電力電子技術課程設計--升壓斬波電路的實現(xiàn)-文庫吧資料
2025-01-19 17:22本頁面
【正文】 動器的各引腳功能如下： 該式也是最優(yōu)參數(shù)選擇的依據(jù)。當=0時刻 ==0，令式 （110）中=0即可求出，進而可寫出的表達式。 在未采取適當?shù)姆漓o電措施情況下，GE端不能開路。（6） IGBT在使用時除了采取靜電防護措施外，還必須注意以下事項： IGBT的控制、驅動及保護電路等應與其高速開關特性相匹配。V1，V2是為防止驅動電路出現(xiàn)高壓尖峰而并聯(lián)的兩只穩(wěn)壓管，穩(wěn)壓值應與正偏柵壓與負偏柵壓大小相同而方向相反。IGBT為壓控型元件，當集射極加高壓時很容易受外界干擾，使柵射電壓超過(th)引起器件誤導通。的具體數(shù)值還與驅動電路的結構及IGBT的容量有關，一般在幾歐至幾十歐，小容量的IGBT其值較大。較大，有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率du/dt，但會增加IGBT的開關時間和開關損耗；較小，會引起增大，使IGBT誤導通或損壞。（3） IGBT開通后，驅動電路應提供足夠的電壓、電流幅值，使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞?？焖匍_通和關斷有利于提高工作效率，減小開關損耗。當正偏電壓（+）增大時，IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降，但若過大，則負載短路時其隨增大而增大，對其安全不利，一般+UGE選+12—+15V為最佳；負偏電壓（）可防止由于關斷時浪涌電流過大而使IGBT誤導通，但是受G、E極間最大反向耐壓限制，一般取5—10V。所以只要根據(jù)輸入的電壓控制全控晶閘管IGBT關斷的時間和開通的時間比就可，即升壓比就可得到所需電壓。必然會有所下降，故實際輸出電壓會略低于理論所得結果，不過，在電容C值足夠大時，誤差很小，基本可以忽略。b和導通占空比a有如下關系： （3） 因此，式（3）可表示為 升壓斬波電路之所以能使輸出電壓高于電源電壓，關鍵有兩個原因:一是L儲能之后具有使電壓泵升的作用，二是電容C可將輸出電壓保持住。也稱之為boost變換器—升壓比，調節(jié)其即可改變Uo。斷態(tài)時，電源E和電感L同時向電容C充電，并向負載提供能量。 178。調節(jié)開關器件V的通斷周期，可以調整負載側輸出電流和電壓的大小。其中保護電路包括過電壓保護和過電流保護。R為輸出負載，電壓由此輸出。 圖1 總體實現(xiàn)電路由EXB841芯片為核心構成的驅動電路，控制IGBT的導通和關斷時間，從而控制電路的升壓比β，使其達到： 進而使輸出電壓達到目的值。 3設計依據(jù)（1） IGBT的選擇（2） IGBT過流，過壓保護（3） 升壓斬波電路的設計（4） 驅動電路設計，驅動電路采用EXB841（5） 觸發(fā)電路供電電源設計 二．正文 1總體的電路設計如圖1總體實現(xiàn)電路設計所示。 理解和掌握升壓斬波電路及系統(tǒng)的主電路，驅動電路，保護電路的設計方法，掌握元器件的選擇計算方法。直流斬波技術已被廣泛用于開關電源及直流電動機驅動中，使其控制獲得加速平穩(wěn)、快速響應、節(jié)約電能的效果。《電力電子技術》課程設計題目：升壓斬波電路的實現(xiàn) 專 業(yè)： 電氣自動化 班 級： 2010級 學生姓名： 王小靈 學號： 101401010050 指導教師： 祝敏老師 時 間： 2012 年 12 月28 日2013 年 01 月 9 日
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