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正文內(nèi)容

畢業(yè)設(shè)計(jì)-基于89c51單片機(jī)的電子時(shí)鐘設(shè)計(jì)-文庫(kù)吧

2025-05-17 14:16 本頁(yè)面


【正文】 地址。 ? P2 口: P2 口是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O, P2的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流) 4個(gè) TTL 邏輯門(mén)電路。對(duì)端口寫(xiě)“ 1”,通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時(shí)可作輸入口。作輸入口使用時(shí),因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻,某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流。 在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或 16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(例如執(zhí)行 MOVX@DPTR指令)時(shí), P2 口送出高 8位地址數(shù)據(jù)。在訪問(wèn) 8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器( MOVX @Ri 指令)時(shí), P2 口線上的內(nèi)容(也即特殊功能寄存器( SFR)區(qū)中 P2 寄存器的內(nèi)容),在整個(gè)訪問(wèn)期間不改變。 Flash 編程和程序校驗(yàn)期間, P2 亦接收低高位地址和其他控制信號(hào)。 ? P3 口: P3 口是一組帶內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O, P3的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流) 4 個(gè) TTL 邏輯門(mén)電路。對(duì) P3口寫(xiě)入“ 1”時(shí),它們被內(nèi)部的上拉電阻拉高并可作為輸入端口。作輸入端時(shí),被外部拉低的 P3 口將用上拉電阻輸出電流。 P3 口除了作為一般的 I/O 口線外,更重要的用途是它的第二功能,見(jiàn)表 31所示: P3口還接收一 些用于 Flash 閃速存儲(chǔ)器編程和程序校驗(yàn)的控制信號(hào)。 表 31 P3口的第二功能圖 端口引腳 第二功能 RXD(串行輸入口) TXD(串行輸出口) INT0(外中斷 0) INT1(外中斷 1) T0(定時(shí) /計(jì)時(shí)器 0外部輸入) T1(定時(shí) /計(jì)時(shí)器 1外部輸入) WR(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫(xiě)選通) RD(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通) 第 9 頁(yè) 共 50 頁(yè) 9 ? RST:復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時(shí), RST引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。 WDT溢出將 使引腳輸出高電平,設(shè)置 SFR AUXR 的 DISRT0(地址 8EH)可打開(kāi)或關(guān)閉該功能。 DISRT0 位缺省為 RESET 輸出高電平打開(kāi)狀態(tài)。 ? ALE/PROG:當(dāng)訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí), ALE(地址鎖存器允許)輸出脈沖用于鎖存地址的低 8位字節(jié)。即使不訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器, ALE仍以時(shí)鐘振蕩頻率的 1/6 輸出固定的正脈沖信號(hào),因此它可對(duì)外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。要注意的是:每當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將跳過(guò)一個(gè) ALE 脈沖。 對(duì) Flash 存儲(chǔ)器編程期間,該引腳還用于輸入編程脈沖( PROG)。 如有必要,可通過(guò)多特殊 功能寄存器( SFR)區(qū)中的 8EH 單元的 D0 位置,可禁止 ALE 操作。該位置后,只有一條 MOVX 和 MOVC 指令 ALE 才會(huì)被激活。