哈工程核學(xué)院核電子學(xué)模電基礎(chǔ)-展示頁
2025-02-22 23:30本頁面
【正文】 OSFET) 耗盡型 N溝道 P溝道 增強(qiáng)型 N溝道 N溝道 P溝道 P溝道 利用輸入電壓產(chǎn)生的電場效應(yīng)來控制輸出電流，屬電壓控制型器件。 室溫下集電極反向飽和電流 ICBO很??；當(dāng)溫度升高時(shí)，少子濃度增加， ICBO急劇增大，約 1倍 /10℃ 。 2～ ℃ 。 ?擊穿區(qū)： UCE增大到某一值時(shí)， IC會(huì)急劇上升，集電結(jié)發(fā)生雪崩擊穿。相當(dāng)于一個(gè)斷開的開關(guān)。 模電基礎(chǔ) ——（三極管） ? ? BC CE Ii f u ?? 常 數(shù)?截止區(qū)： IB≤0的區(qū)， IC=ICEO近似為零。硅管 UBE（ th） 約 ，鍺管 UBE（ th） 約 。 特殊二級(jí)管 ： 穩(wěn)壓二極管 發(fā)光二極管 光電二極管 變?nèi)荻O管 模電基礎(chǔ) ——（三極管） 三極管（晶體管 BJT）的結(jié)構(gòu)及其類型 為實(shí)現(xiàn)電流控制和放大作用，晶體管的三個(gè)區(qū)在制作時(shí)結(jié)構(gòu)、尺寸和摻雜濃度要保證三點(diǎn)： ?基區(qū)很薄，厚度只有幾微米，摻雜濃度很低 ?發(fā)射區(qū)和集電區(qū)摻雜類型相同，但發(fā)射區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于集電區(qū) ?集電結(jié)面積大于發(fā)射結(jié)面積 模電基礎(chǔ) ——（三極管） （ a）以基極作為輸入端，集電極作為輸出端； （ b）以基極作為輸入端，發(fā)射極作為輸出端； （ c）以發(fā)射極作為輸入端，集電極作為輸出端。模電基礎(chǔ) 和運(yùn)算放大器 模電基礎(chǔ) ——（二極管） PN結(jié)形成 模電基礎(chǔ) ——（二極管） PN結(jié)單向?qū)щ娦? 模電基礎(chǔ) ——（二極管） 半導(dǎo)體二極管（簡稱二極管）是由 PN結(jié)加上電極引線和管殼組成的。 模電基礎(chǔ) ——（二極管） /( 1 )TUUSI I e?? 伏安特性 / ( 26 m V )TU T q??? 常 溫 下 模電基礎(chǔ) ——（二極管） 溫度對(duì)伏安特性的影響 模電基礎(chǔ) ——（二極管） 勢壘電容 CB 空間電荷區(qū)的寬度及其里面存儲(chǔ)的空間電荷量 擴(kuò)散電容 CD 圖 18 J B DC C C??結(jié)電容 CJ PN結(jié)上外加電壓的極性和大小變化 模電基礎(chǔ) ——（二極管） 二極管在電路中有廣泛的應(yīng)用：利用它的單向?qū)щ娦?，可組成 整流、限幅、檢波 電路，還可以用于 元件保護(hù) 以及數(shù)字電路中作為 開關(guān)元件 等。 模電基礎(chǔ) ——（三極管） ——放大 （以 NPN共發(fā)射極為例） E E N C N B NB B N C B OC C N C B OE C BI I I II I II I II I I? ? ???????(1) (2) (4) (3) 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 UC﹥ UB﹥ UE 模電基礎(chǔ) ——（三極管） ——放大狀態(tài) CN C CBOB N B CBOI I II I I??????共基直流電流放大系數(shù)： CNEII? ??共射直流電流放大系數(shù) 忽略 ICBO ? ?1CBEBE C BIIIII I I???????由上頁 (2)(3)式可得電流關(guān)系： ? ?1C E C B OB E C B OI I II I I????? ? ?忽略 ICBO CEII? ??兩放大系數(shù)關(guān)系： 1???? ?1???? ? 模電基礎(chǔ) ——（三極管）
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