頻率補(bǔ)償ppt課件-文庫(kù)吧資料
2025-01-21 16:43本頁(yè)面
【正文】 ??? ? ? ?? ? ? ? ? ? ???DDNP 設(shè) 計(jì) 一 個(gè) 滿 足 下 列 指 標(biāo) 的 運(yùn) 放 ： V負(fù) 載 電 容 為 轉(zhuǎn) 換 速 率 SR 10V / s ,小 信 號(hào) 增 益 A = 100 ,－ 3d B 帶 寬 100 K h z ,輸 入 共 模 范 圍 :1V I C M R 4. 5 V ,功 耗 1m W .模 型 參 數(shù) 為 ： KK。 9LCzmCCCRgC??? Rz一般由工作在線性區(qū)的 MOS晶體管實(shí)現(xiàn)當(dāng)輸出電壓的變化幅值通過(guò)耦合到結(jié)點(diǎn) X時(shí)， Rz會(huì)發(fā)生顯著變化，因而減緩了大信號(hào)的穩(wěn)定響應(yīng)。 華僑大學(xué) IC設(shè)計(jì)中心 非主極點(diǎn)抵消技術(shù)缺點(diǎn) ? 首先，很難保證上式關(guān)系成立，尤其是負(fù)載電容CL未知或變化的情況下，更是如此。 1mzCC G DgSCC? ?99[ 1 ] ( )Pol e ou t m L C GDS R g R C C? ? ?華僑大學(xué) IC設(shè)計(jì)中心 減小右半面零點(diǎn)的影響 ? 增加一個(gè)與補(bǔ)償電容串聯(lián)的電阻 1111111 1( 1 )1)()(mmzCC m zCmzCC G DzmzggSC g RVgVRC C SCRg??????? ?? 增加一個(gè)與補(bǔ)償電容串聯(lián)的電阻 ,可以把零點(diǎn)推到高頻處 華僑大學(xué) IC設(shè)計(jì)中心 減小右半面零點(diǎn)的影響 11111( 1 ) ()mmzCC m zCzmggSC g R CRg??? ?? 但實(shí)際上，我們可以把零點(diǎn)移到左半平面，以便消除第一個(gè)非主極點(diǎn) 12mPLgSC?? 2zpSS? ? ?9191 mLC m ZgCC g R????9LCzmCCCRgC??? 消除非主極點(diǎn)的可能性使這一方法具有很大的吸引力。 1mzCC G DgSCC? ?華僑大學(xué) IC設(shè)計(jì)中心 右半面零點(diǎn)影響 ? 兩級(jí)運(yùn)放中右半平面的零點(diǎn)是一個(gè)嚴(yán)重的問(wèn)題，因?yàn)樵谒谋硎臼街校?gm較小，而要使主極點(diǎn)處在適當(dāng)?shù)奈恢茫?Cc又要選得足夠大。而且，這零點(diǎn)減緩了幅值的下降，因而使增益交點(diǎn)外推，更遠(yuǎn)離原點(diǎn)。 11111 mG D zmzGDVgVgSCCS???產(chǎn)生一個(gè)右半面的零點(diǎn) 華僑大學(xué) IC設(shè)計(jì)中心 右半面零點(diǎn)問(wèn)題 ? 由于 CC形成從輸入到輸出的寄生信號(hào)通路。當(dāng) s=sZ時(shí)，傳輸函數(shù) Vout(s)/Vin(s)必須下降至零。同時(shí)，與單純地在級(jí)間結(jié)點(diǎn)與地之間連接一個(gè)補(bǔ)償電容相比較，密勒補(bǔ)償提供大得多的帶寬。/p m LgC? ?密勒補(bǔ)償把輸出極點(diǎn)的數(shù)值增加到 29239。 華僑大學(xué) IC設(shè)計(jì)中心 兩級(jí)運(yùn)放的補(bǔ)償 華僑大學(xué) IC設(shè)計(jì)中心 密勒效應(yīng) 1FZ CS? 1 11 ( 1 )vFZZA A C S????輸入電容等于 CF(1+A) ，相當(dāng)于放大了 (1+A) 華僑大學(xué) IC設(shè)計(jì)中心 密勒補(bǔ)償 121[ ( 1 ) ]o u t E v CR C A C??21(1 )eq vCC AC? ?華僑大學(xué) IC設(shè)計(jì)中心 密勒補(bǔ)償
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