補(bǔ)償密度測(cè)井儀器講課-文庫(kù)吧
2025-09-19 20:07 本頁(yè)面
【正文】 密度滑板里放入線路骨架時(shí)，手指千萬(wàn)不能伸入滑板上的圓孔。 在維修液壓推靠器時(shí)，要防止由于推靠器的自鎖故障而造成的推靠器付臂突然崩開。 密度儀器調(diào)試注意事項(xiàng) 電阻： 補(bǔ)償密度測(cè)井儀采用的電阻和高溫精密電阻 ， 要求電阻的精度在 5％ 以下 。 電阻采購(gòu)回來(lái)后 ， 進(jìn)行抽樣檢查 ， 確保精度。 電阻抽樣檢查合格后，須進(jìn)行高溫老化。把電阻放入烘箱內(nèi)加溫至 175176。 C，并且恒溫二個(gè)小時(shí)。反復(fù)兩次后再對(duì)電阻進(jìn)行抽樣檢查，保證電阻精度后方可使用。 密度儀器對(duì)電子元器件的要求 密度儀器對(duì)電子元器件的要求 電容 對(duì)膽電容要檢查其耐壓值是否適合電路要求 ， 并經(jīng)過(guò)溫度試驗(yàn)檢查其溫漂 。 要求 175176。 C時(shí)電容的容量下降幅度不超過(guò) 30％ 。 對(duì)高壓隔直電容要檢查其漏電流的大小 ，并經(jīng)過(guò)溫度試驗(yàn)檢查其溫漂和漏電流 。 要求175176。 C時(shí)電容的容量下降幅度不超過(guò) 30％ 。 密度測(cè)井儀采用的貼片電容和其它電容，須進(jìn)行高溫老化。把電容放入烘箱內(nèi)加溫至175176。 C，并且恒溫二個(gè)小時(shí)。反復(fù)兩次后方可使用。 密度儀器對(duì)探測(cè)器的要求 探測(cè)器晶體 （ NaI） 尺寸篩選 ： 密度儀器使用的晶體尺寸為 Φ22Χ50，Φ17Χ22。 外觀檢查： 正常的晶體是無(wú)色透明 ， 如果晶體發(fā)黃， 則表示晶體已經(jīng)潮解 ， 不能使用 。 另外 ， 晶體上不能有破裂或氣泡 。 高溫老化： 將 NaI晶體放入烘箱中加溫至 175176。 C， 并且恒溫二個(gè)小時(shí) 。 冷卻后觀察晶體 ， 應(yīng)該與加溫前一樣 。 晶體的高溫老化必須做兩次 。 探測(cè)器 高溫篩選閃爍探測(cè)器的方法和步驟： 高溫坪區(qū)篩選 將光電倍增管和晶體耦合好，臵于黑暗的烘箱內(nèi)，晶體附近放一顆高溫檢查源 (伽馬源 )，接好高壓線，信號(hào)線及相應(yīng)的測(cè)試設(shè)備。 在常溫下，從 1000V開始，高壓每升高 50V，記錄一組計(jì)數(shù)率，以電壓為橫坐標(biāo)，計(jì)數(shù)率為縱坐標(biāo)，畫出一條坪曲線，烘箱升溫到 175℃ 時(shí)，再測(cè)一條坪曲線。 探測(cè)器簡(jiǎn)介 在 175℃ 恒溫一小時(shí)后，再測(cè)一條坪曲線。 對(duì)比三條坪曲線，選一段重合較好，也就是高溫計(jì)數(shù)相對(duì)常溫計(jì)數(shù)變化較小的，確定出合適的工作高壓。然后再看在該高壓情況下，恒溫一小時(shí)后的計(jì)數(shù)與常溫時(shí)的計(jì)數(shù)相對(duì)變化范圍是否小于 5%，若滿足則可確定其高壓。 光電倍增管的坪寬在 150V左右。坪寬太低（低于 50V）的光電倍增管將不能使用。 密度儀器電路簡(jiǎn)介 電路簡(jiǎn)介 密度探測(cè)器 1 密度探測(cè)器 2 密度源室 密度電子線路艙 高壓電路 123412345656R?R 2 1R?R 2 3H V LH V SU5U6R?R 2 2R?R 2 4 H C T E D 0 1 J 1H C T E D 0 1 J 1H C T E D O 1 J 1H C T E D O 1 J 11 00 0 0 p C 1 91 00 0 0 p C 2 0 高壓部分采用的是 HVC175PB1202超小型電源模塊。它可帶 7M以上負(fù)載，且可開路（相當(dāng)負(fù)載為無(wú)窮大）使用。負(fù)載電阻越大，高壓輸出的紋波就越小，中子儀器高壓輸出紋波 ≤ 30mV。 高壓模塊的輸入電壓為 177。 12V， 輸出電壓最高為+2021V， 工作電流小于 30mA。 輸出電流為 250μA。 高壓模塊的輸出電壓由 2個(gè)電阻來(lái)調(diào)節(jié)，如圖，R21調(diào)節(jié)長(zhǎng)源距的輸出高壓，此電壓一般調(diào)節(jié)在1550V~1700V之間，再由 R23調(diào)節(jié)短源距高壓，此電壓一般選在 +1100V~1250V，實(shí)際工作電壓由探測(cè)器的坪曲線決定 高壓電路 儀器電路簡(jiǎn)介 前放電路 3267 1 54 8U1H A 2 5 105 10 RR21 0KR33 3KR51 00 RR61 00 RR70 .0 1uC11 0pC30 .1 uC55 .1 pC20 .1 uC40 .1 uC65 1KR1G D B L1 0KR41 2 VT P 3T P 1+ 12 VT P 1 2L H 11 7 06 8 1 2由碘化納晶體和光電倍增管組成的探測(cè)器將接收到的伽馬射線轉(zhuǎn)換成電脈沖 ， 經(jīng)電容 C1耦合到 HA2510運(yùn)算放大器 。以長(zhǎng)道電路為 HA2510的工作電壓為 DC177。 12V， 電阻 R R7，電容 C C5分別構(gòu)成濾波網(wǎng)絡(luò)對(duì)電源進(jìn)行濾波 。 電阻 R1負(fù)責(zé)收集光電倍增管來(lái)的脈沖信號(hào) ，并且產(chǎn)生壓降輸出 。 電阻 R R5和 HA2510對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大 ， 一般調(diào)整電阻 R5來(lái)實(shí)現(xiàn)所需要的放大倍數(shù) 。 密度儀器長(zhǎng)、 短道放大倍數(shù)都為 K=4。 從光電倍增管輸出的光電峰 （ 觀察點(diǎn) TP
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