半導體物理第九章ppt課件-展示頁
2025-05-15 12:47本頁面
【正文】 湖 167。 9 異質結 ? 異質結定義： 由兩種不同的半導體單晶材料形成的結稱為異質結 (heterojunction)。 ? 異質結器件的發(fā)展： ? 1948年肖克萊提出 HBT概念和獲得專利； 1960年制造成功第一個異質結； 1969年實現(xiàn)異質結半導體激光器； 1972年 IBM實現(xiàn) HBT器件； 1980實現(xiàn) HEMT器件 ? 異質結制作技術： 外延技術 — 液相、氣相、分子束等。 異質結及其能帶圖 ? 167。 異質結在器件中的應用 主要內(nèi)容 ： 167。 如 p型 Ge與 n型 GaAs所形成的結，記為 pnGeGaAs；若異質結由 n型Ge與 p型 GaAs所形成，記為 npGeGaAs。如 n型 Ge與 n型 GaAs形成 nnGeGaAs。 21211221DDDFFDDDVVVWWEEQVqVqV????????21 ?? ??? CE? 突變 pN異質結后的熱平衡能帶圖特點 1 ? 能帶在交界面處不連續(xù)，有一個突變。因而可能會出現(xiàn)電子或空穴的堆積。對于反型異質結， 兩種半導體交界面兩邊都成為耗盡層。晶格失配導致了懸掛鍵的出現(xiàn)，引入了界面態(tài)。（ 類同金半接觸的表面態(tài)的影響 ） ? 對于晶格常數(shù)分別為 a a2的兩塊半導體形成的異質結，以某晶面為交界面時，金剛石結構半導體懸掛鍵密度為： ])([3422212122aaaaNs???])([2422212122aaaaNs???（ 111）面 （ 110）面 （ 100）面 ])([4 22212122aaaaNs???懸掛鍵密度與晶格常數(shù)關系 : ? 應
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