現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝(參考版)
2025-01-25 03:14本頁面
【正文】 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 47 Thanks for listening 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 48 演講完畢，謝謝觀看！ 。如果兩者的晶格均很硬，它們將保持原有的晶格間距，界面將會含有錯配或刃位錯的錯誤鍵結(jié)的原子行。 （ 5）刃位錯。 （ 4）小角晶界和孿晶。其形成是因為過飽和的摻雜劑或其他雜質(zhì)造成的。為了避免此類缺陷，襯底的表面需徹底的清潔。 （ 2）從界面來的缺陷。外延層的缺陷可以歸納為 5種： （ 1）從襯底來的缺陷。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 45 外延層的構(gòu)造和缺陷 －晶格匹配及形變層外延 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 46 外延層缺陷 半導(dǎo)體外延層的缺陷會降低器件的性能。因此，MBE法可用來精確制作半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)，其薄膜層可從幾分之一微米到單層原子。 MBE能夠非常精確地控制化學(xué)組成和參雜濃度。 MOCVD已經(jīng)廣泛應(yīng)用在生長 IIIV族和IIVI族化合物異質(zhì)外延上。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 43 金屬有機(jī)物氣相沉積（ MOCVD），是一種以熱分解反應(yīng)為基礎(chǔ)的氣相外延法，不像傳統(tǒng)的 CVD， MOCVD是以其先驅(qū)物的化學(xué)本質(zhì)來區(qū)分。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 40 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 41 砷化鎵的 CVD 2 3 24 6 4 12A s G aCl H G aA s H C l? ? ? ?As4是有砷烷分解而來 3 4 246AsH As H??氯化鎵是由下來反應(yīng)而來 326 2 2 3H C l G a G aCl H? ? ?現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 42 反應(yīng)物和載氣（如 H2）一起被引入反應(yīng)器中，而砷化鎵的晶片一般維持 在 650℃ 到 850℃ 的范圍。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 38 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 39 硅的 CVD 42( ) 2 ( ) ( ) 4 ( )SiC l g H g Si g H C l g??同時伴隨額外的競爭反應(yīng) ( ) ( ) 2 S i ( )SiC l g Si s C l g?在外延生長時，摻雜劑和四氯化硅是同時加入的，氣態(tài)的乙硼（ B2H6） 被用作 p型摻雜劑，而磷烷（ PH3）被用作 n型摻雜劑。襯底晶片可以作為晶體籽 晶，與先前描述的單晶生長不同在于外延生長溫度低于熔點許多（ 30~50 %），常見的外延工藝有： CVD和 MBE。當(dāng)晶片受高溫處理，氧會從表面揮發(fā)，造成表面附近有較低的氧含量，形成了無缺陷區(qū)，用于制造器件。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 35 材料特性 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 36 另外，因固溶度造成析出的氧，可利用來吸雜。 反映孿晶 旋轉(zhuǎn)孿晶 小角度晶界 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 34 體缺陷－雜
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1