靜電放電及其抗擾度試驗(yàn)-文庫吧資料
2025-05-08 05:49本頁面
【正文】 ESD摸擬器放電電極半圓環(huán)天線 法拉第籠后壁23一種新型的 ESD試驗(yàn)控制平臺24接觸式放電 36cm處，阻抗不同時(shí)耦合電壓峰值與放電電壓關(guān)系的比較。 為此，我們建議，要規(guī)定電流導(dǎo)數(shù)波形參數(shù)，限制電流波形的振蕩，進(jìn)一步完善 ESD模擬器的校驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，從而減小不同模擬器靜電抗擾度測試結(jié)果之間的差異。 19放電電流峰值相近，但振蕩電流 (di/dt)不同，這對一些對電流導(dǎo)數(shù)敏感的受試設(shè)備來說是不利的。15二、主要進(jìn)展16故障 現(xiàn) 象 模 擬 器 放 電電壓 /kV內(nèi) RAM的 0~R7單 元內(nèi)容出 錯(cuò)ESS200AX ～ ～ NSG435 ～ ～ 外 RAM存 儲 器內(nèi)容被改寫ESS200AX ～ ～ NSG435 ～ ～ 兩種模擬器效應(yīng)試驗(yàn)結(jié)果比較17兩種模擬器的波形參數(shù) 放電電壓kV ESS200AX NSG435 tr/ /ps Ip /A I30ns /A I60ns /A Tr /ps Ip /A I30ns /A I60ns /A 2 883 769 4 923 734 6 896 743 8 907 733 ESD電流基本參數(shù)均符合 IEC標(biāo)準(zhǔn)要求，并不能看出兩種模擬器的差異。? 峰值電流的導(dǎo)數(shù)和上升時(shí)間與失效電平?jīng)]有很好的相關(guān)性 。 對靜電放電抗擾度
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1