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回復(fù)與再結(jié)晶ppt課件(2)-在線瀏覽

2025-03-03 11:40本頁面
  

【正文】 過程;然后通過逐漸消耗周圍變形晶粒而長大,轉(zhuǎn)變成為新的等軸晶,直至冷變形晶粒完全消失。 8 冷變形金屬在加熱時(shí)的性能變化 A:強(qiáng)度、硬度和塑性 strength, hardness and ductility:回復(fù)階段變化非常小,再結(jié)晶時(shí)硬度降低,塑性升高,晶粒長大后趨于緩慢 。 C:內(nèi)應(yīng)力 inner stress: 回復(fù)之后,宏觀內(nèi)應(yīng)力基本消除,微觀內(nèi)應(yīng)力部分消除;再結(jié)晶后,冷變形造成的內(nèi)應(yīng)力全部消除 。 E:儲能的釋放 energy release: 當(dāng)加熱到足以引起應(yīng)力松弛的溫度時(shí),儲能就釋放出來,再結(jié)晶階段儲能釋放最多,達(dá)到峰值 。 ( b)經(jīng)過 580186。 ( c)是在 580186。 ( d)在 580186。 ( e)是保溫 15分后的金相組織。 ( f)則是在 700186。 11 退火溫度與黃銅強(qiáng)度、塑性和晶粒大小的關(guān)系 拉伸強(qiáng)度 延展性 退火溫度 晶粒大小 拉伸強(qiáng)度 退火溫度愈高晶粒長得愈大,拉伸強(qiáng)度下降得愈多,塑性則增加得愈多。如空位與其他缺陷合并、同一滑移面上的異號位錯(cuò)相遇合并而使缺陷數(shù)量減少等。 回復(fù) recovery 13 回復(fù)機(jī)理 recovery mechanism 移至晶界 、 位錯(cuò)處 點(diǎn)缺陷運(yùn)動(dòng) 空位+間隙原子 消失 缺陷密度降低 空位聚集 ( 空位群 、 對 ) 1 低溫回復(fù)機(jī)制 ? 點(diǎn)缺陷的運(yùn)動(dòng) ! 14 異號位錯(cuò)相遇而抵銷 ? 位錯(cuò)密度降低 位錯(cuò)滑移 位錯(cuò)纏結(jié)重新排列 ? 亞晶規(guī)整化 2 中溫回復(fù)機(jī)制 ? 位錯(cuò)滑移 ! 15 位錯(cuò)攀移 ( +滑移 ) 位錯(cuò)垂直排列 ( 亞晶界 ) 多邊化 ( 亞晶粒 ) 彈性畸變能降低 。 0 100 200 300 400 500oC 450oC 400oC 350oC 300oC 時(shí)間 /min. 剩余應(yīng)變硬化分?jǐn)?shù)(1R) 同一變形度的 Fe在不同溫度下的回復(fù) 回復(fù)是一個(gè)馳豫過程 (relaxation process) 17 ? 在回復(fù)階段,金屬組織變化不明顯,其強(qiáng)度、硬度略有下降,塑性略有提高,但內(nèi)應(yīng)力、電阻率等顯著下降。 18 回復(fù)階段退火的作用: ? 提高擴(kuò)散 ? 促進(jìn)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng) ? 釋放內(nèi)應(yīng)變能 回復(fù)退火產(chǎn)生的結(jié)果: ? 電阻率下降 ?硬度、強(qiáng)度下降不多 ? 降低內(nèi)應(yīng)力 19 回復(fù)退火產(chǎn)生的結(jié)果: ? 電阻率下降 ?硬度、強(qiáng)度下降不多 ? 降低內(nèi)應(yīng)力 Plastic deformation Work hardening Residual stress 加熱溫度 ℃ 5th √ ? Annealing Recovery Recrystallization Grain growth ?? 20 ? 當(dāng)變形金屬被加熱到較高溫度時(shí),由于原子活動(dòng)能力增大,晶粒的形狀: 破碎拉長的晶粒 ? 等軸晶粒 。 ? 再結(jié)晶是一個(gè)晶核形成和長大的過程,但不是相變過程,再結(jié)晶前后新舊晶粒的晶格類型和成分完全相同。 驅(qū)動(dòng)力: 變形金屬經(jīng)回復(fù)后未被釋放的儲存能(相當(dāng)于變形總儲能的 90%)。 再結(jié)晶的驅(qū)動(dòng)力? 22 鐵素體變形 80% 670℃ 加熱 650℃ 加熱 23 新晶粒的形核 形核: 是在現(xiàn)存的局部高能區(qū)域內(nèi),以多邊化形成 的亞晶 為基礎(chǔ)形核 變形程度較小 時(shí)(小于 20%),各晶粒間由于變形不均勻而引起位錯(cuò)密度不同,相應(yīng)亞晶尺寸不同,為降低系統(tǒng)的自由能,位錯(cuò)密度小的晶粒中的亞晶通過晶界凸入另外晶粒中,以吞食方式開始形成無畸變的再結(jié)晶晶核。 ( b) 亞晶遷移機(jī)制: 位錯(cuò)密度較大的 亞晶界 ,向位向差較大的周圍亞晶方向 遷移 ,并逐漸轉(zhuǎn)化為 大角晶界 ,成為形核中心并長大。 26 變形程度 的影響: 冷變形越大,儲能越多,驅(qū)動(dòng)力越大, ?長大越快, T再 越低 再 結(jié) 晶的形核與長大都受到 儲存能的驅(qū)動(dòng) ,主要影響因素有: 原始晶粒尺寸 :晶粒越細(xì),變形抗力越大,變形后的儲能越高, ?T再 越低; 微量溶質(zhì)原子 :易與位錯(cuò)交互作用,阻礙形核和長大, ?提高 T再 ; 第二相粒子 :可提高、或降低再結(jié)晶溫度; 退火工藝 :加熱速度、加熱溫度、保溫時(shí)間等工藝參數(shù)的影響。形核率;再結(jié)晶體積分?jǐn)?shù);~~~)3e x p(143GNtGNRR????????常數(shù)。 固態(tài)相變 再結(jié)晶 30 再 結(jié) 晶 溫 度 recrystallization temperature 定義 1: 冷變形金屬開始進(jìn)行再結(jié)晶的 最低溫度 。 ? 再結(jié)晶不是一個(gè)恒溫過程,它是自某一溫度開始,在一個(gè)溫度范圍內(nèi)連續(xù)進(jìn)行的過程, 發(fā)生再結(jié)晶的最低溫度稱再結(jié)晶溫度。 當(dāng)變形度達(dá)到一定值后,再結(jié)晶溫度趨于某一最低值,稱最低再結(jié)晶溫度。 33 加熱速度和保溫時(shí)間 ? 提高加熱速度會使再結(jié)晶推遲到較高溫度發(fā)生 , 延長加熱時(shí)間 , 使原子擴(kuò)散充分 , 再結(jié)晶溫度降低。 再結(jié)晶退火溫度比再結(jié)晶溫度高 100~200℃ 。~)( 41NG
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