左手材料-負折射率材料-文庫吧
2025-04-25 07:34 本頁面
【正文】 左手材料左手材料 左手材料2 E v ? S v k v ( ? 1 0, ? 1 0 ) ( ? 2 0, ? 2 0 ) ? (a) 左手材料 左手材料1H2HS1E2EkFig 2. (a) 入射光在經(jīng)過一般介質(zhì)與左手材料接口時 ， 折射光偏折方向會與入射光在法線的同一邊 。 (b) 以左手材料為材質(zhì)制作的凸透鏡或凹透鏡 ， 分別會表現(xiàn)出散光或聚光的效果 。 (c) 平板狀的左手材料 ， 會有類似一般凸透鏡的聚光效果 。 ? ?1 1 2 2n si n n si n? ? ??1 ?2 (?20, ?20) 右手材料 ?反常的 Doppler效應 若光源發(fā)出頻率 ?0 的光 ， 而偵測器以速度 v接近光源時 ，在一般介質(zhì)之中偵測器所接收到的電磁波頻率將比 ?0高 ，而在左手材料中 ， 則會收到比 ?0低的頻率 。 S k k S v v 光源 光源 偵測器 光源光源偵測器 左手材料中 Fig 3. 一般介質(zhì)與左手材料中 Doppler效應的比較 。 反常的 Cerenkov效應和光壓 ? 在 Cerenkov 輻射效應中 ， 當一個粒子在介質(zhì)中以速度 v 沿一直線運動 ， 其輻射出的場會遵循 的形式 ， 波向量 k (k=kz/cos?) 的方向會主要順著 v的方向 ， 但 kr 方向分量則在一般介質(zhì)與左手材料中恰好會完全相反 。 ? 電磁輻射對反射體造成的光壓，在左手材料的環(huán)境之中形成對反射體的拉曳力，而不是如在一般介質(zhì)中的壓力。 rzi ( k k t )e ??v k z S k k r ? ? k S v k z S k k r k r ? ? k S 左手材料中 k r S k 2k 反射體 光源 k 2k 反射體 光源 左手介質(zhì)中 光源光源左手材料中 S 反射體(b) (a) Fig 4. 一般介質(zhì)與左手材料中的比較： (a) Cerenkov效應； (b) 光壓 左手材料的研究與進展 Veselago . , Sov. Phys. Usp. ,1968,10,509 ?1968年 Veselago對電磁波在介電常數(shù) ?和磁導率 ?同時為負數(shù)的介質(zhì)中的傳播特點作過純理論的研究 。 但自然界中沒有發(fā)現(xiàn) ?和 ?同時為負數(shù)的介質(zhì)存在 ， 所以他的研究結(jié)果在 20世紀一直沒有得到實驗驗證 ， 人們對左手材料的興趣也基本消失了 。 ?19961999年 ， Pendry等人相繼提出了用周期性排列的 金屬條和開口金屬諧振環(huán) (SplitRing Resonator)可以在微波波段產(chǎn)生負等效介電常數(shù)和負等效磁導率 。 Pendry . ,et al. , Phys. Rev. Lett. ,1996,76,4773 Pendry . ,et al.
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