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計(jì)算機(jī)組成原理試卷-在線瀏覽

2024-07-18 22:16本頁面
  

【正文】 度快C: 前者有利于編譯生成優(yōu)化代碼,后者不便于編譯D:前者指令功能簡單,后者指令功能復(fù)雜答案:B 許多企事業(yè)單位現(xiàn)在都使用計(jì)算機(jī)計(jì)算、管理職工工資,這屬于計(jì)算機(jī)的______應(yīng)用領(lǐng)域。A:提高主存儲器的存取速度B:擴(kuò)大主存儲器的存儲空間,并能進(jìn)行自動(dòng)管理和調(diào)度C:提高外存儲器的存取速度D:擴(kuò)大外存儲器的存儲空間答案:B2 某SRAM芯片,存儲容量為64K16位,該芯片的地址線和數(shù)據(jù)線數(shù)目為( )。16,64C:16,16 答案:D2 主存儲器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的記憶設(shè)備,它主要用來______。 B:存放程序C:A:基值寄存器內(nèi)容加上形式地址(位移量)B:堆棧指示器內(nèi)容加上形式地址(位移量)C:變址寄存器內(nèi)容加上形式地址(位移量)D:程序記數(shù)器內(nèi)容加上形式地址(位移量)答案:C2 關(guān)于微指令的編碼方式,下面敘述正確的是______。透明的DMAB:交替訪問C:A:存儲器容量B:機(jī)器字長C:指令的長度D:CPU的管腳數(shù)答案:B2 下列說法中正確的是______。答案:3 采用下址字段法控制微程序執(zhí)行順序的微程序控制器中,一定要有微程序計(jì)數(shù)器。答案:3 一般采用補(bǔ)碼運(yùn)算的二進(jìn)制減法器,來實(shí)現(xiàn)定點(diǎn)二進(jìn)制數(shù)加減法的運(yùn)算。答案:3 組成總線不僅要有傳輸信息的傳輸線,還應(yīng)有實(shí)現(xiàn)總線控制的器件,即總線緩沖器和總線控制器。答案:3 一旦有中斷請求出現(xiàn),CPU立即停止當(dāng)前指令的執(zhí)行,轉(zhuǎn)而去受理中斷請求。答案: 任何兩個(gè)數(shù)相減不會產(chǎn)生溢出。答案:√4 處理大量輸入輸出數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī),一定要設(shè)置十進(jìn)制運(yùn)算指令。 答案:√4 在虛擬存儲器中,輔助存儲器與主存儲器以相同的方式工作,因此允許程序員用比主存空間大得多的輔存空間編程。答案:三、填空(在空白處填上正確的文字、得數(shù)、編號或圖形)4 按照連接部件的不同,總線可以分為片內(nèi)總線、(A)和(B)。答案:A統(tǒng)一編址機(jī)器字長是指(A )。機(jī)器字長也會影響計(jì)算機(jī)的運(yùn)算速度。適合于(A)的場合。答案:A:速度差別不大B:沒有統(tǒng)一時(shí)鐘控制50、 一片容量為32k8的SRAM存儲器芯片,地址線有 答案:CPU可以直接進(jìn)行隨機(jī)讀寫,訪問速度較高。答案:A:當(dāng)前正在運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)B:暫時(shí)不用的程序和數(shù)據(jù)5 Cache的命中率與程序的行為、(A)、組織方式、(B)有關(guān)。答案:答案:5 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)由(A)系統(tǒng)和軟件系統(tǒng)構(gòu)成,主機(jī)由(B)與控制器、存儲器構(gòu)成。 硬件BPC:Program Counter,程序計(jì)數(shù)器,其功能是(A ),并可自動(dòng)計(jì)數(shù)形成下一條指令地址。答案:A:11011B: 101015 在輸入輸出系統(tǒng)中,軟件控制方式包括A_____方式和B________方式。答案:A組合邏輯設(shè)計(jì) B微程序設(shè)計(jì)四、名詞解釋(解釋下列名詞,縮寫應(yīng)先寫(譯)出全文再解釋)6 軟件答案:由程序構(gòu)成的系統(tǒng),分為系統(tǒng)軟件和應(yīng)用軟件兩種。6 小數(shù)端答案: 高位數(shù)據(jù)和低位數(shù)據(jù)在存儲器中的存儲次序,將多字?jǐn)?shù)據(jù)的最低字節(jié)存儲在最小地址位置。五、簡答題()6 比較靜態(tài)存儲器和動(dòng)態(tài)存儲器的存儲原理和特點(diǎn)。SRAM一般用來作為計(jì)算機(jī)中的高速緩沖存儲器(Cache)。 DRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器(Dynamic Random Access Memory),它是利用場效應(yīng)管的柵極對其襯底間的分布電容來保存信息,以存儲電荷的多少,即電容端電壓的高低來表示“1”和“0”。因此它的集成度較高,功耗也較低,但缺點(diǎn)是保存在DRAM中的信息__場效應(yīng)管柵極分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會逐漸消失,一般信息保存時(shí)間為2
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