【摘要】§集成運算放大器的應用7.3.1集成運放等效模型及應用7.3.2反相輸入應用(Inverting)休息1休息2返回7.3.3同相輸入應用(Noninuarting)7.3.4差分輸入(Difference-Modeinput)7.3.5實用運算電
2025-06-18 02:37
【摘要】模擬電子電路5-1分立元件直流穩(wěn)壓電路直流穩(wěn)壓電源的概念——直流穩(wěn)壓電源是一種當電網電壓變化時,或者負載發(fā)生變化時,輸出電壓能基本保持不變的電子設備。電網電壓波動負載變化簡單直流穩(wěn)壓電源的結構變壓器整流二極管濾波器穩(wěn)壓二極管負載穩(wěn)壓原理—負載不變,電網波動IRIZIL
2024-12-20 14:44
【摘要】第九章信號產生電路9信號產生電路第九章信號產生電路第9章信號產生電路正弦波振蕩電路的振蕩條件RC正弦波振蕩電路LC正弦波振蕩電路非正弦信號產生電路*集成函數發(fā)生器簡介第九章信號產生電路主要內容:正弦波振蕩電路的振蕩條件
2024-09-15 10:21
【摘要】《計算機電路基礎》(2)主講:夏少波第四講Email:Tel:0531—6512165山東廣播電視大學計算機與通信學院小結:可見:儲能元件L和C都不消耗有功功率P,即P=0
2025-02-23 02:06
【摘要】?溫度為什么會影響半導體器件的性能?答:由于溫度影響載流子的濃度,而載流子的濃度決定了半導體的導電性能,因此溫度會影響半導體器件的性能。?如何從PN結電流方程來理解其單向導電性及其伏安特性?答:當PN結正向偏置且UUT時,i≈ISeU/UT,電流隨電壓按指數快速變化,呈現出很小的電阻,說明PN結正向偏置時相當于開關導通
2024-12-03 12:18
【摘要】楊遠望電子電路基礎電子科技大學楊遠望楊遠望聯系方式電話:61830298電子信箱:辦公室:科B130教案發(fā)布地:?page_id=2楊遠望緒論一、電子技術的發(fā)展二、模擬信號與模擬電路三、電子信息
2024-09-11 12:44
【摘要】組合邏輯電路數字電子技術第十三講組合邏輯電路第6章 組合邏輯電路組合邏輯電路中的競爭冒險加法器和數值比較器數據選擇器與數據分配器小結組合邏輯電路主要要求:理解數據選擇器和數據分配器的作用。理解常用數據選擇器的邏輯功能及其使用。掌握用數據選擇器實現組合邏輯電路的方法。
2025-03-09 15:06
【摘要】第四章模擬電子電路—路漫漫其修遠兮,吾將上下而求索。屈原基本內容:基本放大電路分析,微變等效電路分析法,直接耦合放大電路,運算放大器及
2025-01-25 00:00
【摘要】《模擬電子電路》期末復習指導第一部分課程考核說明重點考核學生對基本概念,基本知識,基本技能的理解和掌握程度。2.考核方式閉卷統(tǒng)一考試,考試時間120分鐘。3.命題依據以教材、講過例題、習題或習題綜合(見第三部分)。4.考試要求考核學生對基本概念,基本知識,基本技能的理解和掌握程度。5.試題類型填空題或是非題、選
2025-05-12 04:55
【摘要】仿真共射極基本放大電路,選擇電路菜單電路圖選項(Circuit/SchematicOption)中的顯示/隱藏(Show/Hide)按鈕,設置并顯示元件的標號與數值等。1. 靜態(tài)工作點分析選擇分析菜單中的直流工作點分析選項(Analysis/DCOperatingPoint)(當然,也可以使用儀器庫中的數字多用表直接測量)分析結果表明晶體管Q1工作
2025-08-11 23:33
【摘要】—電工電子學—西北大學化工學院下頁上頁1第8章功率電子電路低頻功率放大電路直流穩(wěn)壓電源功率半導體器件和變流電路主要內容—電工電子學—西北大學化工學院下頁上頁2低頻功率放大電路主要內容概述基本功率放大電路集成功率放大器舉例—電工
2025-02-02 15:43
【摘要】功率輸出級電路休息1休息2返回功率放大器的特點、指標和分類互補推挽乙類功率放大器其他乙類推挽功率放大器MOS輸出級電路達林頓組態(tài)功率放大器的特點、指標和分類休息1休息2返回1.功放的特點和指標(1)功率放大器的基本任務是向額定的負載RL,輸出額定的“不失真”信號功
2025-03-03 22:56
【摘要】1第九章直流穩(wěn)壓電源在各種電子設備中,直流穩(wěn)壓電源是必不可少的組成部分,它是電子設備唯一能量來源,穩(wěn)壓電源的主要任務是將50Hz的電網電壓轉換成穩(wěn)定的直流電壓和電流,從而滿足負載的需要。本章解決的問題有兩個:一是如何把交流電變成直流電;二是如何使直流電壓實現穩(wěn)定。圖9-1直流穩(wěn)壓電源原理方框圖2直流穩(wěn)壓電源一般由整流
2024-12-05 23:51
【摘要】簡述耗盡型和增強型MOS場效應管結構的區(qū)別;對于適當的電壓偏置(VDS0V,VGSVT),畫出P溝道增強型MOS場效應管,簡要說明溝道、電流方向和產生的耗盡區(qū),并簡述工作原理。解:耗盡型場效應管在制造過程中預先在襯底的頂部形成了一個溝道,連通了源區(qū)和漏區(qū),也就是說,耗盡型場效應管不用外加電壓產生溝道。而增強型場效應管需要外加電壓VGS產生溝道。隨著VSG逐漸增大,
【摘要】電子電路(模擬電路部分)考試大綱格式考試科目名稱:電子電路(模擬電路部分)考查要點:一、半導體器件了解本征半導體、雜質半導體和PN結的形成。掌握普通二極管、穩(wěn)壓二極管、晶體管和場效應管的工作原理,掌握它們的特性和主要參數。二、基本單元電路掌握基本放大電路及其組合電路的工作原理、性能特點,掌握放大電路靜態(tài)工作點和圖解、微變等效電路分析法以及放大電路技術指標的計算。三
2025-07-28 02:13