【正文】 806169528 xxxxxxxxxxxx光伏科技有限公司由王建昌、陸文賢、錢公浩、吳挺四位自然人投資興建的工業(yè)項目，項目位于xxxxxx縣工業(yè)園，公司的產(chǎn)品主要是6英寸單晶硅圓棒、8英寸多晶硅錠、125125太陽能電池單晶硅片、156156太陽能電池多晶硅片。第二節(jié) 項目建設方案項目名稱：新建年產(chǎn)250MW晶體硅太陽能電池片生產(chǎn)線。投資規(guī)模：，建設期利息2592萬元。項目工藝方案本項目選擇的設備技術成熟可靠、性價比高、結構先進合理、性能穩(wěn)定和生產(chǎn)能力配套，形成高質高效具有先進性能的生產(chǎn)線，可實現(xiàn)產(chǎn)品的大規(guī)格、多品種要求，達到產(chǎn)品生產(chǎn)靈活、操作便利，產(chǎn)品質量控制方便，可確保產(chǎn)品質量，提高成品率，同時能減少占地。cm為界限，（2）硅料堿腐蝕+酸洗工藝 1） 工藝流程見圖22： 圖22 硅料堿腐蝕+酸洗生產(chǎn)工藝流程圖 2）工藝流程說明： ①硅料、分選、裝籃、浸泡腐蝕、超聲波清洗、沖洗。將沖洗后的硅料放入堿腐蝕槽（1個，規(guī)格為Ф1m1m）內(nèi)進行腐蝕，硅料放入后腐蝕時間在30s～10min不等，腐蝕溫度約80℃，主要去除硅料表面的SiO2等非金屬雜質；另外，腐蝕槽上方設置集氣抽風裝置，進出料時開啟抽風裝置，產(chǎn)生的堿霧進入廢氣處理設施處理；腐蝕完畢后的硅料利用高純水進行清洗（共3道），以去除硅料表面殘留的堿液；之后利用超聲波清洗進一步去除硅料表面殘留的痕量堿液； ③酸洗、浸泡。上述工序說明具體見前述酸洗腐蝕工藝流程說明。單晶硅生產(chǎn)過程中使用的硅料，均為成品（無需再進行腐蝕、酸洗等處理；其中部分硅料由企業(yè)自身腐蝕、酸洗得到，其余均由外單位進行腐蝕加工）即可投爐加工。即將成品硅料根據(jù)要求與相應的母合金（主要是P、Be等元素含量多一點的硅片，加入量約為硅料加入量的百萬分之一）進行混合裝入單晶爐內(nèi)拉晶（控制溫度約為1420℃，時間約為30～40h/批，每批生產(chǎn)量約為20kg/爐；拉晶過程中單晶爐內(nèi)采用液氬作為保護氣體；該過程主要是利用高溫使高純硅在單晶爐內(nèi)熔融并使原子進行有序排列，待有序排列完畢后由單晶爐上方拉晶成柱狀硅棒）；硅棒生長完畢后對單晶爐進行冷卻，之后將硅棒從單晶爐內(nèi)卸下，以便后道加工處理。利用各類檢測設備對成規(guī)則柱狀硅棒進行電阻率、氧、碳等成分進行測試，經(jīng)測試合格后（測試不合格的硅棒則送單晶爐或結晶爐作回爐重新拉晶處理）送入切斷機內(nèi)進行分段處理（一般直徑為125mm，長度以30～40cm不等）便得到成品硅棒，分段的目的主要是使硅棒能夠順利進入切片機內(nèi)進行切片處理；分段過程采用自來水對設備進行冷卻，經(jīng)冷卻后排入廠區(qū)內(nèi)污水處理設施。在加熱過程中保溫層和底部的隔熱層閉合嚴密，保證加熱時內(nèi)部熱量不會大量外泄，保證了加熱的有效性及加熱的均溫性。在此過程中，結晶好的晶體逐步離開加熱區(qū)，而熔融的硅液仍然處在加熱區(qū)內(nèi)。所獲得的多晶硅可直接獲得方形材料，并能制出大型硅錠，利用各類檢測設備對成規(guī)則柱狀硅棒進行電阻率、氧、碳等成分進行測試，經(jīng)測試合格后（測試不合格的硅棒則送單晶爐或結晶爐作回爐重新拉晶處理）送入切斷機內(nèi)進行分段處理（一般長度以30～40cm不等）便得到成品硅棒，分段的目的主要是使硅棒能夠順利進入切片機內(nèi)進行切片處理；分段過程采用自來水對設備進行冷卻，經(jīng)冷卻后排入廠區(qū)內(nèi)污水處理設施處理后循環(huán)使用。去頭尾、切方，即利用切斷機對硅棒進行去頭尾處理，之后利用切方機對其進行切方處理使其成為規(guī)則柱狀；然后進行分段。該過程采用自來水對設備進行冷卻，經(jīng)冷卻后排入廠區(qū)內(nèi)污水處理設施； ②切片。