另外,該引腳會(huì)被微弱拉高,單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí),應(yīng)設(shè)置 ALE 無(wú)效。 ? PSEN:程序存儲(chǔ)允許( PSEN)輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào),當(dāng)AT89C51 由外部程序存儲(chǔ)器取指令(或數(shù)據(jù))時(shí),每個(gè)機(jī)器周期兩次 PSEN 有效,即輸出兩個(gè)脈沖。當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,沒(méi)有兩次有效的 PSEN 信號(hào)。 ? EA/VPP:外部訪問(wèn)允許。欲使 CPU 僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器(地址為 0000H— FFFFH), EA 端必須 保持低電平(接地)。需要注意的是:如果加密位 LB1 被編程,復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存 EA端狀態(tài)。 如 EA 端為高電平(接 Vcc端), CPU 則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。 Flash 存儲(chǔ)器編程時(shí),該引腳加上 +12V 的變成電壓 Vpp. ? XTAL1:振蕩器反相放大器及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端。 ? XTAL2:振蕩器反相放大器的輸出端。 AT89C51 單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu) 單片機(jī)與 MCS51 完全兼容 ? 看門(mén)狗( WDT): WDT是一種需要軟件控制的復(fù)位方式。 WDT 由 13位計(jì)數(shù)器和特殊功能寄存器中的看門(mén)狗定時(shí)器復(fù)位存儲(chǔ) 器( WDTRST)構(gòu)成。 WDT 在默認(rèn)情況下無(wú)法工作;為了激活 WDT,用戶必須往 WDTRST 寄存器(地址: 0A6H)中依次寫(xiě)入 01EH 和 0E1H。當(dāng) WDT激活后,晶振工作, WDT在每個(gè)機(jī)器周期都會(huì)增加。WDT計(jì)時(shí)周期依賴(lài)于外部時(shí)鐘頻率。除了復(fù)位(硬件復(fù)位或 WDT溢出復(fù)位),沒(méi)有辦法停止 WDT工作。當(dāng) WDT溢出,它將驅(qū)動(dòng) RSR引腳輸出一個(gè)高電平。 ? 可編程串口( UART) 在 AT89C51中, UART 的操作與 AT89C51 和 AT89C52 一樣。 AT89C51系列單片機(jī)的串行通信口可以工作于同步和異步通信 方式。當(dāng)工作于異步方式時(shí),它具有全雙工的操作功能,也就是說(shuō),它可以同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)的發(fā)送和接收。串行口內(nèi)的接收器采用的是雙緩沖結(jié)構(gòu),能夠在接收到的第一個(gè)字節(jié)從接收寄存器讀走之前就開(kāi)始接收第二個(gè)字節(jié)(當(dāng)然,如果第二個(gè)字節(jié)接收完畢,第 10 頁(yè) 共 50 頁(yè) 10 而第一個(gè)字節(jié)仍然沒(méi)有被讀走,那將會(huì)丟掉一個(gè)字節(jié))。串行口的發(fā)送和接收操作都是通過(guò)特殊功能寄存器中的數(shù)據(jù)緩沖寄存器 SBUF進(jìn)行的,但在 SBUF的內(nèi)部,接收寄存器和發(fā)送寄存器在物理結(jié)構(gòu)上是完全獨(dú)立的。如果將數(shù)據(jù)寫(xiě)入 SBUF,數(shù)據(jù)會(huì)被送入發(fā)送寄存器準(zhǔn)備發(fā)送。如果執(zhí)行 SBUF指令,則讀出的數(shù)據(jù)一 定來(lái)自接收緩存器。因此, CPU對(duì) SBUF的讀寫(xiě),實(shí)際上是分別訪問(wèn) 2個(gè)不同的寄存器。這 2個(gè)寄存器的功能決不能混淆。 ? 振蕩電路: AT89C51系列單片機(jī)的內(nèi)部振蕩器,由一個(gè)單極反相器組成。XTAL1反相器的輸入, XTAL2為反相器的輸出。可以利用它內(nèi)部的振蕩器產(chǎn)生時(shí)鐘,只要 XTAL1和 XTAL2引腳上一個(gè)晶體及電容組成的并聯(lián)諧振電路,便構(gòu)成一個(gè)完整的振蕩信號(hào)發(fā)生器,此方式稱(chēng)為內(nèi)部方式。另一種方式由外部時(shí)鐘源提供一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)到 XTAL1端輸入,而 XTAL2端浮空。