)有機(jī)溶劑。 主要用途：用于電子工業(yè)光刻膠的洗邊劑 清洗工藝介紹一、清洗概述二、常用濕法清洗（腐蝕）方法三、濕法清洗設(shè)備四、超聲波清洗機(jī)五、等離子清洗機(jī)六、常用化學(xué)品理化特性一、清洗概述 什么是清洗 在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下，有效地使用化學(xué)溶液或氣體清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子及有機(jī)物之雜質(zhì)。 清洗工藝的選擇 ，應(yīng)根據(jù)晶圓表面污染（顆粒、有機(jī)物、金屬污染物、原生氧化物及化學(xué)氧化物）情況決定。 清洗的一般思路 是首先去除表面的有機(jī)沾污；然后溶解氧化層 (因?yàn)檠趸瘜邮?“ 沾污陷阱 ” ，也會(huì)引入外延缺陷 )；最后再去除顆粒、金屬沾污，同時(shí)使表面鈍化。清洗的方法（ 1）濕法清洗RCA清洗法 、 稀釋化學(xué)法、 IMEC清洗法（ 2）干法清洗熱氧化法、 等離子清洗法清洗設(shè)備 清洗工藝的多樣性，決定了的清洗機(jī)類型的多樣性。清洗機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心思想是清洗工藝模塊化設(shè)計(jì)。 加熱酸槽和快排快沖（ QDR）是清洗工藝模塊中，最重要的兩個(gè)模塊，在大多清洗工藝中，這兩個(gè)模塊的性能直接決定最終的清洗效果二、常用濕法清洗（腐蝕）方法鹽酸 3638%5~10minITO腐蝕丙酮 % 5分鐘左右 去光刻膠剝離液 20%以上 80 ℃ 、 5分鐘左右 去膠（ HMDS)三、濕法清洗設(shè)備超聲清洗噴霧清洗刷洗器溢流清洗排空清洗硅片甩干四、超聲波清洗機(jī)（