初級、助理電子工程師試題、答案-在線瀏覽
2024-12-25 16:59本頁面
【正文】 C、只有 TTL 與非門、電位器在任何位置 D、兩類與非門、電位器在任何位置均不 能使發(fā)光管發(fā)光。 文氏電橋 RC 正弦波振蕩器起振的相位條件是 ，幅度條件是 。 完成下列數(shù)制轉(zhuǎn)換：（ 246） 10=（ ） 16=（ ） 2 。 ADC 0809 是多路輸入， 位 A/D 轉(zhuǎn)換電路，其轉(zhuǎn)換時間為 us。 用 7812 等元器件制成串聯(lián)調(diào)整穩(wěn)壓電源，其 7812 輸入端的濾波電容容量大致為 uF，其耐壓至少為 伏。 五、 綜合題（第 1 題 9 分，第 2 題 10分，共 19分） 設計一溫度采集、存儲、顯示及回控的閉路系統(tǒng)，已知被測溫度范圍為 30OC～ 70 OC,測量誤差為 OC，請回答： ○1 畫出系統(tǒng)的電路組成框圖。 ○3 若每 10 秒存儲 一個采樣值，則存儲 10 個小時所需的存儲器的容量是多少？ 已知 51 單片機 P1 接口的電路結(jié)構如圖示，請回答： ○1 圖中鎖存器作何用？ ○2 圖中 A、 B 是何器件？ 作何用？ ○3 在讀取外部數(shù)據(jù)時， CPU 如何 操作？場效應管如何工作？ 試題答案 一、 是非題（每題 分，共 24 分） X √ √ X √ √ X X X X 1 √ 1 √ 1 X 1 √ 1 √ 1 X 二、 選擇題（每題 2 分，共 26 分） D A D B C D A C D A 1 B 1 B 1 C 三、 填空題（每題 2 分，共 16 分） 共 e；共 c、共 b 正反饋（答 φ a+φ f=2n∏也可）；環(huán)路增益大于 1（答 AV●FV1 也可） 大；窄 （ F6） 16=（ 1111 0110） 2 二 ?十 進制； 4 8； 100us 硬件，軟件 幾千；大于 25 四、 簡答題（每題 5 分，共 15 分） ○1 RC1μ S( 分 ) ○2 RC1μ S( 分 ) ○3 運放起隔離、緩沖作用，減弱負載 RL對 RC 電路的影響（ 2 分） ○1 復位是微處理器或單片機的初始化操作； 復位目的使 CPU 其他功能部件都處于一個確定的初始狀態(tài)，并從此狀態(tài)開始工作。 D/A 選用指標： a、與 A/D 配合、選用 10 位 D/A b、轉(zhuǎn)換速率無要求。 10秒247。 、 B 為三態(tài)緩沖器，以控制是讀鎖存器還是讀引腳。 真題和模擬題題目和答案（ 3） 一、是非題（每題 分，共 24 分） （ ）交流 220V 市電電網(wǎng)應是電壓源，它的內(nèi)阻愈大愈好。 （ ）負反饋雖使放大器的增益下降，但可加大放大器的頻帶寬度，即使 fH、 fL均增大。 （ ）對輸入信號而言，場效應管放大器的動態(tài)范圍要比 BJT 管放大器的動態(tài)范圍大許多。 （ ）邏輯代數(shù)中，存在下述關系： A+BC=(A+B)(A+C)。 （ ） N進制計數(shù)器可以實現(xiàn)（ N1）次分頻。 1（ ） SN54HХХ /74HХХ 系列器件均為高速系列數(shù)字集成芯片。 1（ ） 51 單片機中，堆棧存放數(shù)據(jù)的原則是先進后出，后進先出，數(shù)據(jù)進棧后，棧頂向下移動，棧指針 SP 值隨之減小。 1（ ） ARM7 處理器的字長為 32 位，所有數(shù)據(jù)操作均以半字（ 16 位）為單位。 二、選擇題（每題 2分，共 26 分） （ ）已知電路如圖示，輸出 L 與輸入 A、 B 的邏輯關系為： A、 L=A?B B、 L=A?B C、 L=A+B D、 L=A+B （ ）已知放大電路如圖示，若電容 Ce 值變小，則會造成： A、下限截止頻率 fL變低 上限截止頻率 fH變高 B、 fL變高， fH變低 C、 fL、 fH均變高 D、 fL、 fH圴變低 （ ）已知放大電路如圖示，輸出 V0 V02 與輸入 Vi信號間的幅度關系為： A、 |V01|≈| V02|≤ 1 B、 |V01|≈| V02|≥ 1 C、 |V01||V02|1 D、 |V01|1， |V02|≤ 1 （ ）已知倍壓整流濾波電路如圖示，已知輸入的交流電壓為 10 伏，則二極管 D1的耐壓為： A、大于 10V B、大于 C、大于 20V D、大于 （ ）已知音頻功率放大電路如圖示， 輸入信號 Vi為 2伏，則負載 RL上 的電壓大致為（設 C的容量足夠大） A、大于 2 伏 B、 5伏左右 C、略小于 2伏 D、
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