儀器分析課件x射線衍射分析xrdnote-文庫吧資料
2025-02-27 15:20本頁面
【正文】 Ag/SiO2 化劑 0 20 40 60 80Ag6SiO2O2800/1hO2700/1hO2600/1hO2500/1hO2300/1hAg6SiO2Intensity / a. u.2 ? / o不同溫度焙燒的 Ag/SiO2催化劑 XRD譜 %Ag/SiO2 焙燒溫度對(duì) LaMn1Al11O19晶體結(jié)構(gòu)的影響 Supercritical drying Mn含量對(duì) LaMnxAl12xO19晶體結(jié)構(gòu)的影響 (1) x=0, (2) x=, (3) x=1, (4) x=2, (5) x=3, (6) x=6 CexTi1xO2樣品的 XRD譜圖 Dot: experimental data Solid line: calculated data Bottom curve: the difference between the experimental and calculated data. a: (8) nm b: (3) nm c: (6) nm β: 176。 平均晶粒度的測(cè)定 Scherrer方程： 注意： ，即衍射強(qiáng)度為極大值一半處的寬度，單位以弧度表示； 2. Dhkl只代表晶面法線方向的晶粒大小，與其他方向的晶粒大小無關(guān)； 3. k為形狀因子，對(duì)球狀粒子 k=，立方晶體 k=，一般要求不高時(shí)就取 k=1。 衍射強(qiáng)度與晶胞結(jié)構(gòu) 對(duì)某一晶體，現(xiàn)假設(shè)一可能的結(jié)構(gòu)，并推算出不同衍射指標(biāo) (hkl)所代表的各衍射方向的 |F(hkl)|2值，即相對(duì)強(qiáng)度。 在缺乏對(duì)照樣品的情況下 ，可以采用下列方法。這反映在衍射圖上各種晶體的譜線有它自己特定的位置、數(shù)目和強(qiáng)度 I。該公式把衍射的相對(duì)強(qiáng)度與晶胞中原子的位置聯(lián)系起來，通過對(duì)衍射強(qiáng)度的測(cè)定，則可得到晶胞中原子分布的信息。 I(hkl)≠∑Ief2j=Ie|F(hkl)|2 |F(hkl)|2=[∑fjcos2π(hxj+kyj+lzj)]2+ [∑fjsin2π(hxj+kyj+lzj)]2 F(hkl)稱為結(jié)構(gòu)因子， |F(hkl)|稱為結(jié)構(gòu)振幅。 立方晶系 : dh* k* l*=[(h*2+k*2+l*2)/a2]1/2 六方晶系： dh*k*l*=[4/3(h*2+h*k*+k*2)a2+l*2c2]1/2 三方晶系 : dh*k*l*={a2(1+2cos3α3cos2α)1[(h*2+k*2+l*2) sin2α+2(h*k*+k*l*+l*h*)(cos2αcosα)]}1/2 四方晶系 : dh*k*l*=[(h*2+k*2)a2+l*2c2]1/2 正交晶系 : dh*k*l*=(a2h*2+
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