光電陰極與光電倍增管-在線瀏覽
2025-07-14 01:33本頁(yè)面
【正文】 ion Display ） 索尼 2021 被視為繼液晶、等離子、 OLED之后的第四大平板顯示技術(shù) 場(chǎng)致發(fā)射顯示器（ FED） Mo SiO2 Glass Mo Si 場(chǎng)發(fā)射陣列制作過(guò)程 金屬或半導(dǎo)體受光照時(shí)，如果入射的光子能量 hν 足夠大，它和物質(zhì)中的電子相互作用，使電子從材料表面逸出的現(xiàn)象，也稱為外光電效應(yīng)。SE 由于 I層比 PN結(jié)寬的多，光生電流增大 。 （ 3）可在零偏壓下工作，常在反偏置下工作。知識(shí)回顧 分類 符號(hào) 接法 光敏二極管符號(hào) 光敏二極管接法 與普通二極管相比 共同點(diǎn)： 一個(gè) PN結(jié)，單向?qū)щ娦? 不同點(diǎn)： （ 1）受光面大， PN結(jié)面積更大， PN結(jié)深度較淺 （ 2）表面有防反射的 SiO2保護(hù)層 （ 3）外加反偏置 與光電池相比 共同點(diǎn)： 均為 PN結(jié)，利用光伏效應(yīng)， SiO2保護(hù)膜 不同點(diǎn)： （ 1）結(jié)面積比光電池的小，頻率特性好 。 （ 2）光生電勢(shì)與光電池相同，但電流比光電池小 。 根據(jù)共發(fā)射極電流關(guān)系有： Ib＝ Ip Ic = Ie = （ 1+β） Ib = （ 1+β） Ip = （ 1+β） E 由于耗盡層變寬，結(jié)電容變??；提高響應(yīng)速度 ； 由于 I層電阻率很高，故能承受的電壓增大 。它是真空光電器件光電陰極的物理基礎(chǔ)。 h： 普朗克常數(shù)。 W： 金屬電子的逸出功（從材料表面逸出時(shí)所需的 最低 能量），單位 eV，與材料有關(guān)的常數(shù)， 也稱功函數(shù)。 波長(zhǎng)閾值： hνW? hc/λW ? λ hc/W= λ =(μm) 當(dāng)入射光波長(zhǎng)大于 λ時(shí)，不論光強(qiáng)如何，以及照射時(shí)間多長(zhǎng)，都不會(huì)有光電子產(chǎn)生。 圖 光電子最大動(dòng)能與入射光頻率的關(guān)系 ν ν 0 Wmax 0 (1/2)mυ2max=hν hν0 =hν W 為什么會(huì)彎曲？ 光電陰極 能夠產(chǎn)生光電發(fā)射效應(yīng)的物體稱為光電發(fā)射體，光電發(fā)射體在光電器件中常與陰極相聯(lián)故稱為光電陰極 。 光吸收系數(shù)大得多，散射能量損失小，量子效率比金屬大得多－－光譜響應(yīng)：可見(jiàn)光和近紅外波段。 它表示在某些特定的波長(zhǎng)區(qū)域，陰極光電流與入射光的光通量之比。 實(shí)際上是局部波長(zhǎng)范圍的積分靈敏度 QB:中國(guó)青色或蘭色玻璃 (德國(guó) :BG) HB:中國(guó)紅色玻璃 4()M T T?? 陰極發(fā)射的 光電子數(shù) Ne(λ)與 入射的光子數(shù) Np(λ)之比，稱為量子效率 : 根據(jù)定義 :量子效率和光譜靈敏度之間的關(guān)系為 : 式中 ,λ單位為 nm； S(λ)為光譜靈敏度 ， 單位為 A/W。 (3) 光譜靈敏 度 ()()()eIS ???? ?)()()(pe????NN??????????? 1240)()(/)(/)()(e???? SqhcShqI 光電陰極中有一些電子的 熱能 有可能大于光電陰極逸出功， 因而可產(chǎn)生熱電子發(fā)射 。 S(λ) λ/nm 為什么會(huì)有峰值？ 光電陰極一般分為 :透射型與反射型兩種 。光電子則從光電陰極的另一邊發(fā)射出來(lái)，所以透射型陰極又稱為 半透明光電陰極。 AgOCs光電陰極主要應(yīng)用于 近紅外探測(cè)。如 S1所示。 350 nm, 800 nm (三 ). 常用光電陰極材料 (1) AgOCs具有良好的可見(jiàn)和近紅外響應(yīng)。 如 S4。 (三 ). 常用光電陰極材料 (1) AgOCs具有良好的可見(jiàn)和近紅外響應(yīng)。 其紅外端可延伸 到930nm，量子效率高于 20 %。 (2)單堿銻化合物 (PEA) (3)多堿銻化合物 (PEA) (4)紫外光電陰極材料 某些應(yīng)用，要求光電陰極材料只對(duì)所探測(cè)的紫外輻射靈敏，對(duì)可見(jiàn)光無(wú)響應(yīng)。目前實(shí)用的紫外光電陰極 碲化銫 (CsTe)和 碘化銫 (Csl)兩種。 (2)單堿銻化合物 (PEA) (3)多堿銻化合物 (PEA) (4)紫外光電陰極材料 負(fù)電子親和勢(shì) 材料制作的光電陰極與 正電子親和勢(shì) 材料光電陰極相比 ,具有以下四點(diǎn)特點(diǎn) c. 熱電子發(fā)射
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