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2025-05-13 18:03本頁面
【正文】 2H3PO4 + Nd2O3 → 2Nd(PO4) + 3H2O Mo： 4Mo +2HNO3 → 2Mo2O3 + N2 + H2 2H3PO4 + Mo2O3 → 2Mo(PO4) + 3H2O 化學反應式： 刻蝕液種類及配比： HCl : CH3COOH : H2O = 22 : 6 : 72 wt% 化學反應式： InSnO： InSnO2 + 4HCL → InCl3+SnCl+2H2O ※ CH3COOH 緩 沖， 調(diào)節(jié)濃 度 , H2O減 少 ETCHANT粘性 ?? B2 Project Team Wet Etch Etch Process Rinsing Process Dry Process PR Mask后，利用化 學藥劑 去除薄膜形成的 Pattern，主要適用于金 屬 膜或 ITO Pattern的形成。 FICD:177。 FICD:177。 FICD:177。 DICD:177。 DICD:177。 干法刻蝕主要以垂直方式刻蝕， CD BIAS較??； 濕法刻蝕水平方向的刻蝕多于干法刻蝕， CD BIAS較大 CD ?? B2 Project Team CD機（ critical dimension）主要測試 mask后各種 CD（包括 DICD和 FICD）和 OL。 成膜機理 膜性能要求 ?? B2 Project Team Etch Etch Rate Requirement Items Uniformity Selectivity Profile CD Bias Requirement Items of Wet Etch ?? B2 Project Team FICD Size Glass SUBSTRATE FILM DICD Size PHOTOTESIST CD BIAS ＝ | DICD – FICD | 說明： CD： Critical Dimension DICD： Development Inspection CD， PR間距離（有 PR） FICD： Final Inspection CD，刻蝕完后，無 PR。 ， 密度較高 ， 針孔少 。 (2) aSi:H有源層膜： SiH4氣體在反應室中，經(jīng)過一系列初級、次級反應，生成包括離子、子活性基 團等較復雜的反應產(chǎn)物，最終生成 aSi:H薄膜沉積在襯底上，其中直接參與薄膜生長的主要是一些中性產(chǎn)物 SiHn（ n為 0～ 3） (3)n+ aSi:H歐姆接觸層： 在 SiH4氣體中參入少量 PH3氣體在襯底上成膜 。 ?? B2 Project Team Sputter Chamber的主要構成有： Platen：用來放玻璃基板 （ Gate 有 2個 ,SD、 ITO為 1個） Cathode： 包括 Target 、 Shield 、 Mag Bar等構成部分 Motor: 有 Plate轉動的 Motor 、 Plate 升降的 Cylinder、 Cathode開關的 Motor
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