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正文內(nèi)容

畢業(yè)設(shè)計(jì)-基于單片機(jī)溫濕度顯示報(bào)警系統(tǒng)設(shè)計(jì)-文庫(kù)吧

2025-05-16 02:28 本頁(yè)面


【正文】 是輸出端,使用外部振蕩器時(shí),外部振蕩信號(hào)應(yīng)直接加到 XTAL1,而 XTAL2 懸空。內(nèi)部方式時(shí),時(shí)鐘發(fā)生器對(duì)振蕩脈沖二分頻,如晶振為 12MHz,時(shí)鐘頻率就 為 6MHz。 晶振的頻率可以在 1MHz24MHz內(nèi)選擇。電容取 30PF 左右。系統(tǒng)的時(shí)鐘電路設(shè)計(jì)是采用的內(nèi)部方式,即利用芯片內(nèi)部的振蕩電路。 AT89 單片機(jī)內(nèi)部有一個(gè)用于構(gòu)成振蕩器的高增益反相放大器。引腳 XTAL1 和 XTAL2 分別是此放大器的輸入端和輸出端。這個(gè)放大器與作為反饋元件的片外晶體諧振器一起構(gòu)成一個(gè)自激振蕩器。外接晶體諧振器以及電容 C1 和 C2 構(gòu)成并聯(lián)諧振電路,接在放大器的反饋回路中。對(duì)外接電容的值雖然沒有嚴(yán)格的要求,但電容的大小會(huì)影響震蕩器頻率的高低、震蕩器的穩(wěn)定性、起振的快速性和溫度的穩(wěn)定性。因此, 此系統(tǒng)電路的晶體振蕩器的值為 12MHz,電容應(yīng)盡可能的選擇陶瓷電容,電容值約為 22μF。在焊接刷電路板時(shí),晶體振蕩器和電容應(yīng)盡可能安裝得與單片機(jī)芯片靠近,以減少寄生電容,更好地保證震蕩器穩(wěn)定和可靠地工作。 復(fù)位 RST 9 在振蕩器運(yùn)行時(shí),有兩個(gè)機(jī)器周期( 24 個(gè)振蕩周期)以上的高電平出現(xiàn)在此引腿時(shí),將使單片機(jī)復(fù)位,只要這個(gè)腳保持高電平, 51 芯片便循環(huán)復(fù)位。復(fù)位后 P0-P3 口均置 1 引腳表現(xiàn)為高電平,程序計(jì)數(shù)器和特殊功能寄存器 SFR 全部清零。當(dāng)復(fù)位腳由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí),芯片為 ROM 的 00H 處開始 運(yùn)行程序。復(fù)位是由外部的過程論述 第 9 頁(yè)(共 43 頁(yè)) 復(fù)位電路來(lái)實(shí)現(xiàn)的。片內(nèi)復(fù)位電路是復(fù)位引腳 RST 通過一個(gè)斯密特觸發(fā)器與復(fù)位電路相連,斯密特觸發(fā)器用來(lái)抑制噪聲,它的輸出在每個(gè)機(jī)器周期的 S5P2,由復(fù)位電路采樣一次。復(fù)位電路通常采用上電自動(dòng)復(fù)位和按鈕復(fù)位兩種方式,此電路系統(tǒng)采用的是上電與按鈕復(fù)位電路。當(dāng)時(shí)鐘頻率選用 6MHz 時(shí), C 取 22μF, Rs 約為 200Ω,Rk 約為 1K。復(fù)位操作不會(huì)對(duì)內(nèi)部 RAM 有所影響。 常用的復(fù)位電路如下圖 6 所示: 圖 5 常用復(fù)位電路圖 輸入輸出引腳 (1) P0 端口 [] P0 是一個(gè) 8 位漏極開路型雙向 I/O 端口,端口置 1(對(duì)端口寫 1)時(shí)作高阻抗輸入端。作為輸出口時(shí)能驅(qū)動(dòng) 8 個(gè) TTL。 對(duì)內(nèi)部 Flash程序存儲(chǔ)器編程時(shí),接收指令字節(jié) 。校驗(yàn)程序時(shí)輸出指令字節(jié),要求外接上拉電阻。 在訪問外部程序和外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí), P0 口是分時(shí)轉(zhuǎn)換的地址 (低 8 位 )/數(shù)據(jù)總線,訪問期間內(nèi)部 的上拉電阻起作用。 (2) P1 端口 [- ] P1 是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/0 端口。輸出時(shí)可驅(qū)動(dòng) 4 個(gè) TTL。端口置 1 時(shí),內(nèi)部上拉電阻將端口拉到高電平,作輸入用。 對(duì)內(nèi)部 Flash程序存儲(chǔ)器編程時(shí),接收低 8 位地址信息。 