光電探測(cè)器芯片-在線瀏覽
2024-09-15 04:07本頁(yè)面
【正文】 ? η=1 T1 為投射率， α0 為吸收系數(shù) ? InGaAs PD： R=1310nm ? GaAs PD :R=850nm RRqhcRqhhP inq?????//I p???? ＝入射光子數(shù)產(chǎn)生的電子－空穴數(shù))/)(/( mWmAWAPIRinp?)1( 0101 Wdd eeT ??? ?? ??? 暗電流（ Id－ Vr關(guān)系） ? 無(wú)光照射下，在外加偏壓下的 PD電流。擴(kuò)散電流密度 Jdiff： Js: 飽和擴(kuò)散電流密度 ni: 本征載流子密度 Dp：空穴擴(kuò)散系數(shù) Lp ：空穴擴(kuò)散長(zhǎng)度 ppisdiffnLDqnJskTqVJJ/]1)/[ e x p (2???? 產(chǎn)生復(fù)合電流（ Generation－ rebination current） ? Igr:耗盡區(qū)內(nèi)的電子空穴對(duì)產(chǎn)生和復(fù)合形成的電流。且產(chǎn)生復(fù)合電流是溫度較低的情況占主要地位，擴(kuò)散電流是溫度較高情況下占主要地位。隧穿電流的主要特性是類似于指數(shù)變化的軟擊穿特性。 ? 80um diameter InGaAs Planar PIN PD Id=50pA(低偏壓到中等偏壓時(shí)， Id與面積成正比，偏壓較高時(shí) Id與直徑成正比，見(jiàn)后圖 ) ]1)2/) [ e x p (/( ?? kTqVWqnJ ef fdigr ?dIdIdd?? 2? Id VS Temp. ? 從圖中可以看出低于 320K是，在中等偏壓范圍， Id隨 Vr有輕微的變化，大于 320K時(shí)與偏壓幾乎無(wú)關(guān)。因此變化更快。 ω2 2ω1。 ω1+ω2 3ω1 。 2ω1+ω2。 2ω2+ω1 CATV PIN PD 測(cè)試頻率 : f1:50MHz f2:505MHz f1:400MHz f2: Pin=1mW(P1=P2= OMI=40%) RL=50ohm或 75ohm IMD270dBc IMD380dBc 222223121223121223212123212133223311221212212122222211233322223331113221132221122211131321211212143))2()2c o s ( (43))2()2c o s ( (43))2()2c o s ( (43))2()2c o s ( (41)33c o s (41)33c o s ())()c o s ( ())()c o s ( (21)22c o s (21
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