igbt驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方法-文庫吧資料
2024-09-13 11:09本頁面
【正文】 存于 RG , RG越大，交換時(shí) 間 和交換損耗 就越大，但交換時(shí)的浪涌電壓變小。 將該值當(dāng)做門極電阻 RG的大致標(biāo)準(zhǔn)。尤其是門極配線長的情況下要注意。 因此， VGE 越大，關(guān)斷交換時(shí)的時(shí) 間 和損耗越小。 (2)電源電壓的變動(dòng)推薦在士 10%范圍內(nèi)。下面說明 VGE設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意的事項(xiàng)。 (7) +VGE越高，短路電流值越高， 短路最大耐受量越小。 (6)即使是在 IGBT 斷開的時(shí) 間 段內(nèi)，由于 FWD的反向恢復(fù)時(shí)的 dv/dt 會(huì)發(fā)生誤動(dòng)作，形成脈沖狀的集電極電流，從而產(chǎn)生不必要的發(fā)熱。 (4) +VGE越高，開通交換時(shí)的時(shí) 間 和損耗越小。 (2)電源電壓的變動(dòng)在士 10%范圍內(nèi)。 :+VGE(導(dǎo)通期間 ) 門極正偏壓電壓 +VGE的推薦值為 +15V，下面說明 +VGE設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意的事項(xiàng)。利用關(guān)斷過程中的高 dvCE/dt值，來吸取 n 漂移區(qū)內(nèi)的大部分空穴載流子，進(jìn)而縮短拖尾電流的時(shí)間。1. 驅(qū)動(dòng)條件 驅(qū)動(dòng)電壓 對于目前的 IGBT 和 MOSFET 而言，此電壓一般被限定為 20 V。推薦使用的柵極驅(qū)動(dòng)電壓推薦使用值須達(dá)到 MOSFET ： VGS=+10 V IGBT： V GG+=+15 V, V GG=15 V IGBT 驅(qū)動(dòng)負(fù)偏電壓的作用是，在整個(gè)關(guān)斷過程中維持一個(gè)足夠大的反向柵極電流。 與 IGBT 不同的是，采用
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