基于單片機(jī)溫濕度顯示報(bào)警系統(tǒng)設(shè)計(jì) 第 10 頁(yè)(共 43 頁(yè)) (3) P2 端口 [- ] P2 是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/0 端口。輸出時(shí)可驅(qū)動(dòng) 4 個(gè) TTL。端口置 1 時(shí),內(nèi)部上拉電阻將端口拉到高電平,作輸入用。對(duì)內(nèi)部 Flash程序存儲(chǔ)器編程時(shí),接收高 8 位地址和控制信息。 在訪問外部程序和 16 位外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí), P2 口送出高 8 位地址。而在訪問 8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)其引腳上的內(nèi)容在此期間不會(huì)改變。 (4) P3 端口 [- ] P2 是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/0 端口。輸出時(shí)可驅(qū)動(dòng) 4 個(gè) TTL。端口置 1 時(shí),內(nèi)部上拉電阻將端口拉到高電平,作輸入用。 對(duì)內(nèi)部 Flash 程序存儲(chǔ)器編程時(shí),接控制信息。除此之外 P3 端口還用于一些專門功能,具體如下表 1。 表 1 P3端口引腳兼用功能表 P3引腳 兼用功能 串行通訊輸入( RXD) 串行通訊輸出( TXD) 外部中斷 0( INT0) 外部中斷 1( INT1) 定時(shí)器 0 輸入 (T0) 定時(shí)器 1 輸入 (T1) 外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通 WR 外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通 RD LCD1602顯示系統(tǒng) LCD1602顯示系統(tǒng) 液晶顯示器普遍地用于直觀地顯示數(shù)字系統(tǒng)或字符的運(yùn)行狀態(tài)和工作數(shù)據(jù),按照材料及產(chǎn)品工藝 [20],單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中常用的顯示器有: 發(fā)光二極管 LED 顯示器、液晶 LCD 顯示器、 CRT 顯示器等。 LCD 顯示器是現(xiàn)在最常用的顯示器之一,其仿真電路圖如下所示。 過程論述 第 11 頁(yè)(共 43 頁(yè)) 圖 6 LED1602 顯示器的符號(hào) 液晶顯示器簡(jiǎn)介 ( 1) 在日常生活中,我們對(duì)液晶顯示器并不陌生。液晶顯示模塊已作為很多電子產(chǎn)品的通過器件,如在計(jì)算器、萬(wàn)用表、電子表及很多家用電子產(chǎn)品中都可以看到,顯示的主要是數(shù)字、專用符號(hào)和圖形。在單片機(jī)的人機(jī)交流界面中,一般的輸出方式有以下幾種:發(fā)光管、 LED 數(shù)碼管、液晶顯示器。發(fā)光管和 LED 數(shù)碼管比較常用,軟硬件都比較簡(jiǎn)單,在前面章節(jié)已經(jīng)介紹過,在此不作介紹,本章重點(diǎn)介紹字符型液晶顯示器的應(yīng)用。 在單片機(jī)系統(tǒng)中應(yīng)用晶液顯示器有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn): 顯示質(zhì)量高 ——由于液晶顯示器每一個(gè)點(diǎn)在收到信號(hào)后就一直保持那種色彩和亮度,恒定發(fā)光,而不像陰極射線管顯示器( CRT)那樣需要不斷刷新新亮點(diǎn)。因此,液晶顯示器畫質(zhì)高且不會(huì)閃爍。 數(shù)字式接口 ——液晶顯示器都是數(shù)字式的,和單片機(jī)系統(tǒng)的接口更加簡(jiǎn)單可靠,操作更加方便。 體積小、重量輕 ——液晶顯示器通過顯示屏上的電極控制液晶分子狀態(tài)來(lái)達(dá)到顯示的目的,在重量上比相同顯示面積的傳統(tǒng)顯示器要輕得多。 功耗低 ——相對(duì)而言,液晶顯示器的功耗主要消耗在其內(nèi)部的電極和驅(qū)動(dòng) IC 上,因而耗電量比其它顯示器要少得多。 基于單片機(jī)溫濕度顯示報(bào)警系統(tǒng)設(shè)計(jì) 第 12 頁(yè)(共 43 頁(yè)) ( 2)液晶顯示原理 :液晶顯示的原 理是利用液晶的物理特性,通過電壓對(duì)其顯示區(qū)域進(jìn)行控制,有電就有顯示,這樣即可以顯示出圖形。