電子技術(shù)綜合設(shè)計(jì)--16x16led漢字點(diǎn)陣系統(tǒng)設(shè)計(jì)(8051單片機(jī))-文庫吧
2025-04-24 12:50 本頁面
【正文】 被外部拉低，將輸出電流。這是由于內(nèi)部上拉的緣故。 P2口當(dāng)用于外部程序存儲(chǔ)器或 16 位地址外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行存取時(shí)， P2 口輸出地址的高八位。在給出地址“ 1”時(shí)，它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢(shì)，當(dāng)對(duì)外部八位地址數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫時(shí)， P2 口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。 P2口在 FLASH 編程 和校驗(yàn)時(shí)接收高八位地址信號(hào)和控制信號(hào)。 P3 口： P3 口管腳是 8個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的雙向 I/O 口，可接收輸出 4個(gè) TTL 門電流。當(dāng) P3 口寫入“ 1”后，它們被內(nèi)部上拉為高電平，并用作輸入。作為輸入，由于外部下拉為低電平， P3 口將輸出電流（ ILL）這是由于上拉的緣故。 P3 口也可作為 AT89C51 的一些特殊功能口，如下表所示： 口管腳 備選功能 RXD（串行輸入口） TXD（串行輸出口） /INT0（外部中斷 0） /INT1（外部中斷 1） T0（記時(shí)器 0外部輸入） T1（記時(shí)器 1外部輸入） /WR（外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通） /RD（外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通） P3 口同時(shí)為閃爍編程和編程校驗(yàn)接收一些控制信號(hào)。 RST：復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器復(fù)位器件時(shí)，要保持 RST 腳兩個(gè)機(jī)器周期的高電平時(shí)間。 ALE/PROG：當(dāng)訪問外部存儲(chǔ)器時(shí)，地址鎖存允許的輸出電平用于鎖存地址的地位字節(jié)。在 FLASH 編程期間，此引腳用于輸入編程脈沖。在平時(shí)， ALE 端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號(hào)，此頻率為振蕩器頻率的 1/6。因此它可用作對(duì)外部輸出的脈沖或用 于定時(shí)目的。然而要注意的是：每當(dāng)用作外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，將跳過一個(gè) ALE 脈沖。如想禁止 ALE 的輸出可在 SFR8EH 地址上置 0。此時(shí)， ALE 只有在執(zhí)行 MOVX， MOVC 指令是 ALE才起作用。另外，該引腳被略微拉高。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài) ALE 禁止，置位無效。 /PSEN：外部程序存儲(chǔ)器的選通信號(hào)。在由外部程序存儲(chǔ)器取指期間，每個(gè)機(jī)器周期兩次 /PSEN 有效。但在訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，這兩次有效的 /PSEN 信號(hào)將不出現(xiàn)。 /EA/VPP：當(dāng) /EA 保持低電平時(shí)，則在此期間外部程序存儲(chǔ)器（ 0000HFFFFH），不管是否有內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。注意加密方式 1時(shí)， /EA 將內(nèi)部鎖定為 RESET；當(dāng) /EA 端保持高電平時(shí)，此間內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。在 FLASH 編程期間，此引腳也用于施加 12V 編程電源（ VPP）。 XTAL1：反向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時(shí)鐘工作電路的輸入。 XTAL2：來自反向振蕩器的輸出。 （ 3） ．振蕩器特性： XTAL1 和 XTAL2 分別為反向放大器的輸入和輸出。該反向放大器可以配置為片內(nèi)振蕩器。石晶振蕩和陶瓷振蕩均可采用。