【正文】 即可得到實(shí)際溫度。 例如 +125℃的數(shù)字輸出為 07D0H， +℃的數(shù)字輸出為 0191H， ℃的數(shù)字輸出為 FF6FH， 55℃的數(shù)字輸出為 FC90H。 第 6 頁 溫度（ ℃ ） 二進(jìn)制（ bin） 十六進(jìn)制 (hex) +125 0000 0111 1101 0000 07D0h +85 000 0101 1010 0000 0550h + 0000 0001 1001 0001 0191h + 0000 0000 1010 0010 00A2h + 0000 0000 0000 1000 0008h +0 0000 0000 0000 0000 0000h 1111 1111 1111 1000 FFF8h 1111 1111 0101 1110 FF5Eh 1111 1110 0110 1111 FE6Fh 55 1111 1100 1001 0000 FC90h 表 2: DS18B20 溫度 數(shù)據(jù)表 （ 3） DS18B20 溫度傳感器的存儲(chǔ)器 DS18B20 溫度傳感器的內(nèi)部存儲(chǔ)器包括一個(gè)高速暫存 RAM 和一個(gè)非易失性的可電擦除的 EEPRAM,后者存放高溫度和低溫度觸發(fā)器 TH、 TL和結(jié)構(gòu)寄存器。 （ 4）配置寄存器 該字節(jié)各位的意義如下： TM R1 R0 1 1 1 1 1 表 3： 配置寄存器結(jié)構(gòu) 低五位一直都是 1， TM 是測試模式位，用于設(shè)置 DS18B20 在工作模式還是在測試模式。在 DS18B20 出廠時(shí)該位被設(shè)置為 0，用戶不要去改動(dòng)。 R1 和 R0用來設(shè)置分辨率 ，如下表所示：（ DS18B20 出廠時(shí)被設(shè)置為 12 位） R1 R0 分辨率 溫度最大轉(zhuǎn)換時(shí)間 0 0 9位 0 1 10 位 1 0 11 位 375ms 1 1 12 位 750ms 表 4： 溫度分辨率設(shè)置表 DS18B20 的使用方法 由于 DS18B20 采用的是 1－ Wire 總線協(xié)議方式，即在一根數(shù)據(jù)線實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的雙向傳輸，而對 AT89S51 單片機(jī)來說，硬件上并不支持單總線協(xié)議，因此，我們必須采用軟件的方法來模擬單總線的協(xié)議時(shí)序 來完成對 DS18B20 芯片的訪問。 第 7 頁 由于 DS18B20 是在一根 I/O線上讀寫數(shù)據(jù)，因此，對讀寫的數(shù)據(jù)位有著嚴(yán)格的時(shí)序要求。 DS18B20 有嚴(yán)格的通信協(xié)議來保證各位數(shù)據(jù)傳輸?shù)恼_性和完整性。該協(xié)議定義了幾種信號(hào)的時(shí)序：初始化時(shí)序、讀時(shí)序、寫時(shí)序。所有時(shí)序都是將主機(jī)作為主設(shè)備，單總線器件作為從設(shè)備。而每一次命令和數(shù)據(jù)的傳輸都是從主機(jī)主動(dòng)啟動(dòng)寫時(shí)序開始，如果要求單總線器件回送數(shù)據(jù)，在進(jìn)行寫命令后，主機(jī)需啟動(dòng)讀時(shí)序完成數(shù)據(jù)接收。數(shù)據(jù)和命令的傳輸都是低位在先。 DS18B20 的初始化 （ 1） 先將數(shù)據(jù)線置高 電平“ 1”。 （ 2） 延時(shí)（該時(shí)間要求的不是很嚴(yán)格，但是盡可能的短一點(diǎn)） （ 3） 數(shù)據(jù)線拉到低電平“ 0”。 （ 4） 延時(shí) 750 微秒（該時(shí)間的時(shí)間范圍可以從 480 到 960 微秒）。 （ 5） 數(shù)據(jù)線拉到高電平“ 1”。 （ 6） 延時(shí)等待（如果初始化成功則在 15到 60毫秒時(shí)間之內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)由 DS18B20所返回的低電平“ 0”。據(jù)該狀態(tài)可以來確定它的存在，但是應(yīng)注意不能無限的進(jìn)行等待，不然會(huì)使程序進(jìn)入死循環(huán)，所以要進(jìn)行超時(shí)控制）。 （ 7） 若 CPU讀到了數(shù)據(jù)線上的低電平“ 0”后，還要做 延時(shí)，其延時(shí)的時(shí)間從發(fā)出的高電平算起（第（ 5）步的時(shí)間算起）最少要 480 微秒。 （ 8） 將數(shù)據(jù)線再次拉高到高電平“ 1”后結(jié)束。 DS18B20 的寫操作 （ 1） 數(shù)據(jù)線先置低電平“ 0”。 （ 2） 延時(shí)確定的時(shí)間為 15微秒。 （ 3） 按從低位到高位的順序發(fā)送字節(jié)（一次只發(fā)送一位）。 （ 4） 延時(shí)時(shí)間為 45 微秒。 （ 5） 將數(shù)據(jù)線拉到高電平。 （ 6） 重復(fù)上（ 1）到（ 6）的操作直到所有的字節(jié)全部發(fā)送完為止。 （ 7） 最后將數(shù)據(jù)線拉高。 DS18B20 的讀操作 （ 1）將數(shù)據(jù)線拉高“ 1”。 （ 2）延時(shí) 2 微秒。 （ 3）將數(shù)據(jù)線拉低“ 0”。 （ 4）延時(shí) 3 微秒。 （ 5）將數(shù)據(jù)線拉高“ 1”。 （ 6）延時(shí) 5 微秒。 （ 7）讀數(shù)據(jù)線的狀態(tài)得到 1 個(gè)狀態(tài)位，并進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。 （ 8）延時(shí) 60 微秒。 