液晶顯示器具有厚度薄、適用于大規(guī)模集成電路直接驅(qū)動(dòng)、易于實(shí)現(xiàn)全彩色顯示的特點(diǎn),目前已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在便攜式電腦、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、 PDA 移動(dòng)通信工具等眾多領(lǐng)域。 ( 3)液晶顯示器的分類 :液晶顯示的分類方法有很多種,通??砂雌滹@示方式分為段式、字符式、點(diǎn)陣式等。除了黑白顯示外,液晶顯示器還有多灰度有彩色顯示等。如果根據(jù)驅(qū)動(dòng)方式來(lái)分,可以分為靜態(tài)驅(qū)動(dòng)( Static)、單純矩陣驅(qū)動(dòng)( Simple Matrix)和主動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)( Active Matrix)三種。 ( 4) 一般 1602 字符型液晶顯示器實(shí)物如圖所示 [21]: 圖 7 型液晶顯示器實(shí)物圖 LCD1602引腳功能說明 1602LCD 采用標(biāo)準(zhǔn)的 14 腳(無(wú)背光)或 16 腳(帶背光)接口,各引腳接口 ,編號(hào)符號(hào)引腳說明如下所示: 第 1 腳: VSS 為地電源。 第 2 腳: VDD 接 5V 正電源。 第 3 腳: VL 為液晶顯示器對(duì)比度調(diào)整端,接正電源時(shí)對(duì)比度最弱,接地時(shí)對(duì)比度最高,對(duì)比度過高時(shí)會(huì)產(chǎn)生 ―鬼影 ‖,使用時(shí)可以通過一個(gè) 10K 的電位器調(diào)整對(duì)比度。 第 4 腳 : RS 為寄存器選擇,高電平時(shí)選擇數(shù)據(jù)寄存器、低電平時(shí)選擇指令寄存器。 第 5 腳: R/W 為讀寫信號(hào)線,高電平時(shí)進(jìn)行讀操作,低電平時(shí)進(jìn)行寫操作。當(dāng)RS 和 R/W共同為低電平時(shí)可以寫入指令或者顯示地址,當(dāng) RS 為低電平 R/W 為高電平時(shí)可以讀忙信號(hào),當(dāng) RS 為高電平 R/W 為低電平時(shí)可以寫入數(shù)據(jù)。 第 6 腳: E 端為使能端,當(dāng) E 端由高電平跳變成低電平時(shí),液晶模塊執(zhí)行命令。 過程論述 第 13 頁(yè)(共 43 頁(yè)) 第 7~ 14 腳: D0~ D7 為 8 位雙向數(shù)據(jù)線。 第 15 腳:背光源正極。 第 16 腳:背光源負(fù)極。 LCD1602的指令 說明及時(shí)序 1602 液晶模塊的讀寫操作、屏幕和光標(biāo)的操作都是通過指令編程來(lái)實(shí)現(xiàn)的。(說明: 1 為高電平、 0 為低電平) 指令 1:清顯示,指令碼 01H,光標(biāo)復(fù)位到地址 00H 位置。 指令 2:光標(biāo)復(fù)位,光標(biāo)返回到地址 00H。 指令 3:光標(biāo)和顯示模式設(shè)置 I/D:光標(biāo)移動(dòng)方向,高電平右移,低電平左移 S:屏上所有文字是否左移或者右移。高電平表示有效,低電平則無(wú)效。 指令 4:顯示開關(guān)控制。 D:控制整體顯示的開與關(guān),高電平表示開顯示,低電平表示關(guān)顯示 C:控制光標(biāo)的開與關(guān),高電平表示有光標(biāo),低電平表示無(wú)光標(biāo) B:控制光標(biāo) 是否閃爍,高電平閃爍,低電平不閃爍。 指令 5:光標(biāo)或顯示移位 S/C:高電平時(shí)移動(dòng)顯示的文字,低電平時(shí)移動(dòng)光標(biāo)。 指令 6:功能設(shè)置命令 DL:高電平時(shí)為 4 位總線,低電平時(shí)為 8 位總線 N:低電平時(shí)為單行顯示,高電平時(shí)雙行顯示 F: 低電平時(shí)顯示 5x7 的點(diǎn)陣字符,高電平時(shí)顯示 5x10 的點(diǎn)陣字符。 指令 7:字符發(fā)生器 RAM 地址設(shè)置。 指令 8:DDRAM 地址設(shè)置。 指令 9:讀忙信號(hào)和光標(biāo)地址 BF:為忙標(biāo)志位,高電平表示忙,此時(shí)模塊不能接收命令或者數(shù)據(jù),如果為低電平表示不忙。 指令 10:寫數(shù)據(jù)。 指令 11:讀數(shù)據(jù)。 1602 液晶模塊內(nèi)部的控制器共有 11 條控制指令,如表 2 所示。 