光輻射的調(diào)制ppt課件-展示頁(yè)
2025-05-15 04:31本頁(yè)面
【正文】 磁光調(diào)制 外調(diào)制技術(shù)適用于所有光源。第二章 光輻射的調(diào)制 機(jī)械調(diào)制 電光調(diào)制 聲光調(diào)制 磁光調(diào)制 電吸收光調(diào)制 光輻射的調(diào)制是用數(shù)字或模擬信號(hào)改變光波波形的幅度、頻率或相位的過(guò)程 在光通信系統(tǒng)中， 需要把聲音、圖像、數(shù)據(jù)信息加載到光波上進(jìn)行傳輸。 在光電檢測(cè)系統(tǒng)中， 使探測(cè)光為調(diào)制光，可以比非調(diào)制光 具有更強(qiáng)的抗干擾能力。 電吸收光調(diào)制 機(jī)械調(diào)制 利用斬波器通斷光通量，使探測(cè)光成為調(diào)制光。 斬波器 有源帶通 濾波器 探測(cè)器輸出的光電流 設(shè)計(jì)有源帶通濾波器，f0為方波頻率。 優(yōu)點(diǎn)：容易實(shí)現(xiàn)；能對(duì)輻射的任何光譜成分進(jìn)行調(diào)制。 一些機(jī)械調(diào)制裝置 電光調(diào)制 在強(qiáng)電場(chǎng)作用下介質(zhì)折射率改變而產(chǎn)生的光調(diào)制。 一、電光效應(yīng) 線性電光效應(yīng)（ Pockels） 二次電光效應(yīng)（ Kerr） 介質(zhì)原本是單軸晶體。 電光調(diào)制基于線性電光效應(yīng)。 光傳播方向與電場(chǎng)方向一致 與 X軸對(duì)應(yīng)的主折射率： Ennn 63302101 ???與 Y軸對(duì)應(yīng)的主折射率 ： Ennn63302102 ???式中， no為 KDP晶體 o光折射率， 為電光系數(shù)。 Z切。 入射光沿 X軸方向進(jìn)入晶體，其偏振方向與 Z、 Y成 45176。 與 Z軸對(duì)應(yīng)的主折射率： enn ?3與 Y軸對(duì)應(yīng)的主折射率： Ennn63302102 ???式中 ne是晶體 e光折射率， E=U/d， U為外加電壓。 半波電壓 為 : /2U?320 6 32dUnL?????通常，縱向 是數(shù)千伏， 橫向 只是數(shù)百伏。 、 在可見(jiàn)和近紅外區(qū)主要有 KDP類晶體、LiTaO LiNbO KTN等。 KDP類晶體、 LiNbO3（ LN）晶體應(yīng)用廣泛。 在晶體的光輸出端后置檢偏器 P2， 使 N2⊥N 1。 橫向電光調(diào)制裝置 分析橫向電光調(diào)制： 入射光 (光強(qiáng) I1）進(jìn)入晶體， 其振幅 A1分解成 Az、 Ay： ?45c o s1AAA yz ??兩線偏振光到達(dá)檢偏器，能透過(guò) P2的光振幅： 2 121 c o s 4 5 c o s 4 5 2zzAA A A? ? ?這兩個(gè)線偏振光射出晶體，有固定相位差： 30 6 32 LnU d?????245c o s45c o s 1212 AAAA yy ??? ??二者有固定相位差 π +δ ， 則通過(guò) P2的光強(qiáng)： 2 2 2 22 2 2 2 2 2 222112
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1