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正文內(nèi)容

太陽(yáng)能工藝流程-展示頁(yè)

2024-11-16 20:02本頁(yè)面
  

【正文】 工藝流程 二期擴(kuò)建項(xiàng)目主要工序流程簡(jiǎn)述 (制絨 )、清洗: 委外加工多晶 硅片 硅片腐蝕(制絨)清洗 硅片甩干 刻蝕 硅片擴(kuò)散 去硅玻璃 硅片甩干 加減反射膜 硅片背面印刷銀鋁漿 烘干 硅片背面印刷鋁漿 烘干 硅片正面印刷銀漿 燒結(jié) 太陽(yáng)能電池片 三氧化鉻、 HF、純水 異丙醇、 HCl G1 鉻酸霧、 HF G2 HCl、 HF、異丙醇 W1 含鉻、 HF 廢水 W2 HF、 HCl 廢水 S1 含鉻、異丙醇廢液 純水、 N2 W3 清排水 POCl N O2 G3 Cl2 G4P2O5 CF O2 G5 CF SiF4 純水、 HF G6 HF、 SiF4 W4 含 HF 廢水 純水、 N2 W5 清排水 SiH NH N2 G7 NH SiH4 銀鋁漿 S2 少量廢鋁銀漿 G8 少量有機(jī)物 鋁漿 S3 少量廢鋁漿 G9 少量有機(jī)物 銀漿 S4 少量廢銀漿 G10 有機(jī)物 (多晶電池片) 二期擴(kuò)建項(xiàng)目使用原材料為 P 型多晶硅薄片,使用堿腐蝕已無(wú)法滿足產(chǎn)品質(zhì)量需求,因此本擴(kuò)建項(xiàng)目使用鉻酸腐蝕硅表面形成絨面(使用濃度約在 %)。 7.燒結(jié) 燒結(jié)工序主要是將印刷好銀漿、鋁漿、銀鋁漿的電極放入燒結(jié)爐中,使?jié){料中的水分、樹脂及某些有機(jī)物揮發(fā)出來(lái)。 (即在硅片上印刷鋁漿、銀漿、銀鋁漿 ): 使用漿料印刷電極,使之形成良好接觸 ,收集電流。因而此工序會(huì)有少量的氫氟酸和四氟化硅揮發(fā)。 : 主要是去除邊緣的 N 型硅,此工序?yàn)楦煞涛g,主要是利用四 氟化碳和硅以及氧氣的反應(yīng)來(lái)去除邊緣硅,其化學(xué)反應(yīng)式為: CF4+Si+O2=SiF4↑ +CO2↑ 因而此工序有未反應(yīng)完全的四氟化碳和反應(yīng)生成的四氟化硅氣體逸出。此過(guò)程有廢氣產(chǎn)生,廢氣中含有 HCl、 HF、 H2;此工序還有堿性廢水、酸性廢水產(chǎn)生,堿性廢水中主要含有氫氧化鈉,酸性廢水中主要含鹽酸 、 氫氟酸;另外在堿腐蝕過(guò)程還會(huì)有堿性廢液硅片腐蝕(制絨)、 制純水廢水 清 損耗 洗 自來(lái) 水 硅片甩干 硅片擴(kuò)散 去硅玻璃 硅片甩干 加減反射膜 硅片背面印刷銀鋁 漿 W3 清排水 烘干 硅片背面印刷鋁漿 烘干 硅片正面印刷銀漿 燒結(jié) 刻蝕 太陽(yáng)能電池片 純水、 N2 POCl N O2 純水、 HF 純水、 N2 SiH NH N2 銀鋁漿 鋁漿 銀漿 CF O2 G1 HCl、 HF、 H異丙醇 W1 含 HF、 HCl 廢水; W2 含 NaOH 廢水 S1 含堿、異丙醇廢液 W3 清排水 W5 清排水 G2 Cl P2O5 G4 HF、 SiF4 W4 含 HF 廢水 G5 NH SiH4 S2 少量廢鋁漿 G6 少量有機(jī)物 S3 少量廢鋁漿 G7 少量有機(jī)物 S4 少量廢銀漿 G8 有機(jī)物 G3 CF SiF4 NaOH、異丙醇、 HCl、 HF、純水 委外加工 單晶 硅 片 (單晶電池片) 產(chǎn)生,其中含有較高濃度的異丙醇。