對切好的硅片須進行清洗處理，主要包括自來水洗（時間約6min，控制溫度為30～40℃）、純水洗（2道，每道控制條件為：時間約6min，溫度為30～40℃）、清洗劑清洗（共3道，其中前兩道清洗劑濃度為5%，后道為1～2%，每道控制條件為：時間約6min，溫度為65℃）、純水洗（2道，每道控制條件為：時間約6min，溫度為30～40℃），經(jīng)清洗后的硅片送入離心機內(nèi)進行甩干處理以去除硅片表面殘留的少量水分；④檢測、包裝。 （6）研磨硅片生產(chǎn)工藝 1）工藝流程見圖26：圖26 研磨硅片生產(chǎn)工藝流程圖 2）工藝流程說明：將硅片依次放入硅片研磨機內(nèi)（每次加工量為15片，該過程需加入磨液避免硅片在研磨過程中發(fā)生破裂并達到相應的研磨效果〈主要為硅片厚度及表面亮度〉）；之后將研磨完畢的硅片放入超聲波清洗機內(nèi)進行清洗（共3道，采用高純水，每道時間約6min，控制溫度為30～40℃）；清洗完畢后在自然條件下風干即為成品，經(jīng)包裝后即可出廠。根據(jù)廠區(qū)在xxxxxx縣工業(yè)園區(qū)的位置情況及地形條件，廠區(qū)各功能區(qū)域的要求，規(guī)劃設計將生產(chǎn)區(qū)布置在廠區(qū)北面，生活區(qū)布置在廠區(qū)西南面。主要設有拉晶（鑄錠）車間、切片車間、碾磨清洗車間、原料倉庫、五金倉庫、成品倉庫、污水處理場等建筑物。主廠房呈長方形東西向布置。① 拉晶（鑄錠）車間采用鋼筋混凝土框架結構，共五個車間，平行設置在廠區(qū)東部，每個車間東西方向長108米，南北方向寬40米，內(nèi)設行車，椽高≧8米，五個車間的總建筑面積為43200m2，車間生產(chǎn)火災類別為丁戊類，耐火等級為二級。③碾磨清洗檢驗車間采用鋼筋混凝土框架結構，共四個車間，平行設置并與切片車間平行，其中，從北往南數(shù)第一個車間，東西方向長60米，南北方向寬40米，內(nèi)設行車，椽高≧8米；后三個車間形狀大小與切片車間相同，每個車間東西方向長108米，南北方向寬40米，內(nèi)設行車，椽高≧8米，四個車間的總建筑面積為30720m2，車間因使用酸堿等腐蝕類化學試劑，故需做防腐處理。④原材料倉庫土建參數(shù)為40108m，共兩個車間，采用鋼筋混凝土框架型式，位于廠區(qū)西北面，兩個車間的總建筑面積為8640m2，生產(chǎn)火災類別為丁戊類，耐火等級為二級。⑤五金倉庫土建參數(shù)為40108m，采用鋼筋混凝土框架型式，位于生產(chǎn)區(qū)的南面，共兩個車間，總建筑面積為8640m2，生產(chǎn)火災類別為丁戊類，耐火等級為二級。①科技中心樓：高四層，以簡潔的外露結構梁柱為主，面積3168 m2，采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土框架結構，樓、屋面采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土梁板式結構，樓梯采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土梁板式樓梯。②辦公樓建筑面積1692m2，采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土框架結構，樓、屋面采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土梁板式結構，樓梯采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土梁板式樓梯，外墻及內(nèi)隔墻采用砌體墻。主要經(jīng)濟技術指標：本項目主要技術經(jīng)濟指標見表21：表21 主要數(shù)據(jù)及技術經(jīng)濟指標序號項 目 名 稱單 位數(shù) 量備 注一生產(chǎn)規(guī)模1單晶硅棒噸/年10006″2單晶硅切片萬片/年6600125125太陽能級3多晶硅錠噸/年8338″4多晶硅片萬片/年3700156156太陽能級二產(chǎn)品方案1單晶硅棒噸/年10006″2單晶硅切片萬片/年6600125125太陽能級3多晶硅錠噸/年8338″4多晶硅片萬片/年3700156156太陽能級三年工作時間h7600四主要原材料用量1多晶硅料t/a2液氬m3/a60003鑄錠輔助材料萬元/a10000420″石英坩堝只/a25000520″石墨加熱器套/a5006卷/a215207線切割液t/a43048線切割專用砂t/a43049其它輔助材料萬元/a300010包裝萬元/a1500五供 