模電總結(jié)復(fù)習(xí)資料-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)-在線瀏覽
2025-06-04 04:21本頁(yè)面
【正文】 概念交流電流流通的回路*畫(huà)法電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。*交流負(fù)載線 連接Q點(diǎn)和V CC’點(diǎn) V CC’= UCEQ+ICQR L’的 直線。*消除方法減小Rb，提高Q。*消除方法增大Rb、減小Rc、增大VCC 。 （2）范圍 *當(dāng)（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ ）時(shí)，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。*當(dāng)（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。2. 放大電路的動(dòng)態(tài)分析 * 放大倍數(shù) * 輸入電阻* 輸出電阻7. 分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)共射 放大電路的等效電路法1．靜態(tài)分析2．動(dòng)態(tài)分析*電壓放大倍數(shù)在Re兩端并一電解電容Ce后輸入電阻在Re兩端并一電解電容Ce后* 輸出電阻八. 共集電極基本放大電路1．靜態(tài)分析2．動(dòng)態(tài)分析* 電壓放大倍數(shù)* 輸入電阻* 輸出電阻3. 電路特點(diǎn) * 電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱(chēng)為射極跟隨器，簡(jiǎn)稱(chēng)射隨器。 第三章 場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路 一. 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（ JFET ） 2. 輸出特性曲線 （可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）轉(zhuǎn)移特性曲線UP 截止電壓 二. 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。* NDMOS的輸出特性曲線注意：uGS可正、可零、可負(fù)。三. 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) (表明場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件)四. 場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)等效模型EMOS 的跨導(dǎo)gm 五. 共源極基本放大電路* 靜態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析 若帶有Cs，則 * 靜態(tài)分析* 動(dòng)態(tài)分析 若源極帶有Cs，則 * 靜態(tài)分析或* 動(dòng)態(tài)分析 第四章 多級(jí)放大電路1. 級(jí)間耦合方式1. 阻容耦合各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立；能有效地傳輸交流信號(hào)；體積小，成本低。 2. 變壓器耦合 各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立，可以實(shí)現(xiàn)阻抗變換。 3. 直接耦合低頻特性好，便于集成。存在“零點(diǎn)漂移”現(xiàn)象。二. 單級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)1．中頻段(fL≤f≤fH)波特圖幅頻曲線是20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是φ=180o。 ICQ≈0， 導(dǎo)通角為180o，效率高，失真大。 二. 乙類(lèi)功放電路的指標(biāo)估算1. 工作狀態(tài)216。 盡限狀態(tài)：Uom=VCCUCES216。 2. 解決辦法216。 動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類(lèi)狀態(tài)估算。 甲乙類(lèi)單電源互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大器OTL電容 C2 上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負(fù)電源VCC。四. 復(fù)合管的組成及特點(diǎn)1. 前一個(gè)管子ce極跨接在后一個(gè)管子的bc極間。3. β=β1(或共源)放大電路，以提高放大倍數(shù)。，為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流。 Re對(duì)溫度漂移及各種共模信號(hào)有強(qiáng)烈的抑制作用，被稱(chēng)為“共模反饋電阻”。 2．當(dāng)ＡＦ＝０時(shí)，表明反饋效果為零。4．當(dāng)ＡＦ＝－１時(shí) ，Ａｆ→∞ 。二．反饋的形式和判斷1. 反饋的范圍本級(jí)或級(jí)間。直流通路中存在反饋則為直
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