【摘要】第一節(jié)概述第二節(jié)555時(shí)基集成電路的結(jié)構(gòu)和工作原理§雙極型555時(shí)基電路的結(jié)構(gòu)和工作原理§CMOS型555時(shí)基電路的結(jié)構(gòu)和工作原理§雙極型555和CMOS型555的性能比較
2024-08-18 00:11
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對(duì)邏輯門(mén)的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來(lái)表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來(lái)表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點(diǎn)。邏輯門(mén)的功能會(huì)因制造過(guò)程的差異而偏離設(shè)計(jì)的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會(huì)使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計(jì)的期望值(電感、電容耦合,電源
2024-07-28 18:10
【摘要】?2022/8/20東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)王志功東南大學(xué)無(wú)線電系2022年?yáng)|?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所?2022/8/202第六章M
2024-08-14 14:45
【摘要】1【目錄】第一章前言.....................................................2第二章總體設(shè)計(jì).................................................3背景..............................................
2024-12-15 09:39
【摘要】555時(shí)基集成電路的結(jié)構(gòu)和工作原理555時(shí)基集成電路的結(jié)構(gòu)和工作原理§555時(shí)基電路的應(yīng)用和封裝555時(shí)基電路大量應(yīng)用于電子控制、電子檢測(cè)、儀器儀表、家用電器、音響報(bào)警、電子玩具等諸多方面。還可用作振蕩器、脈沖發(fā)生器、延時(shí)發(fā)生器、定時(shí)器、方波發(fā)生器、單穩(wěn)態(tài)
2024-10-08 09:50
【摘要】2022/2/61《集成電路設(shè)計(jì)概述》2022/2/62目的?認(rèn)識(shí)集成電路的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來(lái)?了解集成電路設(shè)計(jì)工藝?熟悉集成電路設(shè)計(jì)工具?培養(yǎng)集成電路設(shè)計(jì)興趣2022/2/63主要內(nèi)容集成電路的發(fā)展集成電路的分類
2025-01-15 14:11
2025-01-15 01:07
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-MOS器件MOS器件多晶硅GSD氧化層LeffLdrawnN+N+P型襯底LDWNMOS管的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)制作在P型襯底上(P-Substrate,也稱bulk或body,為了區(qū)別于源極S,襯底以B來(lái)表示),兩個(gè)重?fù)诫sN區(qū)形成源區(qū)和漏區(qū),
2025-01-18 16:50
【摘要】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)莫冰華僑大學(xué)電子工程系廈門(mén)市專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝第四章集成電路器件工藝IC材料、工藝、器件和電路材料工藝器件
2025-01-13 01:54
【摘要】2022/2/41第二章IC制造材料結(jié)構(gòu)與理論了解集成電路材料半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)PN結(jié)與結(jié)型二極管雙極型晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理2022/2/42表集成電路制造所應(yīng)用到的材料分類
【摘要】華?僑?大?學(xué)?專?用?集?成?電?路?系?統(tǒng)?實(shí)?驗(yàn)?室?IC設(shè)計(jì)基礎(chǔ)EDAC華僑大學(xué)電子工程電系2022年華?僑?大?學(xué)?專?用?集?成?電?路?系?統(tǒng)?實(shí)?驗(yàn)?室?2022/2/42第3章IC制造工藝
2025-01-14 15:42
【摘要】《集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)》山東大學(xué)信息學(xué)院劉志軍BCEP+P+PMOSN+PN阱N阱縱向NPN-SUBP+N+N+NMOS-P-epiN+N+-BLN+-BL2022/2/13《集成電路設(shè)
2025-01-23 09:42
【摘要】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)莫冰華僑大學(xué)電子工程系廈門(mén)市專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第五章MOS場(chǎng)效應(yīng)管的特性MOS場(chǎng)效應(yīng)管MOS管的閾值電壓體效應(yīng)MOSFET的溫度特性MOSFET的噪聲MOSFET尺寸按比例縮小MOS器件的二階效應(yīng)MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2025-01-13 01:55
【摘要】第一章CMOS集成電路工藝基礎(chǔ)1、半導(dǎo)體材料:N型半導(dǎo)體:N-NN+P型半導(dǎo)體:P-PP+2、CMOS集成電路工藝氧化工藝攙雜工藝淀積工藝鈍化工藝光刻和腐蝕工藝
2025-05-19 01:31
【摘要】集成電路版圖基礎(chǔ)——電容版圖設(shè)計(jì)光電工程學(xué)院王智鵬一、電容概述?電容器,能夠存儲(chǔ)電荷的器件。?單位:法拉(F)兩塊導(dǎo)電材料中間存在絕緣介質(zhì)就會(huì)形成電容?電容充電二、MOS集成電路中的電容器MOS集成電路中的電容器幾乎都是平板電容器。平板電容器的電容表示式:C=εoε
2025-05-06 18:27