在組成一個(gè)單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)時(shí),多數(shù)采用這種方式,這種 方式結(jié)構(gòu)緊湊,成本低廉,可靠性高。在電路中,對(duì)電容 C1和 C2的值要求不是很?chē)?yán)格,如果使用高質(zhì)的晶振,則不管頻率為多少, C C2通常都選擇 30pF。 ? 定時(shí) /計(jì)數(shù)器: AT89C51單片機(jī)內(nèi)含有 2個(gè) 16位的定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器。當(dāng)用于定時(shí)器方式時(shí),定時(shí)器的輸入來(lái)自?xún)?nèi)部時(shí)鐘發(fā)生電路,每過(guò)一個(gè)機(jī)器周期,定時(shí)器加 1,而一個(gè)機(jī)器周期包含有 12個(gè)振蕩周期,所以,定時(shí)器的技術(shù)頻率為晶振頻率的 1/12,而計(jì)數(shù)頻率最高為晶振頻率的 1/24。為了實(shí)現(xiàn)定時(shí)和計(jì)數(shù)功能,定時(shí)器中含有 3種基本的寄存器:控制寄存器、方式寄存器和定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器。 控制寄存器是一個(gè) 8位的寄存器,用于控制定時(shí)器的工作狀態(tài),方式寄存器是一個(gè) 8位的寄存器,用于確定定時(shí)器的工作方式,定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器是 16位的計(jì)數(shù)器,分為高字節(jié)和低字節(jié)兩部分。 ? RAM:高于 7FH內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的地址是 8位的,也就是說(shuō)其地址空間只有256字節(jié),但內(nèi)部 RAM的尋址方式實(shí)際上可提供 384字節(jié)。的直接地址訪問(wèn)同一個(gè)存儲(chǔ)空間,高于 7FH的間接地址訪問(wèn)另一個(gè)存儲(chǔ)空間。這樣,雖然高 128字節(jié)區(qū)分與專(zhuān)用寄器 ,即特殊功能寄存器區(qū)的地址是重合的,但實(shí)際上它們是分開(kāi)的。究竟訪問(wèn)哪一區(qū),存是通過(guò)不同的尋址方式加以區(qū)分 的。 ? SFR: SFR是具有特殊功能的所有寄存器的集合,共含有 22個(gè)不同寄存器,它們的地址分配在 80H~ FFH中。雖然如此,不是所有的單元都被特殊功能寄存器占用,未被占用的單元,其內(nèi)容是不確定的。如對(duì)這些單元進(jìn)行讀操作,得到的是一些隨機(jī)數(shù),而寫(xiě)入則無(wú)效,所以在編程時(shí)不應(yīng)該將數(shù)據(jù)寫(xiě)入這些未確定的地址單元中,特殊功能寄存器主要有累加器 ACC、 B寄存器、程序狀態(tài)字寄存器 PSW、堆棧指針 SP、數(shù)據(jù)指針 DPTR、 I/O端口、串行口數(shù)據(jù)緩沖器 SBUF、定時(shí)器寄存器、捕捉寄存器、控制寄存器。 第 11 頁(yè) 共 50 頁(yè) 11 ? 中斷系統(tǒng): AT89C51 單片機(jī) 有 6 個(gè)中斷源,中斷系統(tǒng)主要由中斷允許寄存器 IE、中斷優(yōu)先級(jí)寄存器 IP、優(yōu)先級(jí)結(jié)構(gòu)和一些邏輯門(mén)組成。 IE寄存器用于允許或禁止中斷; IP 寄存器用于確定中斷源的優(yōu)先級(jí)別;優(yōu)先級(jí)結(jié)構(gòu)用于執(zhí)行中斷源的優(yōu)先排序;有關(guān)邏輯門(mén)用于輸入中斷請(qǐng)求信號(hào)。在整個(gè)中斷響應(yīng)過(guò)程中CPU 所執(zhí)行的操作步驟如下: ( 1)完成當(dāng)前指令的操作 ( 2)將 PC內(nèi)容壓入堆棧 ( 3)保存當(dāng)前的中斷狀態(tài) ( 4)阻止同級(jí)的中斷請(qǐng)求 ( 5)將中斷程序入口地址送 PC 寄存器 ( 6)執(zhí)行中斷服務(wù)程序 ( 7)返回 8 位移位寄存器 74LS164(串行輸入, 并行輸出) 74LS164 為 8 位移位寄存器 ,其主要電特性的典型值如表 32: 表 32 74LS164主要電特性典型值 型號(hào) fm Pn 54/74164 36MHz 185mW 54/74LS164 36 MHz 80mW 當(dāng)清除端( CLEAR)為低電平時(shí),輸出端( QA- QH)均為低電平。 串行數(shù)據(jù)輸入端( A, B)可控制數(shù)據(jù)。當(dāng) A、 B 任意一個(gè)為低電平時(shí)停止新數(shù)據(jù)輸入,在時(shí)鐘端( CLOCK)脈沖上升沿作用下 Q0 為低電平。當(dāng)有一個(gè)為高電平,則另一個(gè)就允許輸入數(shù)據(jù),并在 CLOCK 上升沿作用 Q0的狀態(tài)。 