表 2 1602液晶模塊內(nèi)部的控制器的 11條控制指令 序號(hào) 指令 RS R/W D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 1 清顯示 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 2 光標(biāo)返回 0 0 0 0 0 0 0 0 1 * 基于單片機(jī)溫濕度顯示報(bào)警系統(tǒng)設(shè)計(jì) 第 14 頁(yè)(共 43 頁(yè)) 3 置輸入模式 0 0 0 0 0 0 0 1 I/D S 4 顯示開 /關(guān)控制 0 0 0 0 0 0 1 D C B 5 光標(biāo)或字符移位 0 0 0 0 0 1 S/C R/L * * 6 置功能 0 0 0 0 1 DL N F * * 7 置字符發(fā)生存貯器地址 0 0 0 1 字符發(fā)生存貯器地址 8 置數(shù)據(jù)存貯器地址 0 0 1 顯示數(shù)據(jù)存貯器地址 9 讀忙標(biāo)志或地址 0 1 BF 計(jì)數(shù)器地址 10 寫數(shù)到 CGRAM或 DDRAM) 1 0 要寫的數(shù)據(jù)內(nèi)容 11 從 CGRAM 或 DDRAM 讀數(shù) 1 1 讀出的數(shù)據(jù)內(nèi)容 基本操作時(shí)序表與讀寫操作時(shí)序如表 3 和圖 8, 9 所示。 表 3 基本操作時(shí)序表 讀狀態(tài) 輸入 RS=L, R/W=H, E=H 輸出 D0—D7=狀態(tài)字 寫指令 輸入 RS=L, R/W=L, D0—D7=指令碼, E=高脈沖 輸出 無(wú) 讀數(shù)據(jù) 輸入 RS=H, R/W=H, E=H 輸出 D0—D7=數(shù)據(jù) 寫數(shù)據(jù) 輸入 RS=H, R/W=L, D0—D7=數(shù)據(jù), E=高脈沖 輸出 無(wú) 過程論述 第 15 頁(yè)(共 43 頁(yè)) 圖 8 讀操作時(shí)序 圖 9 寫操作時(shí)序 程序流程圖 (詳細(xì)程序見附錄 ) 基于單片機(jī)溫濕度顯示報(bào)警系統(tǒng)設(shè)計(jì) 第 16 頁(yè)(共 43 頁(yè)) 圖 10 程序流程圖 SHT10傳感器 溫濕度傳感器電路圖 圖 11 溫濕度傳感器電路圖 顯示第二 行內(nèi)容 開始 LCD 初始化 設(shè)第一行 顯示位置 設(shè)第二行 顯示位置 延時(shí) 顯示第一 行內(nèi)容 過程論述 第 17 頁(yè)(共 43 頁(yè)) 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 SHT10 屬于 Sensirion 溫濕度傳感器家族中的貼片封裝系列 [22]。傳感器將傳感元件和信號(hào)處理電路集成在一塊微型 電路板上,輸出完全標(biāo)定的數(shù)字信號(hào)。傳感器包括一個(gè)電容性聚合體測(cè)濕敏感元件、一個(gè)用能隙材料制成的測(cè)溫元件,并在同一芯片上,與 14 位的 A/D 轉(zhuǎn)換器以及串行接口電路實(shí)現(xiàn)無(wú)縫連接。因此,該產(chǎn)品具有品質(zhì)卓越、響應(yīng)迅速、抗干擾能力強(qiáng)、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。傳感器芯片此說明書適用于SHT1xV4。 SHT1xV4 是第四代硅傳感芯片,除了濕度、溫度敏感元件以外,還包括一個(gè)放大器, A/D 轉(zhuǎn)換器, OTP 內(nèi)存和數(shù)字接口。材質(zhì)傳感器的核心為 CMOS 芯片,外圍材料頂層采用環(huán)氧 LCP ,底層為 FR4。傳感器符合 ROHS 和 WEEE 標(biāo)準(zhǔn),因此不含 Pb, Cd, Hg, Cr(6+), PBB,PBDE。 SHT10引腳 圖 12 SHT10 引腳圖 ( 1)電源引腳 VDD、 GND SHT10的供電電壓范圍為 , 建議供電電壓為 。在電源引腳( VDD,GND)之間須加一個(gè) 100nF的電容,用以去耦濾波。 SHT10 的串行接口,在傳感器信號(hào)的讀取及電源損耗方面,都做了優(yōu)化處理;傳感器不能按照 I2C協(xié)議編址,但是,如果 I2C 總線上沒有掛接別的元件,傳感器可以連接到 I2C 總線上,但單 片機(jī)必須按照傳感器的協(xié)議工作。 ( 2)串行時(shí)鐘輸入 SCK
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