模電溫度上下限報(bào)警器-文庫吧
2024-12-24 09:25 本頁面
【正文】 的 頻寬。最基本的運(yùn)算放大器如圖。一個(gè)運(yùn)算放大器模組一般包括一個(gè)正輸入端 Vp、一個(gè)負(fù)輸入端 Vn 和一個(gè)輸出端 Vo。Vo＝ Avo(Vp－ Vn) （ 2） 晶體三極管 晶體三極管 (Semiconductor Transistor) 利用特殊工藝將兩個(gè) PN 結(jié)結(jié)合在一起就構(gòu)成了雙極型三極管。 ：結(jié)構(gòu)特點(diǎn)： e 區(qū)摻雜濃度最高， b 區(qū)薄，摻雜濃度最底； c 區(qū)面 積最大。 分類： 構(gòu)成材料：硅管、鍺管 結(jié) 構(gòu)： PNP、 NPN 使用頻率：低頻管、高頻管 功 率：小功率管、中功率管、大功率管 （ 1）放大條件 內(nèi)部條件： e 區(qū)摻雜濃度最高， b 區(qū)薄，摻雜濃度最底； c 區(qū)面積最大。 外部條件：發(fā)射結(jié)（ e 結(jié)）加正向偏置電壓，集電結(jié)（ c 結(jié)）加反向偏置電壓。 電位條件： NPN 型： Vc＞ Vb＞ Ve ； PNP 型： Vc＜ Vb＜ Ve 電壓數(shù)值： UBE ：硅 , 鍺 UCB：幾伏 —— 十幾伏 UCE： UCE＝ UCB＋ UBE 幾伏 —— + 幾伏 （ 2）三極管內(nèi)部（ NPN 型為例） 1) 發(fā)射區(qū)不斷向基區(qū)注入多子（電子） ，形成發(fā)射極電流 IE。 2)向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散的基區(qū)多子（空穴）因數(shù)量小被忽略。這樣，到達(dá)基區(qū)的電子多數(shù)向 BC 結(jié)方向 擴(kuò) 散形成 ICN。少數(shù)與空穴復(fù)合，形成 IBN 。基區(qū)空穴來源主要來自基極電源提供 (IB)和集電區(qū)少子漂移 (ICBO)。即 IBN 187。 IB + ICBO， IB = IBN – ICBO 3)集電區(qū)收集擴(kuò)散過來的載流子形成集電極電流 I
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