集成電路原理與設(shè)計(jì)重點(diǎn)內(nèi)容總結(jié)-展示頁(yè)
2025-07-04 19:07本頁(yè)面
【正文】 。(5)用外延襯底。(3)使襯底加反向偏壓。在版圖設(shè)計(jì)中合理安排n阱接VDD和p型襯底接地的引線孔，減小寄生雙極晶體管基極到阱或襯底引出端的距離。若Q1和Q2的電流增益乘積大于1，將使電流不斷加大，最終導(dǎo)致電源和地之間形成極大的電流，并使電源和地之間鎖定在一個(gè)很低的電壓（Von+VCES），這就是閂鎖效應(yīng)。如圖所示，如果外界噪聲或其他干擾使Vout高于VDD或低于0，則引起寄生雙極型晶體管Q3或Q4導(dǎo)通，而Q3或Q4導(dǎo)通又為Q1和Q2提供了基極電流，并通過(guò)RW或RS使Q1或Q2的發(fā)射結(jié)正偏，導(dǎo)致Q1或Q2導(dǎo)通。閂鎖效應(yīng)：(P27)閂鎖效應(yīng)是CMOS集成電路存在一種寄生電路的效應(yīng)，它會(huì)導(dǎo)致VDD和VSS短路，使得晶片損毀。硅柵工藝也叫自對(duì)準(zhǔn)工藝。制作硅柵目前MOS晶體管大多采用高摻雜的多晶硅作為柵電極，簡(jiǎn)稱硅柵。通過(guò)光刻和刻蝕去掉場(chǎng)區(qū)的氮化硅和緩沖的二氧化硅。場(chǎng)區(qū)氧化首先，在硅片上用熱生長(zhǎng)方法形成一薄層SiO2作為緩沖層，它的作用是減少硅和氮化硅之間的應(yīng)力。然后，根據(jù)n阱的版圖進(jìn)行光刻和刻蝕，在氧化層上開出n阱區(qū)窗口。N阱和P阱CMOS結(jié)構(gòu)制作過(guò)程：(P2125)N阱：襯底硅片的選擇MOS集成電路都選擇100晶向的硅片，因?yàn)檫@種硅界面態(tài)密度低，缺陷少，遷移率高，有利于提高器件性能。正膠：在曝光時(shí)被光照的光刻膠發(fā)生分解反應(yīng)，在顯影時(shí)很容易被去掉，而沒(méi)有被曝光的光刻膠顯影后仍然保留。常用器件的端口電極符號(hào)器件名稱端口符號(hào)縮寫Q（雙極型晶體管）M（MOS場(chǎng)效應(yīng)管）J（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）B（砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管）C（集電極），B（基極），E（發(fā)射極），S（襯底）D（漏極），G（柵極），S（源極），B（襯底）D（漏極），G（柵極），S（源極）D（漏極），G（柵極），S（源極）電路分析類型.OP 直流工作點(diǎn)分析 .TRAN 瞬態(tài)分析.DC 直流掃描分析 .FOUR 傅里葉分析.TF 傳輸函數(shù)計(jì)算 .MC 蒙特卡羅分析.SENS 靈敏度分析 .STEP 參數(shù)掃描分析.AC 交流小信號(hào)分析 .WCASE 最壞情況分析.NOISE 噪聲分析 .TEMP 溫度設(shè)置第二章 集成電路制作工藝集成電路加工過(guò)程中的薄膜：(P15)熱氧化膜、電介質(zhì)層、外延層、多晶硅、金屬薄膜。需要高性能取l接近于K，需要低功耗取l接近于1。(QCE)器件尺寸將縮小K倍，襯底摻雜濃度增加lK（1lK）倍，而電源電壓則只變?yōu)樵瓉?lái)的l/K倍。（簡(jiǎn)稱CV定律），器件的所有幾何尺寸都縮小K倍，襯底摻雜濃度增加K2倍。，使用不方便。等比例縮小定律：(種類 優(yōu)缺點(diǎn))(P78)（簡(jiǎn)稱CE定律），電源電壓也要縮小K倍，襯底摻雜濃度增大K倍，保證器件內(nèi)部的電場(chǎng)不變。集成電路原理與設(shè)計(jì)重點(diǎn)內(nèi)容總結(jié) 第一章 緒論 摩爾定律：(P4)集成度大約是每18個(gè)月翻一番或者集成度每三年4倍的增長(zhǎng)規(guī)律就是世界上公認(rèn)的摩爾定律。集成度提高原因：一是特征尺寸不斷縮小，大約每三年縮小倍；二是芯片面積不斷增大，；三是器件和電路結(jié)構(gòu)的不斷改進(jìn)。，速度提高K倍，功耗降低K2倍。閾值電壓降低，增加了泄漏功耗。，速度提高K2倍。內(nèi)部電場(chǎng)強(qiáng)度增大，載流子漂移速度飽和，限制器件驅(qū)動(dòng)電流的增加。是CV和CE的折中。寫出電路的網(wǎng)表：A BJT AMPVCC 1 0 6Q1 2 3 0 MQRC 1 2 680RB 2 3 20KRL 5 0 1KC1 4 3 10UC2 2 5 10UVI 4 0 AC 1.MODEL MQ NPN IS=1E14+BF=80 RB=50 VAF=100.OP.END，用來(lái)定義BJT晶體管Q1的類型和參數(shù)。光刻膠中正膠和負(fù)膠的區(qū)別:(P16)負(fù)膠：曝光的光刻膠發(fā)生聚合反應(yīng)，變得堅(jiān)固，不易去掉。因此
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