數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)之制造工藝-文庫(kù)吧資料
2025-01-27 10:42本頁(yè)面
【正文】 常還會(huì)發(fā)生電學(xué)錯(cuò)誤，如電源、地、某些輸入或輸出端的連接錯(cuò)誤。 “出錯(cuò)輸出 ”在指定 44層上給出單元 E105一個(gè)錯(cuò)誤標(biāo)志。 關(guān)于＜出錯(cuò)輸出＞語(yǔ)句，可以在其中列出出錯(cuò)單元的名稱 (Cell Name)及層次 (layName)，并寫成：＜OUTPUT CellName layName＞。則此出錯(cuò)條件是由設(shè)計(jì)人員按照設(shè)計(jì)規(guī)則編寫的。n 接觸孔和通孔，提供層與層之間的連接。n 一個(gè)或多個(gè)多晶硅層，用以形成晶體管的柵電極（同時(shí)也可用做互連層）。 n 襯底或阱，它們有 P型（對(duì) NMOS器件）和 n型（對(duì) PMOS管）。n 在一組設(shè)計(jì)規(guī)則中，最基本的要素是最小線寬版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則? 有幾種方法可以用來(lái)描述設(shè)計(jì)規(guī)則。接觸孔和通孔的說(shuō)明寬度規(guī)則示例錯(cuò)誤間距示例錯(cuò)誤交疊規(guī)則示例錯(cuò)誤交疊規(guī)則示例 設(shè)計(jì)規(guī)則 —設(shè)計(jì)者和工藝工程師之間的橋梁n 設(shè)計(jì)規(guī)則提供了一組制造各種掩模的規(guī)范，這些掩模是形成圖案的工藝過(guò)程所必須的。一個(gè)晶體管是由有源層和多晶層重疊而成。層間限制規(guī)則由于涉及到許多層，所以對(duì)版圖的理解需要具有將所畫的二維版圖想象成三維實(shí)際器件的能力。接觸孔和通孔，提供層與層之間的連接。一個(gè)或多個(gè)多晶硅層，用以形成晶體管的柵電極（也可用做互連層）；216。擴(kuò)散區(qū)（ n+和 p+),他們定義了可以形成晶體管的區(qū)域，這些區(qū)域通常稱為有源區(qū)， 再在有源區(qū)上摻雜形成晶體管。主要基于以下內(nèi)容：216。 最后一道工序是刻蝕出用來(lái)焊接引線的壓焊塊的開孔。 在最后一層金屬淀積之后，最終要淀積一層鈍化層即覆蓋玻璃來(lái)加以保護(hù)。(j) 第一層鋁淀積及圖形形成后(k) SiO2絕緣層淀積、通孔刻 蝕及第二層鋁淀積和圖形 形成后(i~k)淀積絕緣材料（多為 SiO2),刻蝕接觸孔或通孔，淀積金屬（多為鋁和銅，但在 較低的互連層中也常使用鎢），以及形成金屬層圖形。因?yàn)?未摻雜的多晶硅具有非常高的電阻率。(h)依次用離子注入分別對(duì) P和 N晶體管的源區(qū)和漏區(qū)（ p+和 n+)進(jìn)行摻雜。 這些步驟也摻雜多晶硅(g)借助多晶硅掩膜的幫助將一多晶硅薄層進(jìn)行化學(xué)淀積并形成圖形。(f)采用類似的操作（用其他摻雜劑）來(lái)形成 P阱并調(diào)整 N管的閾值。接著是第二次注入步驟以調(diào)整 P管的閾值 電壓。 這時(shí)，氮化硅犧牲層被移去。(c)采用有源區(qū)掩膜互補(bǔ)區(qū)進(jìn)行等離子 刻蝕絕緣溝槽后(c)接著利用有源區(qū)掩膜的互補(bǔ)區(qū)域進(jìn)行等離子刻蝕，以形成隔離器件的溝槽。否則一層一層的金屬疊在一起會(huì)導(dǎo)致臺(tái)階的產(chǎn)生。例如在刻蝕 SiO2時(shí)常用 HF酸。例如可化學(xué)氣相淀積（ CVD）產(chǎn)生多晶，采用濺射工藝形成鋁互連層。即高能量注入過(guò)程中原子核碰撞，造成襯底原子移位，使材料出現(xiàn)缺陷，可采用退火工序解決。因此離子法可以獨(dú)立控制注入深度和劑量。n 離子注入：它的摻雜劑是以離子的形式進(jìn)入材料。擴(kuò)散： 將圓片放在石英管內(nèi)，再放入加熱爐中，并向管內(nèi)通入含有摻雜劑的氣體，最終使得摻雜劑同時(shí)垂直和水平地?cái)U(kuò)散入暴露的表面部分。 例如：源區(qū)漏區(qū)、阱和襯底接觸的形成，多晶摻雜以及器件閾值的調(diào)整。n 當(dāng)線寬小到和光源波長(zhǎng)可以比擬時(shí)，便會(huì)產(chǎn)生衍射現(xiàn)象，這時(shí)根本就無(wú)法暴光。n 集成電路最小特征尺寸的不斷縮小已成為半導(dǎo)體制造設(shè)備開發(fā)者的沉重負(fù)擔(dān)。第七步： 各種工藝加工步驟 ，現(xiàn)在便可以對(duì)圓片的暴露部分進(jìn)行各種加工， 如離子注入、金屬刻蝕等。第五步： 酸刻蝕， 去掉圓片上未被光刻膠覆蓋部分的材料 。３、第三步： 光刻機(jī)暴光， 把一個(gè)含有我們要轉(zhuǎn)移到硅上的圖形的光柵（玻璃掩模） 靠近圓片 ，若采用負(fù)光刻膠，則掩模上需要加工的區(qū)域是不透明的， 其余部分是透明的。２、第二步： 涂光刻膠，通過(guò)旋轉(zhuǎn)圓片在其上均勻涂上一層厚約為１ um的光敏 聚合物， 它原本溶于有機(jī)溶劑，暴光后不可
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