光電子學(xué)與光學(xué)-文庫(kù)吧資料
2025-06-24 19:23本頁(yè)面
【正文】 Opt. Commun.，Appl. Phys. Lett., IEEE J. Quan. Electron., J. ., Electron. Lett. 等國(guó)際著名刊物上，在國(guó)內(nèi)外有較大影響。本建設(shè)項(xiàng)目學(xué)科研究領(lǐng)域不斷擴(kuò)大，形成多個(gè)研究方向，受到國(guó)內(nèi)外同行專家的高度重視，尤其在半導(dǎo)體光電子學(xué)、原子相干光學(xué)的某些領(lǐng)域處于國(guó)內(nèi)高校領(lǐng)先地位。該方法被國(guó)內(nèi)、外學(xué)者多次引用；后來(lái)，又提出了復(fù)過(guò)程高階累積量投影定理，定義了特殊的四階累積量用預(yù)濾波和預(yù)白化方法解決了任意分布非高斯噪聲背景下諧波參量估計(jì)問(wèn)題，在國(guó)內(nèi)外產(chǎn)生一定的影響；90年代末期，對(duì)乘法噪聲背景下的諧波信號(hào)參量估計(jì)進(jìn)行了研究，提出了互可混的概念，定義了特殊的六階時(shí)間多矩譜，解決了零均值乘性噪聲背景下的諧波信號(hào)參量估計(jì)問(wèn)題。90年代初期，對(duì)信息處理核心問(wèn)題――諧波信號(hào)參量估計(jì)進(jìn)行了深入研究。80年代初期，在國(guó)內(nèi)率先開(kāi)始研究晶體管低頻噪聲，對(duì)GM噪聲、1/f噪聲進(jìn)行了系統(tǒng)的研究,提出了精確的測(cè)定方法和系統(tǒng),取得了行業(yè)公認(rèn)的成就,獲電子部科技成果二、三等獎(jiǎng)各一項(xiàng)?！半姶鸥袘?yīng)光透明”、“高色散高折射率介質(zhì)”、“相干燒孔效應(yīng)”、“半導(dǎo)體量子阱材料中的光開(kāi)關(guān)”和“等離子體中的電磁感應(yīng)光透明”等課題取得了許多國(guó)際水平的成果，發(fā)表學(xué)術(shù)論文三十余篇。光學(xué)學(xué)科創(chuàng)建于1953年，1984年獲碩士學(xué)位授予權(quán)，1993年獲博士學(xué)位授予權(quán)，1999年被評(píng)為吉林省重點(diǎn)學(xué)科，2001年“相干光及原子分子光譜”被確定為教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室（籌）。除這些水平較高的應(yīng)用基礎(chǔ)研究外，還有高新技術(shù)研究，如 “光波導(dǎo)、光電子集成器件計(jì)算機(jī)輔助分析” 96年獲國(guó)家教委科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)，“新結(jié)構(gòu)GaAs超輻射發(fā)光管” “半導(dǎo)體激光器可靠性檢測(cè)分析儀”獲國(guó)家教委科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)。80年代中期曾提出新的波導(dǎo)互補(bǔ)原理和新器件結(jié)構(gòu)，研制了“分段壓縮平面共腔條形半導(dǎo)體激光器”，改善了器件模式特性，獲國(guó)家發(fā)明三等獎(jiǎng)和電子部科技成果一等獎(jiǎng)，并獲我國(guó)半導(dǎo)體器件的第一個(gè)發(fā)明專利；“可見(jiàn)光階梯襯底內(nèi)條形激光器”92年獲國(guó)家發(fā)明三等獎(jiǎng)，“用鹵化物氣相外延在GaAs 襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量InP薄膜”，“中心錐形槽狀光敏門(mén)極大功率光控雙向晶閘管”，“JETGS（a）型氫氣敏感元件”，“JETGS（c）型氧氣敏感元件”均先后獲國(guó)家發(fā)明四等獎(jiǎng)。微電子學(xué)與固體電子學(xué)學(xué)科點(diǎn)61年開(kāi)始招收研究生，81年被評(píng)為我國(guó)首批半導(dǎo)體物理與半導(dǎo)體器件物理博士授權(quán)點(diǎn)開(kāi)始招收博士研究生，95年被評(píng)為吉林省重點(diǎn)學(xué)科，97年調(diào)整為微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)，2002年被評(píng)為國(guó)家重點(diǎn)學(xué)科。三、項(xiàng)目現(xiàn)有基礎(chǔ)項(xiàng)目建設(shè)學(xué)科由光學(xué)、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、信息與通信工程三個(gè)二級(jí)學(xué)科組成。綜合基礎(chǔ)研究水平與國(guó)外差距較小，有的研究方向甚至處于國(guó)際前沿。如北京大學(xué)在GaN寬帶半導(dǎo)體材料和器件、清華大學(xué)和南京大學(xué)在SiGe超晶格材料和器件方面都做出了很好的工作，清華大學(xué)還在有機(jī)發(fā)光材料與器件、DFB激光器與調(diào)制器的單片集成等方面取得很大進(jìn)展。僅以南加州大學(xué)為核心的美國(guó)5所著名大學(xué)聯(lián)合建立的光子工藝中心為例，美國(guó)已建立了若干個(gè)光子學(xué)技術(shù)中心；德國(guó)政府已確定光子學(xué)是21世紀(jì)初為保持
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