微細(xì)加工12物理淀積-文庫吧
2024-12-30 00:19 本頁面
【正文】 e ，則凈蒸發(fā)速率近似地就是 Rn 。 ? ?n n e1 02R J p pk T m?? ? ? ?式中， 為粘著系數(shù)， As 為蒸發(fā)源表面積， t 為蒸發(fā)時(shí)間。再 膜厚及其均勻性 點(diǎn)蒸發(fā)源 硅片 面積元 dAr D x r ? 由蒸發(fā)源蒸發(fā)出來的材料總質(zhì)量為 M = RMEAst ，通過立體角元 淀積到硅片上面積元 dAr 上的材料質(zhì)量為 dM，則 d??M L sddd44M M R A t?? ??????將立體角元 rr2 2 2 3 2c o s ddd()A D Ar D x?? ? ??代入上式，得： M E sr2 2 3 2dd4 ( )R A t DMAxD???? ? 設(shè)薄膜密度為 ，硅片架為平板型，則薄膜厚度 W 為 ?rd()dMWxA??ME2( 0) 4sR A tWD????顯然，中心處的膜最厚， 為改進(jìn)膜厚的均勻性，可將硅片架改為球面型 ，并將蒸發(fā)源置于球心處 ，此時(shí)， ME24sR A tWD????D D x 0 ME s2 2 3 24 ( )R A t DxD????? ? 其特點(diǎn)是蒸汽分子在空間的分布與角度 有關(guān)，蒸汽分子在與源平面法線方向的夾角為 的立體角元 內(nèi)的幾率為 小平面蒸發(fā)源 ?c os d?? ?d?? 故淀積在面積元 dAr 上的質(zhì)量為 c osddMM ?????2M E s r2 2 2 d()DR A t ADx? ?? ?M E s r2c os c os dR A t Ar????? 當(dāng)采用球面型硅片架，并將蒸發(fā)源置于球面上時(shí)， M E s24R A tWr????r 當(dāng)采用平板型硅片架時(shí)， 2ME s2 2 2rME s2d()d ( )( 0)R A tMDWxA D xR A tWD?? ? ????? ? ??? 為了進(jìn)一步改進(jìn)膜厚的均勻性，還可將硅片架設(shè)計(jì)成按 “行星方式” 進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。 臺階覆蓋 蒸發(fā)工藝的主要缺點(diǎn)之一是臺階覆蓋性差 ， 容易導(dǎo)致金屬引線在臺階處斷開 ， 嚴(yán)重影響集成電路的可靠性和成品率 。 由于金屬化是集成電路制造過程的最后幾個(gè)步驟 ， 硅片表面的形貌高差會(huì)比較嚴(yán)重 ， 使臺階覆蓋問題變得更加重要 。 臺階覆蓋性差 臺階覆蓋性好 解決辦法 采用旋轉(zhuǎn)硅片架； 蒸發(fā)時(shí)對硅片適當(dāng)加熱； 蒸發(fā)前使硅片平坦化 。 電阻加熱（金屬絲、金屬舟等） 蒸發(fā)源加熱方式 電子束加熱 高頻感應(yīng)加熱 設(shè)備組成：蒸發(fā)源、真空室、真空系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng) 蒸發(fā)系統(tǒng) 對電阻加熱器材
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