表面處理工藝-pvd及其他-文庫(kù)吧資料
2025-05-09 08:00本頁(yè)面
【正文】 輝光放電，使金屬或合金蒸氣離子化。在之前講過(guò)的各種蒸發(fā)鍍、濺射鍍技 術(shù)中，若能在基片（導(dǎo)電基材）上施加一定幅值的直流或脈沖負(fù)偏 壓，便可使其變成蒸發(fā)離子鍍、濺射離子鍍，統(tǒng)稱離子鍍 在鍍膜的同時(shí)，采用帶能離子轟擊基材表面和鍍膜層的鍍膜技術(shù)稱為離子鍍。 ?附著力強(qiáng) EMI的優(yōu)點(diǎn) 工 藝 ： 超聲波清洗 烘干 輝 光清洗 鍍銅 （Al Ag Ni )— 鍍 不 銹鋼 性能： 電 阻 耐 蝕 性 附著力 環(huán) 境 測(cè)試 真空離子鍍 真空離子鍍膜技術(shù)是將真空蒸發(fā)及濺射相結(jié)合的一種新鍍膜技術(shù)。 ?環(huán)保制程，無(wú)污染。 濺射電流 ( 生長(zhǎng)速率 ) 壓強(qiáng) ( 濺射粒子的最高能量 ) 壓強(qiáng)與靶材 襯底之間的距離 (多孔性、質(zhì)地、晶體性） 反應(yīng)氣體混合比 ( 化學(xué)配比 ) 襯底溫度 ( 晶體性、密度和均勻性 ) 襯底偏壓 ( 薄膜結(jié)構(gòu)和化學(xué)配比 ) 磁控濺射中的重要參數(shù) 濺射靶材 水平 濺 射 鍍 Sputtering chamber Buffer chamber Unloading chamber Plasma treatment Loading chamber robot In Sputtering Chamber Buffer Chamber Unloading Chamber Buffer Chamber Loading Chamber Out ?價(jià)格低。 DC ( 導(dǎo)電材料 ) RF ( 絕緣介質(zhì)材料 ) 反應(yīng) (氧化物、氮化物 ) 或不反應(yīng) ( 金屬 ) + 真空 固體 濺射粒子（離子或中性粒子） 注入離子 滲透深度 入射離子 濺射過(guò)程的物理模型 磁控濺射原理 為了提高離化率 ,增加濺射沉積的速率 ,在靶背面增加磁場(chǎng)是個(gè)有效的方法 電場(chǎng)與磁場(chǎng)的交互作用 ,使得二次電子在靶面做螺旋式運(yùn)動(dòng) , 大大延長(zhǎng)了二次電子的運(yùn)動(dòng)行程，從而大大增加了它同氣體分子碰撞的機(jī)會(huì)，從而大大地提高了離化率，增加了濺射速率。在陰極靶材上造一個(gè)正交的磁場(chǎng)，是的電離的幾率增加，就成為了廣泛應(yīng)用的磁控濺射鍍。 由于 2層 膜的效果不理想， 為 了達(dá)到理想的效果，必 須 使用 3層 或多 層 膜。 想得到更低的反射率，最 簡(jiǎn)單 的方法是 鍍 一 層 CeF3和一 層MgF2（各 為 1/4的光學(xué)厚度），可用蒸 發(fā) 船。鍍 在加 熱到 250300176。 電子束蒸發(fā)鍍 坩 堝 與材料 襯 底 真空室 真空 泵 厚度 監(jiān) 控 儀 充氣管道 反 應(yīng) 氣體管道 Plume 電 子 槍 EGun Crucible Substrate fixture 常用蒸發(fā)材料形態(tài) SiO2/MgF2 五氧化三鈦 ZnS 氧化鋯 ZnS 三氧化二鈦 光學(xué)增透膜 用于玻璃基底的增透膜 經(jīng) 典的 單層 增透膜由一薄 層 MgF2構(gòu)成， MgF2在 510nm時(shí) 的折射率 為 n=，需要的膜厚 為 d=92nm。 被蒸鍍材料放在水冷坩堝內(nèi)，可免容器材料蒸發(fā)及其與膜材的反應(yīng)。 網(wǎng)絡(luò)分析儀 影響良率的因素 薄膜厚度 50nm 50100nm 100nm 薄膜厚度的均勻性 鎢絲籃的分布 鍍膜用量的分布 空間中真空度的均勻性 噴涂的品質(zhì) 雜質(zhì) 橘皮 積漆 電子束蒸發(fā)鍍 原理：利用電子束加熱使膜材汽化蒸發(fā)后，凝結(jié)在基片表面成膜的一種方法。 壓縮 型真空 計(jì) 測(cè) 量范 圍 ：103 ～ 103 Pa U型 計(jì) 測(cè) 量范 圍 ：105 ～ 10 Pa 2. 相對(duì)真空計(jì) 熱偶真空計(jì) (熱傳導(dǎo)真空計(jì) ) 測(cè)量范圍： 100— 101 Pa 熱陰極電離真空計(jì) 測(cè)量范圍： 101 ～ 105 Pa 超高真空熱陰極電離計(jì) 測(cè)量范圍： 101 ～ 1010Pa 直接測(cè)量與壓強(qiáng)有關(guān)的物理量，再與絕對(duì)真空計(jì)相比較進(jìn)行 標(biāo)定的真空計(jì)。 泵的抽氣速率 S并不是常數(shù)，隨 P而變。 氣體捕集泵 : 是一種使氣體分子短期或永久吸附、凝結(jié)在泵內(nèi)表面的真空泵，例如分子篩吸附泵、鈦升華泵、濺射離子泵、低溫泵和吸氣劑泵。 原理：
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