引 出端符號(hào) CLOCK 時(shí)鐘輸入端 CLEAR 同步清除輸入端(低電平有效) A, B 串行數(shù)據(jù)輸入端 QA- QH 輸出端 邏輯及封裝圖,如 32, 33 第 12 頁(yè) 共 50 頁(yè) 12 圖 32 邏輯圖 圖 33 封裝圖 極限值 電源電壓????????????? 7V 輸入電壓????????????? 工作環(huán)境溫度 54164?????????????? 55~ 125℃ 74164?????????????? 0~ 70℃ 儲(chǔ)存溫度?????????????? 65℃~ 150℃ 第 13 頁(yè) 共 50 頁(yè) 13 表 33真值表 H-高電平 L-低電平 X-任意電平↑-低到高電平跳變 QA0,QB0,QH0-規(guī)定的穩(wěn)態(tài)條件建立前的電平 QAn,QGn-時(shí)鐘最近的↑前的電平 時(shí)序圖如下 34 圖 34 時(shí)序圖 推薦工作條件如表 34: 第 14 頁(yè) 共 50 頁(yè) 14 表 34推薦工作條件 靜態(tài)特性( TA 為工作環(huán)境溫度范圍)如表 35 [1]:測(cè)試條件中的“最小”和“最大”用推薦工作條件中的相應(yīng)值。 動(dòng)態(tài)特性 (TA=25℃ )如表 36 表 36動(dòng)態(tài)特性 [2]:fmax 最大時(shí)鐘頻率。 tPLH 輸出由低電平到高電平傳輸延遲時(shí)間 tPHL輸出由高電平到低 電平傳輸延遲時(shí)間 第 15 頁(yè) 共 50 頁(yè) 15 ds1302 現(xiàn)在流行的串行時(shí)鐘電路很多,如 DS130 DS130 PCF8485 等。這些電路的接口簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉、使用方便,被廣泛地采用。本文介紹的實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路DS1302 是 DALLAS 公司的一種具有涓細(xì)電流充電能力的電路,主要特點(diǎn)是采用串行數(shù)據(jù)傳輸,可為掉電保護(hù)電源提供可編程的充電功能,并且可以關(guān)閉充電功能。采用普通 晶振。 DS1302 是美國(guó) DALLAS 公司推出的一種高性能、低功耗、帶 RAM的實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路,它可以對(duì)年、月、日、周日、時(shí)、分、秒進(jìn)行計(jì)時(shí),具有閏年補(bǔ)償功能,工作電壓為 ~ 。采用三線接口與 CPU 進(jìn)行同步通信,并可采用突發(fā)方式一次傳送多個(gè)字節(jié)的時(shí)鐘信號(hào)或 RAM 數(shù)據(jù)。 DS1302 內(nèi)部有一個(gè) 318 的用于臨時(shí)性存放數(shù)據(jù)的 RAM 寄存器。 DS1302是 DS1202 的升級(jí)產(chǎn)品,與 DS1202 兼容,但增加了主電源 /后背電源雙電源引腳,同時(shí)提供了對(duì)后背電源進(jìn)行涓細(xì)電流充電的能力。 DS1302 的引腳排列 ,其中 Vcc1 為后備電源, Vcc2 為主電源。 在主電源關(guān)閉的情況下,也能保持時(shí)鐘的連續(xù)運(yùn)行。 DS1302 由 Vcc1 或 Vcc2 兩者中的較大者供電。當(dāng) Vcc2 大于 Vcc1+ 時(shí), Vcc2 給 DS1302 供電。當(dāng) Vcc2 小于 Vcc1 時(shí),DS1302 由 Vcc1 供電。 X1和 X2是振蕩源,外接 晶振。 RST 是復(fù)位 /片選線,通過(guò)把 RST 輸入驅(qū)動(dòng)置高電平來(lái)啟動(dòng)所有的數(shù)據(jù)傳送。 RST 輸入有兩種功能:首先, RST 接通控制邏輯,允許地址 /命令序列送入移位寄存器;其次, RST提供終止單字節(jié)或多字節(jié)數(shù)據(jù)的傳送手段。當(dāng) RST 為高電平時(shí),所有的數(shù)據(jù)傳送被初始化, 允許對(duì) DS1302 進(jìn)行操作。如果在傳送過(guò)程中 RST 置為低電平,則會(huì)終止此次數(shù)據(jù)傳送, I/O 引腳變?yōu)楦咦钁B(tài)。上電運(yùn)行時(shí),在 Vcc≥ 之前, RST必須保持低電平。只有在 SCLK 為低電平時(shí),才能將 RST 置為高電平。 I/O 為串行數(shù)據(jù)輸入輸出端 (雙向 ),后面有詳細(xì)說(shuō)明。 SCLK 始終是輸入端。 DS1302 的控制字節(jié)的最高有效位 (位 7)必須是邏輯 1,如果它為 0,則不能把數(shù)據(jù)寫(xiě)入 DS1302 中,位 6 如果為 0,則表示存取日歷時(shí)鐘數(shù)據(jù),為 1 表示存取 RAM 數(shù)
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