光催化降解小分子有機污染物甲醛的研究-文庫吧資料
2025-05-21 15:10本頁面
【正文】 （ 2） O 吸 +Ni 3++CO（ g） →CO 2（ 吸） +Ni 2+ （ 3） CO2（ 吸） →CO 2（ g） 總式： CO+1/2O2 →CO 2 RC H 2C H 3RC H 2C H 2H+ + + RC HC H 2C H 2 = C H RH H+ H 2+ 烴類在半導體型催化劑上的脫氫過程 過渡金屬氧化物催化特點 ?半導體對催化性能的影響 ?N型有利于加氫還原， P型有利于氧化。 （ 2）測得 O2轉為 O吸 時量熱法測得微分吸附熱為 ， （ 3）測得 CO在 NiO上微分吸附熱是 ， 而在已經吸附了 O2的催化劑表面微分吸附熱是 293KJ/mol。 ?C)向晶格摻入電負性大的間隙原子。 P型半導體生成條件 ?A)非化學計量比氧化物中出現(xiàn)正離子缺位。 ?C)高價離子取代晶格中的正離子。 n型半導體生成條件 ?A)非化學計量比化合物中含有過量的金屬原子或低價離子可生成 N型半導體。 ?用導電率來判斷 ?對于 n型，凡是使導電率增加的物質為施主型雜質，相反則為受主型雜質。 ?受主型摻雜（情況類似） 如何判斷參雜雜質類型 摻雜雜質類型可以從雜質對半導體的逸出功和導電率影響來判斷。 p型半導體摻雜 摻雜的兩種方式 ?施主型摻雜 ?準自由空穴濃度的降低。 ?受主型摻雜 ?它減少了可提供電子的物質濃度。如 ZnO中加入 Al3+由于費米能級升高而使逸出功降低。一般都處于禁帶。 Ef ( E j )E gE cE AE FE V禁 帶空 帶導 帶E AP型半導體能帶 （ EA為受主能級） EF能級在過渡金屬和半導體中的區(qū)別 ?對于過渡金屬而言 ?電子的 EF能級處在導帶之內，反映金屬地帶量子態(tài)的填充水平。 ?在外電場作用下，滿帶電子可以定向地向受主能級躍進遷，這種主要靠準自由空穴導電的半導體稱之主 P型半導體。 吸附氣體 半導體類型 吸附物種 吸附劑 吸附位 EF φ 導電率 受電子氣體（ O2） N 型V2O5） O2→ O2 O,O22,O2 V4+ → V5+ 負離子 吸附在高價 金屬上 ↘ ↗ ↘ P型 Cu2O O2→ O2 O,O22,O2 Cu+→ Cu2+ 負離子 吸附在高價 金屬上 ↘ ↗ ↗ 施電子氣體（ H2） N型 ZnO 1/2H2→ H+ Zn2+→ Zn+ 正離子 氣體
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