【正文】 電平然后釋放，在寫時(shí)間隙開始后的15μs 內(nèi)允許數(shù)據(jù)線拉到高電平。I/O線電平變低后，DS18B20 在一個(gè)15μs 到60μs 的窗口內(nèi)對(duì)I/O 線采樣。有兩種寫時(shí)間隙，寫1 時(shí)間隙和寫0 時(shí)間隙。在寫字節(jié)程序中的寫一個(gè)bit 位的時(shí)候，沒(méi)有按照通常的分別寫0時(shí)序和寫1 時(shí)序，而是把兩者結(jié)合起來(lái)，當(dāng)主機(jī)拉低總線后在15μs 之內(nèi)將要寫的位c 給DO：如果c 是高電平滿足15μs 內(nèi)釋放總線的要求，如果c是低電平，則DO＝c這條語(yǔ)句仍然是把總線拉在低電平，最后都通過(guò)延時(shí)58μs 完成一個(gè)寫時(shí)序(寫時(shí)序0或?qū)憰r(shí)序1)過(guò)程。寫時(shí)序均起始于主機(jī)拉低總線，產(chǎn)生寫1 時(shí)序的方式：主機(jī)在拉低總線后，接著必須在15μs之內(nèi)釋放總線。當(dāng)總線被釋放后，上拉電阻將單總線拉高。在主機(jī)初始化過(guò)程，主機(jī)通過(guò)拉低單總線至少480μs，來(lái)產(chǎn)生復(fù)位脈沖。發(fā)溫度轉(zhuǎn)換命令，再總線復(fù)位。(2)接著主機(jī)發(fā)送ROM命令，程序開始讀取單個(gè)在線的芯片ROM編碼并保存在單片機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中，把用到的DS18B20 的ROM 編碼離線讀出，最后用一個(gè)二維數(shù)組保存ROM 編碼，數(shù)據(jù)保存在X25043中。這些命令允許主機(jī)寫入或讀出DS18B20便箋式RAM、啟動(dòng)溫度轉(zhuǎn)換。這些命令與各個(gè)從機(jī)設(shè)備的唯一64 位ROM 代碼相關(guān)。應(yīng)答脈沖使主機(jī)知道，總線上有從機(jī)，且準(zhǔn)備就緒。當(dāng)然，搜索ROM命令和報(bào)警搜索命令，在執(zhí)行兩者中任何一條命令之后，要返回初始化。所有的串行通訊，讀寫每一個(gè)bit 位數(shù)據(jù)都必須嚴(yán)格遵守器件的時(shí)序邏輯來(lái)編程，同時(shí)還必須遵守總線命令序列，對(duì)單總線的DS18B20 芯片來(lái)說(shuō)，訪問(wèn)每個(gè)器件都要遵守下列命令序列：首先是初始化；其次執(zhí)行ROM 命令；最后就是執(zhí)行功能命令(ROM 命令和功能命令后面以表格形式給出)。一旦主機(jī)檢測(cè)到DS18B20的存在，它便可以發(fā)送一個(gè)器件ROM操作命令。為了讀出從讀時(shí)間片開始算起15微妙的狀態(tài)，主機(jī)必須停止把引腳驅(qū)動(dòng)拉至低電平。當(dāng)主機(jī)把數(shù)據(jù)線從邏輯高電平拉至邏輯低電平時(shí)產(chǎn)生讀時(shí)間片。所有時(shí)間片必須有60微妙的持續(xù)期，在各寫周期之間必須有最短為1微妙的恢復(fù)時(shí)間。它有寫時(shí)間片和讀時(shí)間片兩種：l 寫時(shí)間片：當(dāng)有主機(jī)把數(shù)據(jù)線從邏輯高電平拉至邏輯低電平時(shí)，產(chǎn)生寫時(shí)間片。然后以存在復(fù)位脈沖表示DS18B20已經(jīng)準(zhǔn)備好發(fā)送或接收，然后給出正確的ROM命令和存儲(chǔ)操作命令的數(shù)據(jù)。接著主機(jī)便釋放此線并進(jìn)入接收方式（Rx）。要使傳感器工作，一切處理均嚴(yán)格按照時(shí)序。由于DS18B20只有一根數(shù)據(jù)線，因此它和主機(jī)（單片機(jī)）通信時(shí)需要串行通信，而AT89C51有兩個(gè)串行端口，所以可以不用軟件來(lái)模擬實(shí)現(xiàn)。外部電源供電方式是DS18B20最佳工作方式，工作穩(wěn)定可靠，抗干擾能力強(qiáng)，而且電路也比較簡(jiǎn)單，可以開發(fā)出穩(wěn)定可靠的多點(diǎn)溫度監(jiān)控系統(tǒng)。在這里采用外部供電方式。因此，在條件允許的場(chǎng)合，盡量采用外供電方式。工作于寄生電源方式時(shí)，VDD和GND均接地，它在需要遠(yuǎn)程溫度檢測(cè)和空間受限的場(chǎng)合特別有用，原理是當(dāng)1 wire總線的信號(hào)線DQ為高電平是，竊取信號(hào)能量給DS18B20供電，同時(shí)一部分能量給內(nèi)部電容充電，當(dāng)DQ為低電平時(shí)釋放能量為DS18B20供電。