磁控濺射技術(shù)及其應用-文庫吧
2025-04-19 01:33 本頁面
【正文】 備成靶材。磁控濺射鍍膜在相互垂直的磁場和電場的雙重作用下 ,沉積速度快 ,膜層致密且與基片附著性好 ,非常適合于大批量且高效率的工業(yè)化生產(chǎn)。 磁控濺射技術(shù) 二、磁控濺射鍍膜技術(shù)原理 ? 磁控濺射的工作原理是在輝光放電的兩極之間引入磁場，電子受電場加速作用的同時受到磁場的束縛作用，運動軌跡成擺線，增加了電子和帶電粒子以及氣體分子相碰撞的幾率，提高了氣體的離化率，降低了工作氣壓，而氬離子在高壓電場加速作用下，與靶材撞擊并釋放能量，使靶材表面的靶原子逸出靶材飛向基板，并沉積在基板上形成薄膜。 磁控濺射技術(shù) 二、磁控濺射鍍膜技術(shù)原理 磁控濺射技術(shù) 三、磁控濺射鍍膜技術(shù)發(fā)展 ?平衡磁控濺射即傳統(tǒng)的磁控濺射，是在陰極靶材背后放置芯部與外環(huán)磁場強度 相等或相近 的永磁體或電磁線圈，在靶材表面形成與電場方向垂直的磁場。 ?優(yōu)點：降低濺射過程中的氣體壓力 提高濺射的效率和沉積速率 ?缺點：不適用于較大的工件和裝爐量 易生成多孔粗糙柱狀結(jié)構(gòu)薄膜 平衡磁控濺射技術(shù) 三、磁控濺射鍍膜技術(shù)發(fā)展 ?非平衡磁控濺射技術(shù)部分解決了平衡磁控濺射的不足 ,使陽極基片沉浸在等離子體中 ,減少了粒子移動的距離。 ?“非平衡”是對濺射靶表面磁場分布而言，有兩種結(jié)構(gòu)，一種是邊緣強一種是中部強。這樣濺射出來的原子和粒子沉積在基體表面形成薄膜，且等離子體以一定的能量轟擊基體，起到輔助沉積的作用，大大地改善了膜層的質(zhì)量 非平衡磁控濺射技術(shù) 三、磁控濺射鍍膜技術(shù)發(fā)展 ?單獨的非平衡磁控靶在基片上很難沉積出均勻的薄膜層，多靶非平衡磁控濺射鍍膜系統(tǒng) ,彌補了單靶非平衡磁控濺射的不足。多靶非平衡磁控濺射系統(tǒng)根據(jù)磁場的分布方式可以分為相鄰磁極相反的 閉合磁場非平衡磁控濺射和相鄰磁極相同的 鏡像磁場非平衡磁控濺射 。 非平
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