[工學(xué)]第十章 直流穩(wěn)壓電源-文庫(kù)吧
2024-12-19 23:37 本頁(yè)面
【正文】 S C + – 一般取 2)53(TCRτLd ?=(T:電源電壓的周期 ) 近似估算 :Vo=。 (1) 流過(guò)二極管瞬時(shí)電流很大。 故一般選管時(shí)，取 (2) 輸出電壓 Vo與放電時(shí)間常數(shù) RLC 有關(guān)。 RLC 愈大 ? 電容器放電愈慢 ? Vo(平均值 )愈大 L o L DF R V ~ I ~ I 2 1 ) 4 3 ( 2 ) 4 3 ( = = 輸出波形隨負(fù)載電阻 RL 或 C 的變化而改變 , Vo 和 S 也隨之改變。 如 : RL 愈小 ( IL 越大 ), Vo下降多 , S 增大。 結(jié)論： 電容濾波電路適用于輸出電壓較高，負(fù)載電流較小且負(fù)載變動(dòng)不大的場(chǎng)合。 (3) 輸出特性 (外特性 ) vo 電容濾波 純電阻負(fù)載 0 IL 其他形式的濾波電路 改善濾波特性的方法： 采取多級(jí)濾波。如： LC 型濾波電路： 在電感濾波后面再接一電容。 RC–p 型濾波電路： 在電容濾波后再接一級(jí) RC濾波電路。 性能及應(yīng)用場(chǎng)合分別與電容濾波和電感濾波相似。 LC –p 型濾波電路： 在電容濾波后面再接 LC 型濾波電路。 1) 電感濾波 電路結(jié)構(gòu) : 在橋式整流電路與負(fù)載間串入一電感 L就構(gòu)成了電感濾波電路。 電感濾波電路 v2 v1 RL L vo 一、濾波原理 對(duì)直流分量 : XL=0 相當(dāng)于短路 ,電壓大部分降在 RL上。 對(duì)諧波分量 : f 越高， XL 越大 ,電壓大部分降在 XL上。 因此，在輸出端得到比較平滑的直流電壓。 Vo= 當(dāng)忽略電感線圈的直流電阻時(shí)，輸出平均電壓約為： v2 v1 RL L vo 二、電感濾波的特點(diǎn) 整流管導(dǎo)電角較大，峰值電流很小，輸出特性比較平坦，適用于低電壓大電流 (RL較小 )的場(chǎng)合。缺點(diǎn)是電感鐵芯笨重，體積大，易引起電磁干擾。 v2 v1 RL L vo vo R v2 v1 C1 C2 vo1180。 RL 2) RC–p 型濾波電路 設(shè) uo1的直流分量為 V180。O，交流分量的基波的幅值為 V180。O1m，則： vo的直流分量： oLLo U39。RRRU?=vo R v2 v1 C1 C2 vo1180。 RL uo的交流分量的基波的幅值： moCLCLmo 39。UjXRRjXRU1221 )/ / ()/ / ( ???=moLLLmoU39。CRRCRRRU122221)1()//(1?????=通常選擇濾波元件的參數(shù)使得： )//(12LRRC ???moLLLmo U39。RRCRRRU121 )//(1????moLLLmoU39。CRRCRRRU122221)1()//(1?????=uo的脈動(dòng)系數(shù) S與 uo1的脈動(dòng)系數(shù) S180。的關(guān)系： S39。RRCU39。U39。RRCUUSLomoLomo)//(1)//(12121?? =?=3) LC 型濾波電路 u2 u1 L uo C RL uo1 設(shè) uo1的直流分量為 U180。O，交流分量的基波的幅值為 U180。O1m，： UU39。U oo =?=S39。moCLLCLmo 39。UjXRjXjXRU11 )//()//( ???=moCLLCLmo 39。UjXRjXjXRU11 )//()//( ???=通常選擇濾波元件的參數(shù)使得： LRC ???1momoCLCmo U39。LCU39。jXjXjXU1211 11?=?uo的脈動(dòng)系數(shù) S與 uo1的脈動(dòng)系數(shù) S180。的關(guān)系： S39。LCU39。U39。LCUUSomoomo21211111?? =?=4) LC –p 型濾波電路 v2 v1 L vo C2 RL vo1 C1 顯然， LC –p 型濾波電路輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù)比只有 LC濾波時(shí)更小， 波形更加平滑 ；由于在輸入端接入了電容，因而較只有 LC濾波時(shí)， 提高了輸出電壓 。 請(qǐng)自行分析 LC –p 型濾波電路的輸出電壓和脈動(dòng)系數(shù)等基本參數(shù)。 負(fù)載上的電壓： + – v1 v2 + – D1 C2 C1 D2 vo RL v2的正半周時(shí)： D1導(dǎo)通， D2截止，理想情況下，電容 C1的電壓充到： 2 2 V v2的負(fù)半周時(shí)： D2導(dǎo)通， D1截止，理想情況下，電容 C2的電壓充到： 2 2 V 2 2 2 V v o = + – 22U + – 222 UC1 v1 v2 D1 D2 D3 D4 D5 D6 C3 C5 C2 C4 C6 v2的第一個(gè)正半周： v C D1構(gòu)成回路， C1充電到： 2 2 V v2的第一個(gè)負(fù)半周： u C D2 、 C1構(gòu)成回路，C2充電到： 2 2 2 V + – 22U+ – 222 U+ – 222 U+ – 222 U+ – 222 U+ – 222 UC1 u1 u2 D1 D2 D3 D4 D5 D6 C3 C5 C2 C4 C6 u2的第二個(gè)正半周： u C C3 、 D3 、 C2構(gòu)成回路， C1補(bǔ)充電荷， C3充電到： 222 Uu2的第二個(gè)負(fù)半周： u C C D C3 、 C1構(gòu)成回路， C2補(bǔ)充電荷， C4充電到： 222 U把電容接在相應(yīng)電容組的兩端，即可獲得所需的多倍壓直流輸出。 VI↑→VO↑ 電路： (1) 輸入電壓變化時(shí) (2) 負(fù)載電流變化時(shí) IL↑→IR↑→VR↑→VZ↓（ VO↓） →IZ↓→IR↓→VR↓→VO↑ →VO↓ →VR↑ →IR↑ →IZ↑ →VZ↑ 硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路 Vo IZ DZ R IL RL IR + VR + + VI 穩(wěn)壓電阻的計(jì)算 穩(wěn)壓性能與 動(dòng)態(tài)電阻 、 穩(wěn)壓電阻 R有關(guān) 穩(wěn)壓管的動(dòng)態(tài)電阻越小，穩(wěn)壓電阻 R越大 ， 穩(wěn)壓性能越好
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