單片機原理、接口及應(yīng)用-閱讀頁
2024-08-06 14:25本頁面
【正文】 器。 TH1， TH1—— 定時器 /計數(shù)器 1。 SBUF—— 串行數(shù)據(jù)緩沖器。 第 1章 MCS51單片機結(jié)構(gòu) 注： 在 52子系列中，高 128字節(jié) RAM和 SFR的地址是重疊的，究竟訪問哪一塊可通過不同的尋址方式加以區(qū)分，訪問高 128字節(jié) RAM采用寄存器間址，訪問 SFR則只能采用直接尋址，訪問低128字節(jié) RAM時，兩種尋址均可采用。 XTAL1 XTAL2 GND 8XX51 C01 C02 圖 13 內(nèi)部振蕩方式 時鐘電路 單片機的時鐘信號用來提供單片機內(nèi)各種微操作時間基準， 8XX51單片機的時鐘信號通常有兩種電路形式： 內(nèi)部振蕩方式 和 外部振蕩方式 。電容值一般為 5～ 30PF。 8XX51 外部振蕩方式 是把已有的時鐘信號引入單片機。外部振蕩方式如圖 14所示。 外部時鐘 XTAL1 XTAL2 GND 8XX51 懸空 外部時鐘 XTAL1 XTAL2 GND 懸空 CHMOS HMOS 圖 1－ 4外部振蕩方式 8XX51 第 1章 MCS51單片機結(jié)構(gòu) 基本時序單位 單片機的時序單位有： 振蕩周期 ： 晶振的振蕩周期，又稱時鐘周期，為最小的時序單位。因此，一個狀態(tài)周期包含 2個振蕩周期。是計算機執(zhí)行一種基本操作的時間單位。一個指令周期由 1～ 4個機器周期組成，依據(jù)指令不同而不同。 例 ：單片機外接晶振頻率 12MHZ時的各種時序單位： 振蕩周期 =1/fosc=1/12MHZ= 狀態(tài)周期 =2/fosc=2/12MHZ= 機器周期 =12/fosc=12/12MHZ=1us 指令周期 =(1～ 4)機器周期 =1～ 4us 第 1章 MCS51單片機結(jié)構(gòu) 復位電路 復位操作則使單片機的片內(nèi)電路初始化，使單片機從一種確定的狀態(tài)開始運行。如果 RST持續(xù)為高電平，單片機就處于循環(huán)復位狀態(tài)。當單片 機已在運行過程中時，按下復位鍵 也能使 RST持續(xù)一段時間的高電平，從而實現(xiàn)上電且開關(guān)復位的操作。 RST 8XX51 R C VCC 上電復位 要求接通電源后，自動實現(xiàn)復位。 常用的上電且開關(guān)復位電路如 圖 15所示。 幾個主要特殊功能寄存器復位狀態(tài) 歸納如下： PC=0000H 程序計數(shù)器為零表明單片機復位后程序從0000H地址單元開始執(zhí)行。 PSW=00H 表明選寄存器 0組為工作寄存器組。 第 1章 MCS51單片機結(jié)構(gòu) P0～ P3=FFH 表明已向各端口線寫入１，各端口既可 用于輸入又可用于輸出。 其它的特殊功能寄存器復位后的狀態(tài)見教材表 14。 Vcc:電源端，接 +5V。 RST/VPD：①復位信號輸入。 8XX51單片機有 44引腳的 方形封裝形式和 40個引腳的雙 列直插式封裝形式，最常用的 40個引腳封裝，見圖 16. 圖 16 圖 16 第 1章 MCS51單片機結(jié)構(gòu) ALE/PROG： ① ALE 地址鎖存允許。 ② PROG 對 8751單片機片內(nèi) EPROM 編程時，編程脈沖由該引腳引入。輸出讀外部程序存儲器的選通信號。 EA =1，單片機訪問內(nèi)部程序存儲器。 圖 16 第 1章 MCS51單片機結(jié)構(gòu) ～ ： P0口，數(shù)據(jù) /低八位地址復用總線端口。 ～ ： P2口，高八位地址總線端口。 在增強型的 52系列單片機中， 、 線外，還為定時 /計數(shù)器 2的外部引腳 T2和 T2EX。 第 1章 MCS51單片機結(jié)構(gòu) 小 結(jié) 單片機是集 CPU、存儲器、 I/O接口于一體的大規(guī)模集成電路芯片。 本章重點是單片機的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和存儲器結(jié)構(gòu) ★ 51系列 單片機內(nèi)部包含： 一個 8位的 CPU。 128字節(jié) RAM數(shù)據(jù)存儲器。 可尋址 64KB外部數(shù)據(jù)存儲器和 64KB外部程序存儲器空間的控制電路。 一個可編程全雙工串行口。 ★ 掌握 51系列單片機各存儲空間的地址分配，使用特點及數(shù)據(jù)操作方法。
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