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正文內(nèi)容

單相橋式全控整流電路課程設(shè)計(jì)-文庫(kù)吧資料

2025-07-05 11:42本頁(yè)面
  

【正文】 容保護(hù)過(guò)電壓產(chǎn)生過(guò)程:當(dāng)某一橋臂的晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)突然因果載使快速熔斷器熔斷時(shí),由于直流住電路電感中儲(chǔ)存能量的釋放,會(huì)在電路的輸出端產(chǎn)生過(guò)電壓。其中,對(duì)雷擊產(chǎn)生的過(guò)電壓,需在變壓器的初級(jí)側(cè)接上避雷器,以保護(hù)變壓器本身的安全;而對(duì)突然切斷電感回路電流時(shí)電磁感應(yīng)所引起的過(guò)電壓,一般發(fā)生在交流側(cè)、直流側(cè)和器件上,因而,下面介紹單相橋式全控整流主電路的電壓保護(hù)方法。 主電路的過(guò)電壓保護(hù)電路設(shè)計(jì)所謂過(guò)壓保護(hù),即指流過(guò)晶閘管兩端的電壓值超過(guò)晶閘管在正常工作時(shí)所能承受的最大峰值電壓Um都稱為過(guò)電壓。觸發(fā)電路同時(shí)受控于電壓uc與同步電壓us控制。⑤觸發(fā)脈沖與主電路電源必須同步。④ 觸發(fā)脈沖必須與晶閘管的陽(yáng)極電壓同步,脈沖移相范圍必須滿足電路要求。③ 觸發(fā)脈沖應(yīng)有一定的寬度,脈沖的前沿盡可能陡,以使元件在觸發(fā)導(dǎo)通后,陽(yáng)極電流能迅速上升超過(guò)掣住電流而維持導(dǎo)通。只有當(dāng)晶閘管的陽(yáng)極電流即主回路電流上升到晶閘管的掣住電流以上時(shí),晶閘管才能導(dǎo)通,所以觸發(fā)信號(hào)應(yīng)有足夠的寬度才能保證被觸發(fā)的晶閘管可靠的導(dǎo)通,對(duì)于電感性負(fù)載,脈沖的寬度要寬些,~1MS,相當(dāng)于50HZ、18度電度角。晶閘管器件出廠時(shí),所標(biāo)注的門極觸發(fā)電流Igt、門極觸發(fā)電壓U是指該型號(hào)的所有合格器件都能被觸發(fā)導(dǎo)通的最小門極電流、電壓值,所以在接近坐標(biāo)原點(diǎn)處以觸發(fā)脈沖應(yīng)一定的寬度且脈沖前沿應(yīng)盡可能陡。② 觸發(fā)信號(hào)應(yīng)有足夠的功率(觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流)。晶閘管觸發(fā)主要有移相觸發(fā)、過(guò)零觸發(fā)和脈沖列調(diào)制觸發(fā)等。根據(jù)控制要求決定晶閘管的導(dǎo)通時(shí)刻,對(duì)變流裝置的輸出功率進(jìn)行控制。第4章 輔助電路的設(shè)計(jì)對(duì)于使用晶閘管的電路,在晶閘管陽(yáng)極加正向電壓后,還必須在門極與陰極之間加觸發(fā)電壓,使晶閘管在需要導(dǎo)通的時(shí)刻可靠導(dǎo)通。單結(jié)晶體管直接觸發(fā)電路的移相范圍變化較大,而且由于是直接觸發(fā)電路它的結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單。該電路的結(jié)構(gòu)和工作原理是利用晶閘管的開(kāi)關(guān)特性實(shí)現(xiàn)將交流變?yōu)橹绷鞯墓δ?。這部分的選擇主要考慮到電路的簡(jiǎn)單性,所以才這樣的保護(hù)電路部分。整流電路中的晶閘管在觸發(fā)信號(hào)的作用下動(dòng)作,以發(fā)揮整流電路的整流作用。在電路中還加了防雷擊的保護(hù)電路。(1) 輸出電壓平均值和輸出電流平均值 (321) (322)(2)晶閘管的電流平均值和有效值 (323) (324)(3)輸出電流有效值I和變壓器二次電流有效值 (325) (4)晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓均為 該電路主要由四部分構(gòu)成,分別為電源,過(guò)電保護(hù)電路,整流電路和觸發(fā)電路構(gòu)成。在電源電壓負(fù)半周期間,晶閘管VTVT4承受正向電壓,在時(shí)觸發(fā),VTVT4導(dǎo)通,VTVT2受反相電壓截止,負(fù)載電流從VTVT2中換流至VTVT4中在時(shí),電壓過(guò)零,VTVT4因電感中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)一直導(dǎo)通,直到下個(gè)周期VTVT2導(dǎo)通時(shí),VTVT4因加反向電壓才截止。(1) 工作原理 在電源電壓正半周期間,VTVT2承受正向電壓,若在時(shí)觸發(fā),VTVT2導(dǎo)通,電流經(jīng)VT負(fù)載、VT2和T二次側(cè)形成回路,但由于大電感的存在,過(guò)零變負(fù)時(shí),電感上的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)使VTVT2繼續(xù)導(dǎo)通,直到VTVT4被觸發(fā)導(dǎo)通時(shí),VTVT2承受反相電壓而截止。門極加負(fù)脈沖即從門極抽出電流(即抽出飽和導(dǎo)通時(shí)儲(chǔ)存的大量載流子),強(qiáng)烈正反饋使器件退出飽和而關(guān)斷。 GTO一旦導(dǎo)通之后,門極信號(hào)是可以撤除的,在制作時(shí)采用特殊的工藝使管子導(dǎo)通后處于臨界飽和,而不像普通晶閘管那樣處于深飽和狀態(tài),這樣可以用門極負(fù)脈沖電流破壞臨界飽和狀態(tài)使其關(guān)斷。只有門極觸發(fā)是最精確、迅速而可靠的控制手段。晶閘管的驅(qū)動(dòng)過(guò)程更多的是稱為觸發(fā),產(chǎn)生注入門極的觸發(fā)電流IG的電路稱為門極觸發(fā)電路。由于具有擴(kuò)散工藝,(右)所示的兩個(gè)晶閘管T1(P1N1P2)和(N1P2N2)組成的等效電路。引出陽(yáng)極A、陰極K和門極(或稱柵極)G三個(gè)聯(lián)接端。廣義上講,晶閘管還包括其許多類型的派生器件。能承受的電壓和電流容量最高,工作可靠,以被廣泛應(yīng)用于相控整流、逆變、交流調(diào)壓、直流變換等領(lǐng)域,成為功率低頻(200Hz以下)裝置中的主要器件。 晶管又稱為晶體閘流管,可控硅整流(Silicon Controlled RectifierSCR),開(kāi)辟了電力電子技術(shù)迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用的嶄新時(shí)代。 單相全控橋式整流電路其輸出平均電壓是半波整流電路2倍,在相同的負(fù)載下流過(guò)晶閘管的平均電流減小一半,且功率因數(shù)提高了一半。單相全控橋式整流電路具有輸出電流脈動(dòng)小,功率因數(shù)高,
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