5．3溫度檢測(cè)電路DS18B20最大的特點(diǎn)是單總線數(shù)據(jù)傳輸方式，DS18B20的數(shù)據(jù)I/O均由同一條線來(lái)完成。必須先啟動(dòng)DS18B20開始轉(zhuǎn)換，在讀出溫度轉(zhuǎn)換值。5．1 主控制器: 單片機(jī)AT89C2051具有低電壓供電和小體積等特點(diǎn)，兩個(gè)端口剛好滿足電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)需要。其中，DS18B20溫度傳感器芯片采用“一線制”與單片機(jī)相連，它獨(dú)立完成溫度測(cè)量以及將溫度測(cè)量結(jié)果送到單片機(jī)工作。然后，通過(guò)AT89C2051單片機(jī)芯片對(duì)送來(lái)的測(cè)量溫度讀數(shù)進(jìn)行計(jì)算和轉(zhuǎn)換，并將此結(jié)果送入液晶顯示模塊。本溫度計(jì)大體分為三個(gè)工作過(guò)程?！妫虼酥恍枰靡壕Ь涂梢酝瓿上嚓P(guān)的顯示功能，報(bào)警器可以用有源蜂鳴器配合三極管來(lái)代替。操作協(xié)議為:初始化DS18B20(發(fā)復(fù)位脈沖)—發(fā)ROM功能命令—發(fā)存儲(chǔ)器操作命令—處理數(shù)據(jù)。另外 ，由 于DS18B20單線通信功能是分時(shí)完成的，有嚴(yán)格的時(shí)隙概念，因此讀/寫時(shí)序很重要。如此循環(huán)，直到減法計(jì)數(shù)器2計(jì)數(shù)到0時(shí)，停止溫度寄存器值的累加，此時(shí)溫度寄存器中的數(shù)值就是所測(cè)溫度值。減法計(jì)數(shù)器1對(duì)低溫度系數(shù)振蕩器產(chǎn)生的脈沖信號(hào)進(jìn)行減法計(jì)數(shù)，當(dāng)減法計(jì)數(shù)器1的預(yù)置值減到。 DS18B20的測(cè)溫原理圖圖中還隱含著計(jì)數(shù)門，當(dāng)計(jì)數(shù)門打開時(shí)，DS18B20就對(duì)低溫度系數(shù)振蕩器產(chǎn)生的時(shí)鐘脈沖進(jìn)行計(jì)數(shù)，進(jìn)而完成溫度測(cè)量。 64位ROM結(jié)構(gòu)框圖，圖中低溫度系數(shù)振蕩器的振蕩頻率受溫度的影響很小，用于產(chǎn)生固定頻率的脈沖信號(hào)送給減法計(jì)數(shù)器1。接著的48位是DS18B20自身的序列號(hào)，最后8位是前面56位的CRC檢驗(yàn)碼，這也是多個(gè)DS18B20可以采用單線進(jìn)行通信的原因。當(dāng)工作于寄生電源時(shí)，此引腳必須接地。開漏單總線接口引腳。. DS18B20的內(nèi)部結(jié)構(gòu)DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由四部分組成：64位光刻ROM、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報(bào)警觸發(fā)器、配置寄存器。因此，在使用DS18B20進(jìn)行長(zhǎng)距離測(cè)溫系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)，要充分考慮總線分布電容和阻抗匹配問(wèn)題。DS18B20雖然具有測(cè)溫系統(tǒng)簡(jiǎn)單、測(cè)溫精度高，連接方便、占用口線少等優(yōu)點(diǎn)，但在實(shí)際應(yīng)用中也應(yīng)注意以下幾方面的問(wèn)題：1．較小的硬件開銷需要相對(duì)復(fù)雜的軟件進(jìn)行補(bǔ)償，由于DS18B20與微處理器間采用串行數(shù)據(jù)傳送，因此，在對(duì)DS18B20進(jìn)行讀寫編程時(shí)，必須嚴(yán)格地保證讀寫程序，否則將無(wú)法讀取測(cè)量結(jié)果。.報(bào)警搜索命令識(shí)別并標(biāo)志超過(guò)程序限定溫度(溫度報(bào)警條件)的器件。.溫度以9～12位數(shù)字量讀出。.不需要外部器件；.測(cè)溫范圍55～+125 攝氏度，在－10～+85攝氏度時(shí)精度為177。DS18B20的性能特點(diǎn)如下:. V，在寄生電源方式下可由數(shù)據(jù)線供電；。. DS18B20的性能