如采用外部時(shí)鐘源驅(qū)動(dòng)器件，XTAL2 應(yīng)不接。有余輸入至內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)要通過一個(gè)二分頻觸發(fā)器，因此對(duì)外部時(shí)鐘信號(hào)的脈寬無任何要求，但必須保證脈沖的高低電平要求的寬度。 （ 4） ．芯片擦除： 整個(gè) PEROM 陣列和三個(gè)鎖定位的電擦除可通過正確的控制信號(hào)組合，并保持 ALE 管腳處于低電平 10ms 來完成。在芯片擦操作中，代碼陣列全被寫“ 1”且在任何非空存儲(chǔ)字節(jié)被重復(fù)編程以前，該操作必須被執(zhí)行。 此外， AT89C51 設(shè)有穩(wěn)態(tài)邏輯，可以在低到零頻率的條件下靜態(tài)邏輯，支持兩種軟件可選的掉電模式。在閑置模式下， CPU 停止工作。但 RAM，定時(shí)器，計(jì)數(shù)器， 串口和中斷系統(tǒng)仍在工作。在掉電模式下，保存 RAM 的內(nèi)容并且凍結(jié)振蕩器，禁止所用其他芯片功能，直到下一個(gè)硬件復(fù)位為止。 LED8*8顯示屏 (4個(gè)組成 16*16點(diǎn)陣 ) LED 顯示模塊： LED 是英文 light emitting diode（發(fā) 光二極管）的縮寫，它的基本結(jié)構(gòu)是一塊電致發(fā)光的 半導(dǎo)體材料，置于一個(gè)有引線的架子上，然后四周用 環(huán)氧樹脂密封，起到保護(hù)內(nèi)部芯線的作用，所以 LED 的抗震性能好。 當(dāng)其處于正向工作狀態(tài)時(shí)（即兩端加上正向電壓），電流從 LED陽極流向陰極時(shí)半導(dǎo)體晶體就發(fā)出從 紫外到紅外不同顏色的光線，光的強(qiáng)弱與電流有關(guān)。 4 線－ 16 線譯碼器 74LS154 功能簡(jiǎn)介 : 54/74154 為 4 線－ 16 線譯碼器，當(dāng) 選通端（ G G2）均為低電平時(shí)，可將地址端（ ABCD）的二進(jìn)制編碼在一個(gè)對(duì)應(yīng)的輸出端，以低電平譯出。 如果將 G1 和 G2中的一個(gè)作為數(shù)據(jù)輸入端，由 ABCD 對(duì)輸出尋址， 74LS154 還可作 1 線 16線數(shù)據(jù)分配器。 74LS154 管腳圖： 引腳功能介紹 A、 B、 C、 D 譯碼地址輸入端 (低電平有效 ) G G2 選通端 (低電平有效 ) 0－ 15 輸出端 (低電平有效 ) ： 復(fù)位電路：復(fù)位電路如下圖 7所示。我們采用上電 +按鈕復(fù)位的方式。當(dāng)開關(guān)打開時(shí)， RST 通過電阻接地，當(dāng)有開關(guān)閉合時(shí)由于電容的作用使電源 VCC 通過電阻施加在單片機(jī)復(fù)位端 RST 上，實(shí)現(xiàn)單片機(jī)復(fù)位。電容為 20uF,電阻為分別為200 歐和 1k歐。 圖 7：復(fù)位電路 C12 0 pC22 0 pX1CRY S T A L 圖 8：時(shí)鐘電路 時(shí)鐘電路：時(shí)鐘電路如下圖 8 所示。我們采用外接時(shí)鐘源，由兩個(gè)電容串聯(lián)之后并聯(lián)一晶振組成，接入單片機(jī)的 XTAL1 和 XTAL2 端。晶振振蕩頻率為 12MHZ，兩電容約為 20pF,注意電容接地 處。 ? 2． 2 漢字的點(diǎn)陣顯示原理 漢字掃描顯示的基本過程是這樣的：通電后由于電阻 R1，電容 C1 的作用，使單片機(jī)的 RST 復(fù)位腳電平先高后低，從而達(dá)到復(fù)位；之后，在 C2， C3， X1 以及單片機(jī)內(nèi)部時(shí)鐘電路的作用下，單片機(jī) 89C51 按照設(shè)定的程序在 P0 和 P2 接口輸出與內(nèi)部漢字對(duì)應(yīng)的代碼電平送至 LED 點(diǎn)陣的行選線 (高電平驅(qū)動(dòng) )，同時(shí)在 ， ， 接口輸出列選掃描信號(hào) (低電平驅(qū)動(dòng) )，從而選中相應(yīng)的象素LCD 發(fā)光 ，并利用人眼的視覺暫留特性合成整個(gè)漢字的顯示。 漢字的點(diǎn)陣顯示原理及字庫代碼獲取方法 ： 每一個(gè)字由 16 行 16 列的點(diǎn)陣組成顯示。即國(guó)標(biāo)漢字庫中的每一個(gè)字均由 256點(diǎn)陣來表示。我們可以把每一個(gè)點(diǎn)理解為一個(gè)象素，而把每一個(gè)字的字形理解為一幅圖像。事實(shí)上這個(gè)漢字屏不僅可以顯示漢字，也可以顯示在 256象素范圍內(nèi)的任何圖
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