蘇州阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司年產(chǎn)太陽(yáng)能電池片200MW建設(shè) 項(xiàng)目 環(huán)境影響報(bào)告書簡(jiǎn)本 一、項(xiàng)目簡(jiǎn)況 項(xiàng)目名稱: 蘇州阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司年產(chǎn)太陽(yáng)能電池片200MW 建設(shè) 項(xiàng)目 建設(shè)單位: 蘇州阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司 建設(shè)規(guī)模:年產(chǎn)太陽(yáng)能電池片 200MW 建設(shè)性質(zhì):外商獨(dú)資擴(kuò)建 建設(shè)地點(diǎn):江蘇省蘇 州高新區(qū)鹿山路 199 號(hào)廠區(qū)二期廠房預(yù)留車間內(nèi)(一樓) 投資總額 9980 萬(wàn) 美 元 占地面積:總占地 66660m2(本項(xiàng)目車間 5000m2) , 總綠化面積 19205m2(不變) 二、現(xiàn)有項(xiàng)目情況 現(xiàn)有建設(shè)項(xiàng)目主體工程 及產(chǎn)品方案 現(xiàn)有建設(shè)項(xiàng)目主體工程及產(chǎn)品方案 序號(hào) 工程名稱(車間、生 產(chǎn)裝置或生產(chǎn)線) 產(chǎn)品名稱及規(guī)格 設(shè)計(jì)能力 年運(yùn)行 時(shí)數(shù) 1 太陽(yáng)能電池片多晶硅有鉻生產(chǎn)線 ( 6條線) 太陽(yáng)能電池片 100MW/a 4800 2 太陽(yáng)能電池片單晶 硅無(wú)鉻生產(chǎn)線 太陽(yáng)能電池片 100MW/a *現(xiàn)有一期項(xiàng)目申報(bào)并通過(guò)審批的 100MW/a 太陽(yáng)能電池組件組裝項(xiàng)目目前尚未建設(shè)、生產(chǎn),并將取消該項(xiàng)目,今后也不再建設(shè)、生產(chǎn); 現(xiàn)有 項(xiàng)目 公用配套工程 現(xiàn)有項(xiàng)目公用配套工程一覽表 項(xiàng)目 建設(shè)名稱 設(shè)計(jì)能力 備注 貯運(yùn)工程 原料等 由供應(yīng)商負(fù)責(zé)送貨 汽車( 8t/d) 產(chǎn)品 由本單位用專車輛負(fù)責(zé)送貨 汽車( 5t/d) 公用 工程 給水、排水、供熱、供汽、供氣、供電、綠化等 輸送最大管徑 25cm 雨污分流 變壓器最大輸送 500KVA 由高新區(qū)統(tǒng)一供水 1200 萬(wàn)度 /年 由高新區(qū)統(tǒng)一供電 綠化 23685 平方米 廠房施工時(shí)實(shí)施 環(huán)保工程 廢氣處理 酸堿霧洗滌塔 4 套( 4個(gè) 15米排氣筒) 一期項(xiàng)目已建設(shè)實(shí)施 ( 8個(gè)排氣筒) 硅烷燃燒 塔 3 套( 3個(gè) 15米排氣筒) 活性炭吸附塔 1 套( 1個(gè) 15米排氣筒) 酸堿廢氣洗滌塔處理系統(tǒng) 1套( 1 個(gè) 25 米排氣筒) 二期擴(kuò)建項(xiàng)目已建設(shè)實(shí)施 ( 5個(gè)排氣筒) 鉻酸霧廢氣洗滌 +塔處理系統(tǒng) 1 套( 1 個(gè) 25 米排氣筒) 有機(jī)廢氣活性炭吸附系統(tǒng) 1套( 1 個(gè) 20 米排氣筒) 硅烷燃燒塔 1 套( 1 個(gè) 20 米排氣筒) 多孔碳酸鈣 +活性炭吸附塔1 套( 1 個(gè) 25 米排氣筒) 制純水設(shè)施 膜過(guò)濾純水設(shè)施 (設(shè)計(jì)規(guī)模 100t/h) 一期項(xiàng)目已建設(shè)實(shí)施 膜過(guò)濾制純水設(shè)施 (設(shè)計(jì) 規(guī)模 200t/h) 二期擴(kuò)建項(xiàng)目已建設(shè)實(shí)施 廢水處理 酸堿廢水處理 +混凝沉淀系統(tǒng)(設(shè)計(jì)規(guī)模 100t/h) 一期項(xiàng)目已建設(shè)實(shí)施 酸性廢水處理 +混凝沉淀系統(tǒng)(設(shè)計(jì)規(guī)模 200t/h) 二期擴(kuò)建項(xiàng)目已建設(shè)實(shí)施 含氫氟酸廢水處理設(shè)施 (設(shè)計(jì)規(guī)模 50t/h) ( 4條線) 3 太陽(yáng)能電池組件組 裝線 ( 6 條線) 太陽(yáng)能電池組件 100MW/a ( 6 條線) 含鉻酸廢水處理設(shè)施 (設(shè)計(jì)規(guī)模 50t/h) 廢水(尾水)后續(xù)處理系統(tǒng) (設(shè)計(jì)規(guī)模 200t/h) 固廢處理 零排放 有資質(zhì)單位回收處理不產(chǎn)生二次污染 危廢臨時(shí)貯存場(chǎng)所 50㎡ 一、二期項(xiàng)目共建實(shí)施 一般工業(yè)固廢貯存場(chǎng)所 50㎡ 成品倉(cāng)庫(kù) 100㎡ 一般原料倉(cāng)庫(kù) 100㎡ 氣罐區(qū) 30㎡ 危險(xiǎn)品倉(cāng)庫(kù) 100㎡ 噪聲 隔音設(shè)施、合理布局、廠界 綠化隔音 已實(shí)施 輔助工程 辦公 建筑面積 1174m2 已實(shí)施 用餐地點(diǎn) 面積 100m2 門衛(wèi)室 1 個(gè) 依托工程 蘇州新區(qū)第二污 水處理廠 設(shè)計(jì)日處理 8萬(wàn)噸 /天,一期 4 萬(wàn)噸 /天,運(yùn)營(yíng)穩(wěn)定 現(xiàn)有(一期)項(xiàng)目生產(chǎn)工藝流程簡(jiǎn)述及產(chǎn)污環(huán)節(jié) ( 1)一期項(xiàng)目工藝流程 現(xiàn)有項(xiàng) 目生產(chǎn)工藝流程圖(一期項(xiàng)目) 一期項(xiàng)目主要工序流程簡(jiǎn)述: (制絨 )、清洗 : P 型單晶硅薄片,經(jīng)堿腐蝕清洗烘干,制絨主要是使用堿性溶液腐蝕硅表面形成絨面。清洗主要是處理制絨后的硅片表面,使其凈化,用氫氟酸清洗殘留的堿性物質(zhì),接著用鹽酸去除表面殘留的物質(zhì),最后再用純水清洗。 堿腐蝕的反應(yīng)方程式為: 2NaOH+Si+H2O=NaSiO3+2H2 : 硅片擴(kuò)散也稱磷擴(kuò)散,是在氧氣存在的條件下,磷源分解在硅中擴(kuò)散而形成 PN 結(jié), POCl3為電子級(jí)純度,在過(guò)程中所起作用是為擴(kuò)散提供磷源,各反應(yīng)化學(xué)式如下: 5POCl3=3PCl5+P2O5 2P2O5+O2+6Si=4P+6SiO2 4PCl5+5O2=2P2O5+10Cl2 4POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2 因而硅片擴(kuò)散工序 ,有廢氣產(chǎn)生,該廢氣成分有 P2O Cl2等。 ( PSG): 主要是用氫氟酸腐蝕硅片表面的氧化層,即清除硅片表面的 SiO2層,反應(yīng)生成為微量的 SiF4和 [H2SiF6]2少量的絡(luò)合物,其一起進(jìn)入酸性廢水處理。 : 利用硅烷、氨氣之間的反應(yīng)在硅片表面形成一層加減反射膜, N2不發(fā)生反應(yīng),作為保護(hù)氣體,此工序會(huì)有少量的氨氣和硅烷揮發(fā) 。主要是使用銀漿,鋁漿,銀鋁漿,一般由金屬粉末和有機(jī)溶劑以及固體樹脂構(gòu)成,經(jīng)過(guò)燒結(jié)后有機(jī)溶劑和固體樹脂都被揮發(fā),剩余金屬與硅形成合金層。 燒結(jié)自然冷卻后即為成品單晶硅太陽(yáng)能電池片 。清洗主要是處理制絨后的硅片表面,使其凈化,用氫氟酸清洗殘留的堿性物質(zhì),接著用鹽酸去除表面殘留的物質(zhì),最后再用純水清洗。 : 硅片擴(kuò)散也稱磷擴(kuò)散,是在氧氣存在的條件下,磷源分解在硅中擴(kuò)
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