水最大用水量萬m3／a六供電年耗電量萬kw﹒h七項目定員人6001生產(chǎn)工人人5162管理技術人員人84八總占地面積㎡168795250畝1廠區(qū)占地面積㎡1687952全廠建筑占地面積㎡九項目綜合能耗1單位產(chǎn)品能耗tce/t產(chǎn)品2項目總能耗萬tce/a十工程項目總投資萬元1建設投資萬元2建設期利息萬元25923鋪底流動資金萬元十一年均銷售收入萬元十二年均總成本萬元十三年均經(jīng)營成本萬元十四年均利潤總額萬元年均稅金萬元財務評價指標十五總投資收益率％十六投資利稅率％十七投資回收期（含建設期）年稅前年稅后十八項目財務內(nèi)部收益率％稅前％稅后十九項目財務凈現(xiàn)值萬元稅前（I=10%）萬元稅后（I=10%）二十盈虧平衡點%項目進度計劃 工程建設自2011 年1月開始組織實施，可行性研究報告批復、土建及配套工作實施、設備安裝、試生產(chǎn)等工作，整個項目的建成，將于2012年12月建成并投入試生產(chǎn)，整個建設期約為二年。（1）設備選擇原則①技術先進：在滿足工藝技術要求下，優(yōu)先選擇設備性能先進、具有較高的性能費用比、功能完善、運行維護費用低、單位產(chǎn)品物耗、能耗低、加工程度和加工能力較高。采用已充分驗證并經(jīng)過使用的設備；生產(chǎn)穩(wěn)定性高。國內(nèi)設備無法滿足工藝要求得情況下，引進國外設備。生產(chǎn)太陽能級單晶硅片和太陽能級多晶硅片需要的各種能耗以每噸產(chǎn)品為基準的耗實物量、折標煤量、所占百分比見下表。圖21 項目能源消費比例圖第三章 能源供應情況評估第一節(jié) 項目所在地能源供應條件及消費情況 項目所在地的能源供應情況本項目規(guī)劃建設在xxxxxxxxxxxx工業(yè)園，xxxxxx工業(yè)園位于xxxxxx縣城東南部，園區(qū)從2001年開始建設，始終堅持高起點規(guī)劃、高標準建設、搞效益經(jīng)營的發(fā)展思路，科學建園、工業(yè)強縣，走新型工業(yè)化發(fā)展道路。（1）能源狀況本項目的主要消費能源為電和水，項目建設位于xxxxxx縣工業(yè)園區(qū)廣源路南側與園區(qū)九路交匯處，縣城新建變電站內(nèi)設有110kV/10kV降壓變壓器1臺，變壓器容量為40MVA。項目給水水源為縣自來水廠供水管網(wǎng)，水源為地下水，完全能夠滿足企業(yè)對誰的要求。項目區(qū)內(nèi)有專用電網(wǎng)體系，電力供應有保障。（3）水資源xxxxxx縣境內(nèi)山溪河港縱橫交織，境內(nèi)主要干流為南潦河，屬常流河，流域面積約1531km2，自西向東橫貫全縣，歷年平均流量104m3/s。項目所在地的能源消費情況（1）電力資源消費情況本項目規(guī)劃建設在xxxxxxxxxxxx工業(yè)園區(qū)，園區(qū)企業(yè)的能源消費結構中，電力資源占有較大比重，2009年，園區(qū)全年消耗電力約25875萬kWh。（），居民生活用水87萬t，綠化用水1萬t。本工程用電總裝機容量為30000KVA，詳見工程用電負荷表。用水情況本工程所在xxxxxx工業(yè)園區(qū)給排水設施完善，能滿足本工程生產(chǎn)、生活、消防用水及排水的要求，因此，本工程給水和排水可以直接接入原有的給水、排水管網(wǎng)。項目能源消費對當?shù)啬茉聪M的影響本項目的主要消費能源電力、水、壓縮空氣、氬氣等，其中電力、水從xxxxxx工業(yè)園區(qū)供電線路和給水管網(wǎng)中購入，壓縮空氣由電力轉化而來，氬氣從附近供應商購入，因此，本項目的能源消耗主要是電力、水。為保證本項目建設用電的安全和穩(wěn)定，xxxxxx縣供電公司將為本項目架設獨立電網(wǎng)體系，以確保企業(yè)正常生產(chǎn)用電需求。（）。項目位于xxxxxx省xxxxxx縣，（等價值）。因此，本項目的能源消費對當?shù)氐哪茉聪M影響不大。便捷的地理位置，有利于減少原輔材料及成品運輸中間的運轉環(huán)節(jié)，從而達到減少能源消費的目的。建筑設計項目