第 8 頁 AT89C51 AT89C51 簡介 AT89S51 美國 ATMEL 公司生產(chǎn)的低功耗，高性能 CMOS 8 位單片機(jī)，片內(nèi)含 4K BytesISP(Insystem programmable)的可反復(fù)擦寫 1000 次的 Flash 只讀程序 存儲(chǔ)器，器件采用 ATMEL 公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)制造，兼容標(biāo)準(zhǔn) MCS51 指令系統(tǒng)及 AT89C51 引腳結(jié)構(gòu)，芯片內(nèi)集成了通用 8 位中央處理器和 ISP Flash 存儲(chǔ)單元。單片機(jī) AT89S51 強(qiáng)大的功能可為許多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高性價(jià)比的解決方案。 AT89C51 功能 AT89S51 提供以下標(biāo)準(zhǔn)功能： 40 個(gè)引腳、 4K Bytes Flash 片內(nèi)程序存儲(chǔ)器、 128 Bytes的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（ RAM）、 32個(gè)外部雙向輸入 /輸出（ I/O）口、 5個(gè)中斷優(yōu)先級 2層中斷嵌套中斷、 2 個(gè)數(shù)據(jù)指針、 2 個(gè) 16 位可編 程定時(shí) /計(jì)數(shù)器、 2 個(gè)全雙工串行通信口、看門狗（ WDT）電路、片內(nèi)振蕩器及時(shí)鐘電路。此外， AT89S51 可降至 0Hz 的靜態(tài)邏輯操作 ,并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式 ,空閑模式， CPU暫停工作，而 RAM、定時(shí) /計(jì)數(shù)器、串行通信口、外中斷系統(tǒng)可繼續(xù)工作。掉電模式凍結(jié)振蕩器而保存 RAM 的數(shù)據(jù)，停止芯片其它功能直至外中斷激活或硬件復(fù)位。同時(shí)該芯片還具有 PDIP、TQFP 和 PLCC 等三種封裝形式，以適應(yīng)不同產(chǎn)品的需求 AT89C51 引腳 P0 口： P0 口為一個(gè) 8 位漏 級開路雙向 I/O 口，也即地址 /數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。作為輸出口用時(shí)，能驅(qū)動(dòng) 8 個(gè) TTL 邏輯門電路。對端口寫“ 1”時(shí)，被定義為高阻輸入。 在訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或程序存儲(chǔ)器時(shí)，這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址（低 8位）和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，在訪問期間激活內(nèi)部上拉電阻。 在 Flash 編程時(shí)， P0 口接收指令字節(jié)，而在程序校驗(yàn)時(shí)，輸出指令字節(jié)，校驗(yàn)時(shí)，要求外接上拉電阻。 P1口 :P1口是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O口 ,P1口的輸出緩沖級可驅(qū)動(dòng) (吸收或輸出電流 )4 個(gè) TTL 邏輯門電路。對端口寫“ 1” ,通過內(nèi)部的上拉電 阻把端口拉到高電平 ,此時(shí)可作輸入口。作輸入口使用時(shí) ,因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻 ,某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流 (IIL )。 P2口 :P2口是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O口 , P2口的輸出緩沖級可驅(qū)動(dòng) (吸收或輸出電流 )4個(gè) TTL 邏輯門電路。對端口寫“ 1” ,通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平 ,此時(shí)可作輸入口。作輸入口使用時(shí) ,因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻 ,某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流 (IIL )。 在訪問外部程序存儲(chǔ)器或 16 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 (例如執(zhí)行 MOVX@DPTR 指令 )時(shí) ,P2 口送出高 8 位地址數(shù)據(jù)。在訪問 8位地址的外部數(shù)據(jù)寄存器 (例如執(zhí)行 MOVX@Ri 指令 )時(shí) ,P2 口線上的內(nèi)容 (也即特殊功能寄存器 (SFR)區(qū)中 P2寄存器的內(nèi)容 ),在整個(gè)訪問期間不改變。 P3口 : P3 口是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的雙向 8 位 I/O 口 , P3 口的輸出緩沖級可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流 )4 個(gè) TTL 邏輯門電路。對 P3 口寫“ 1”時(shí) ,它們被內(nèi)部的上拉電阻拉高 第 9 頁 并可作為輸入端口。作輸入口使用時(shí) ,被外部信號(hào)拉低的 P3 口將用上拉電阻輸出電流(IIL )。 RST：復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時(shí)， RST 引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上的高電平時(shí)