陣列感應(yīng)資料處理培訓(xùn)-展示頁(yè)
2025-01-22 13:40本頁(yè)面
【正文】 ） √ √ R6（ 27） √ √ R7（ 39） √ √ R8（ 72） √ √ MIT5530原始測(cè)量信號(hào) MIT5530陣列感應(yīng)測(cè)量信號(hào) 在感應(yīng)測(cè)井中，儀器的響應(yīng)特性用幾何因子來(lái)描述，包括一維特性和二維特性。傳統(tǒng)雙感應(yīng)測(cè)井中主要使用一維特性，陣列感應(yīng)測(cè)井是二維信號(hào)合成處理。 0 1 2 3 4 5 RGF (1/m)ρ (m) 子 陣列1 子 陣列2 子 陣列3 子 陣列4 子 陣列5 子 陣列6 子 陣列7 子 陣列8? MIT一維徑向積分響應(yīng)特性 ? 徑向積分響應(yīng)函數(shù)（徑向積分幾何因子），不同子陣列具有不同的探測(cè)深度，具有不同的井眼影響。短陣列具有較高的分辨率信息，隨著線圈距的增加縱向高分辨率逐漸降低。 MIT子線圈幾何因子（ 1 15） MIT子線圈幾何因子（ 2 2 3 72） MIT5530陣列感應(yīng)技術(shù)指標(biāo) 指標(biāo)名稱 指標(biāo)數(shù)據(jù) 最高溫度： 155℃ 最大壓力： 100MPa 數(shù)據(jù)傳輸： 100kbps 儀器外徑： ?95mm（電子儀： ?90mm） 儀器長(zhǎng)度： 測(cè)井速度： 1000m/h 井眼范圍： 150～ 250mm 測(cè)量范圍： ～ 1000??m 測(cè)量精度： 177。m， Rt/Rm應(yīng)在白色區(qū)域內(nèi) 。 MIT55305530所有陣列測(cè)量誤差較大 ? 陣列感應(yīng)與雙感應(yīng)相比 ,具有以下優(yōu)點(diǎn)： ? 測(cè)量信息多 ? 縱向分辨率高（陣列感應(yīng)能夠提供 , 3種縱向分辨率曲線；常規(guī)雙感應(yīng)：中感應(yīng) : 深感應(yīng) :） ? 分辨率統(tǒng)一 ? 徑向探測(cè)深度大（中感應(yīng) : 深感應(yīng) : ） ? 測(cè)量精度高，能夠詳細(xì)描述侵入剖面 ? 準(zhǔn)確確定地層真電阻率 MIT5530陣列感應(yīng)儀器優(yōu)點(diǎn) ? 一 . MIT5530儀器結(jié)構(gòu)及技術(shù)指標(biāo) ? 二 . MIT5530儀器原始曲線質(zhì)量控制 ? 三 . MIT5530測(cè)井不合格原始曲線 ? 四 . MIT5530儀器影響因素及處理流程 ? 五 . MIT5530資料處理質(zhì)量控制 ?監(jiān)控曲線 QC判定 ?測(cè)井曲線合理性判定 QC曲線判定： MIT5530儀器質(zhì)量監(jiān)控曲線 QC數(shù)值變化范圍應(yīng)小于 10％。否則需重新加電測(cè)井 。其典型地層主要有：均質(zhì)地層響應(yīng)，有井眼無(wú)侵入厚層，高侵厚層，低侵厚層情況下理論響應(yīng)。 110100 1 10 100地層電導(dǎo)率（S/m）視電導(dǎo)率（S/m） .A6HRA9HRA12HRA15HRA12MRA15MRA21MRA27MRA39MRA21LRA27LRA39LRA72LRA72MR對(duì)同線圈距的不同頻率測(cè)量信號(hào)，頻率越高受趨膚效應(yīng)影響越大； 對(duì)相同的地層電導(dǎo)率，線圈距越長(zhǎng)受趨膚效應(yīng)影響越大； ms p f L MIT5530均質(zhì)地層響應(yīng) 有井眼無(wú)侵入地層響應(yīng)（ σ m=2s/m,8inch, σ t=) 深度響應(yīng)電導(dǎo)率(s/m)6H9H12H12M15H15M21M21L27M27L39M39L72M72L有井眼高侵地層響應(yīng) （ σ m=2s/m,8inch, σ t=, σ sh=,
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