單片機(jī)原理、接口及應(yīng)用(已改無(wú)錯(cuò)字)
2022-08-15 14:25:41 本頁(yè)面
【正文】 TMOD—— 定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器方式控制寄存器。 TCON—— 定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器控制寄存器。 TH0， TL0—— 定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器 0。 TH1， TH1—— 定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器 1。 SCON—— 串行端口控制寄存器。 SBUF—— 串行數(shù)據(jù)緩沖器。 PCON—— 電源控制寄存器。 第 1章 MCS51單片機(jī)結(jié)構(gòu) 注： 在 52子系列中，高 128字節(jié) RAM和 SFR的地址是重疊的，究竟訪問(wèn)哪一塊可通過(guò)不同的尋址方式加以區(qū)分，訪問(wèn)高 128字節(jié) RAM采用寄存器間址，訪問(wèn) SFR則只能采用直接尋址，訪問(wèn)低128字節(jié) RAM時(shí)，兩種尋址均可采用。 第 1章 MCS51單片機(jī)結(jié)構(gòu) 時(shí)鐘電路與復(fù)位電路 內(nèi)部振蕩方式 ： 在引腳 XTAL1和 XTAL2外接晶體振蕩器（簡(jiǎn)稱晶振）如圖 13所示。 XTAL1 XTAL2 GND 8XX51 C01 C02 圖 13 內(nèi)部振蕩方式 時(shí)鐘電路 單片機(jī)的時(shí)鐘信號(hào)用來(lái)提供單片機(jī)內(nèi)各種微操作時(shí)間基準(zhǔn)， 8XX51單片機(jī)的時(shí)鐘信號(hào)通常有兩種電路形式： 內(nèi)部振蕩方式 和 外部振蕩方式 。 ★ 電容器 C0 C02起穩(wěn)定振蕩頻率、快速起振的作用。電容值一般為 5～ 30PF。 ★ 晶振通常選用 6MHz、 12MHz或24MHz 第 1章 MCS51單片機(jī)結(jié)構(gòu) 由于單片機(jī)內(nèi)部有一個(gè)高增益運(yùn)算放大器，當(dāng)外接晶振后，就構(gòu)成了自激振蕩器并產(chǎn)生振蕩時(shí)鐘脈沖。 8XX51 外部振蕩方式 是把已有的時(shí)鐘信號(hào)引入單片機(jī)。這種方式適宜用于使單片機(jī)的時(shí)鐘與外部信號(hào)保持一致。外部振蕩方式如圖 14所示。 對(duì) HMOS的單片機(jī)（ 803 8031AH等）外部時(shí)鐘信號(hào)由 XTAL2引入，對(duì)于 CHMOS的單片機(jī)（ 8XCXX），外部時(shí)鐘由 XTAL1引入。 外部時(shí)鐘 XTAL1 XTAL2 GND 8XX51 懸空 外部時(shí)鐘 XTAL1 XTAL2 GND 懸空 CHMOS HMOS 圖 1－ 4外部振蕩方式 8XX51 第 1章 MCS51單片機(jī)結(jié)構(gòu) 基本時(shí)序單位 單片機(jī)的時(shí)序單位有： 振蕩周期 ： 晶振的振蕩周期，又稱時(shí)鐘周期，為最小的時(shí)序單位。 狀態(tài)周期 ：振蕩頻率經(jīng)單片機(jī)內(nèi)的二分頻器分頻后提供給片內(nèi) CPU的時(shí)鐘周期。因此，一個(gè)狀態(tài)周期包含 2個(gè)振蕩周期。 機(jī)器周期（ MC） ： 1個(gè)機(jī)器周期由 6個(gè)狀態(tài)周期及 12個(gè)振蕩周期組成。是計(jì)算機(jī)執(zhí)行一種基本操作的時(shí)間單位。 第 1章 MCS51單片機(jī)結(jié)構(gòu) 指令周期 ：執(zhí)行一條指令所需的時(shí)間。一個(gè)指令周期由 1～ 4個(gè)機(jī)器周期組成，依據(jù)指令不同而不同。 4種時(shí)序單位中，振蕩周期和機(jī)器周期是單片機(jī)內(nèi)計(jì)算其他時(shí)間值（例如，波特率、定時(shí)器的定時(shí)時(shí)間等）的基本時(shí)序單位。 例 ：?jiǎn)纹瑱C(jī)外接晶振頻率 12MHZ時(shí)的各種時(shí)序單位： 振蕩周期 =1/fosc=1/12MHZ= 狀態(tài)周期 =2/fosc=2/12MHZ= 機(jī)器周期 =12/fosc=12/12MHZ=1us 指令周期 =(1～ 4)機(jī)器周期 =1～ 4us 第 1章 MCS51單片機(jī)結(jié)構(gòu) 復(fù)位電路 復(fù)位操作則使單片機(jī)的片內(nèi)電路初始化，使單片機(jī)從一種確定的狀態(tài)開(kāi)始運(yùn)行。 當(dāng) MCS51系列單片機(jī)的復(fù)位引腳 RST出現(xiàn) 5ms以上的高電平時(shí)，單片機(jī)就完成了復(fù)位操作。如果 RST持續(xù)為高電平，單片機(jī)就處于循環(huán)復(fù)位狀態(tài)。 復(fù)位操作通常有 2種基本形式： 上電復(fù)位 開(kāi)關(guān)復(fù)位 第 1章 MCS51單片機(jī)結(jié)構(gòu) 上電后，由于電容充電，使 RST持續(xù)一段高電平時(shí)間。當(dāng)單片 機(jī)已在運(yùn)行過(guò)程中時(shí)，按下復(fù)位鍵 也能使 RST持續(xù)一段時(shí)間的高電平，從而實(shí)現(xiàn)上電且開(kāi)關(guān)復(fù)位的操作。通常選擇 C=10?f ,R=10K?。 RST 8XX51 R C VCC 上電復(fù)位 要求接通電源后，自動(dòng)實(shí)現(xiàn)復(fù)位。 開(kāi)關(guān)復(fù)位 要求在電源接通的條件下，在單片機(jī)運(yùn)行期間，用接鈕開(kāi)關(guān)操作使單片機(jī)復(fù)位。 常用的上電且開(kāi)關(guān)復(fù)位電路如 圖 15所示。 圖 15 復(fù)位
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1